Кол-во обрабатываемых пластин диаметром 150 мм в одной ванне

50 шт.

Максимальный нагрев

170 °C

Точность поддержания температуры

±3 °C

Скорость протока нагретой воды при температуре 60°C

10 л/мин

Привнесение металлических примесей

(Fe, Cu, Zn, Ni, Cr, K, Na, Ca)

< 2×1010 см-2

Скорость замены емкостей

не более 10 мин

Дефектность (> 0,3 мкм)

< 0,1л-3

Технологический комплекс фотолитографии и оптического контроля EVG 150

Макс. размер пластин

150 мм

Макс. площадь подложки размером (длина края)

150 мм

Макс. число вращательных модулей

4

Макс. число дополнительных модулей (горячие пластины, холодные пластины, паровые модули)

18

Распыляющее покрытие:

Программируемые параметры сопла

Скорость (об / мин), ускорение (об / мин/s), абсолютное позиционирование, остановка позиционирования, дозирование по образцу

Вращающий модуль с впрыскивающим покрытием:

Привод

до 10.000 об/мин, увеличение скорости до 40.000

Макс. температура подложки

350 °C

Автоматические опции:

Насосы для фоторезиста при вращении

Для наносимого фоторезиста вязкость

до 50000 сР

Наличие программируемых элементов для обеспечения лучшей однородности нанесения

да

До 15мл дозировки, объем до 5 мл/с дозировки

Насосы для фоторезиста при распылении

Точное управление потоком 10 мкл/с до 200 мкл /с при низкой вязкости фоторезиста

Технологический комплекс групповой сборки кристаллов и соединения пластин Suss Microtech Substrate bonder SB6

Реализация технологического процесса микромеханической сборки или склейки пластин

да

Склеивание пластин при температурах от 50С до 550С с точностью ±5С и однородностью в ±3%

Верхний и нижний нагрев образцов

да

Диапазон давлений для среды склеивания с азотом

от 10^-6 торр до атмосферного с азотом

Размер образца

куски подложек до 6” совмещенных при помощи модуля MA/BA-6

Анодное сращивание

до 2000 В

ПО

на базе Windows

Технологический комплекс напыления тонких пленок металлов SEGI-RFA3-4TR

• Реализация технологического процесса напыления тонких пленок металлов.
• Установка позволяет проводить следующие операции: магнетронное напыление пленок Al, AlSi, AlCu, Ti, TiN, Ni и проведение предварительной ионной зачистки в плазме аргона.
• Базовая платформа оснащена шлюзовой камерой на одну кассету для пластин диаметром 150 мм. Установленный робот манипулятор транспортной камеры обеспечивает быстрое и точное перемещение пластин между камерами кластера.

Технологический комплекс термических процессов (диффузия и окисление) SVCS SVFUR-AH4

• Сухое окисление, формирование затворного окисла (gate oxide) с применяемыми газами H2, O2, N2, DCE при максимальной рабочей температуре, 1125°С.
• Вжигание Al при максимальной рабочей температуре, 300-600°С применяемыми газами N2, H2.

Рабочая температура сухого окисления

950 °С

Толщина слоя

0,07 нм

Однородность по пластине

не хуже ±3%

Однородность по загрузке

не хуже ±3%

Однородность по процессу

не хуже ±3%

Коэффициент преломления

1,46 ± 0,02

Привносимая дефектность (количество частиц размером > 0,3мкм)

< 0,05 см-2

Технологический комплекс пиролитических процессов и плазмостимулированного осаждения материалов SVCS SVFUR-LH4

Технологический процесс глубокого анизотропного травления кремния (Bosh - процесс):

Загрузка

1 шт

Глубина травления

до 400 мкм

Максимальная скорость травления

до 50 мкм/мин (1% площади вскрытия)

Средняя скорость травления

до 20 мкм/мин (20% площади вскрытия)

Минимальная неровность края стенок

не более 20 нм

Однородность по пластине

не хуже ±2%

Профиль травления

89° – 92°

Селективность к фоторезисту

> 55:1

Подтрав под маску при глубине травления до 300 мкм

~ 2 мкм

Аспектное отношение

до 20:1

Привносимая дефектность (количество частиц размером >0,3мкм)

<0,05 см-2

Технологический процесс травления диэлектрических слоев (SiO2):

Загрузка

1 шт

Скорость травления

до 700 нм/мин

Толщина слоя

до 3 мкм

Однородность по пластине

не хуже ±3%

Профиль травления

90°

Селективность к легированному кремнию и поликремнию

до 15:1

Селективность к фоторезистам

до 4:1

Привносимая дефектность (количество частиц размером >0,3мкм)

< 0,05 см-2

Технологический процесс травления поликристаллического кремния:

Загрузка

1 шт

Скорость травления (>50% площади вскрытия)

до 300-500 нм/мин

Толщина слоя

до 300-600 нм

Однородность по пластине

не хуже ±3%

Профиль травления

90°

Селективность к SiO2

не менее 30

Селективность к фоторезистам

до 3:1

Уход размера по маске

< 30 нм

Привносимая дефектность (количество частиц размером > 0,3мкм)

< 0,05 см-2