Научно исследовательская лаборатория сверхпроводниковой микроэлектроники (НИЛ СПМЭ)

Научно-исследовательская лаборатория сверхпроводниковой микроэлектроники (НИЛ СПМЭ) создана в 1989 году в рамках научно-исследовательской части МИЭТа. Сейчас ее численность 8 человек.

Основные направления деятельности НИЛ СПМЭ:

• получение и исследование свойств высокотемпературных сверхпроводников в объемном и пленочном виде.

Основной результат: получены тонкопленочные сверхпроводники BiPbSrCaCuO с температурой перехода в сверхпроводящее состояние более 100 К.

• разработка технологии изготовления и конструкции ВТСП-структур и новых электронных датчиков на их основе.

Основной результат: изготовлены магниточувствительные структуры с предельной чувствительностью лучше 10^-10 Тл.

• разработка электронных систем с использованием новых типов датчиков

Основной результат: изготовлены образцы приборов магнитовидения для наблюдения внутренней структуры объектов с помощью магнитных.

• получение и исследование свойств бесщелевых полупроводников.

Основной результат: получены монокристаллические структуры толщиной 10 нм на основе бесщелевого полупроводника CoFeMnSi.