Научно исследовательская лаборатория сверхпроводниковой микроэлектроники (НИЛ СПМЭ)

Научно-исследовательская лаборатория сверхпроводниковой микроэлектроники (НИЛ СПМЭ) создана в 1989 году в рамках научно-исследовательской части МИЭТа. Сейчас ее численность 7 человек.

Основные направления деятельности НИЛ СПМЭ:

• получение и исследование свойств высокотемпературных сверхпроводников в объемном и пленочном виде.

• разработка технологии изготовления и конструкции ВТСП-структур и новых электронных датчиков на их основе.

• разработка электронных систем с использованием новых типов датчиков