Проект завершен в 2021 году

Ответственный исполнитель: Алексей Александрович Зайцев, Ziko27@yandex.ru, +79067075871

Назначение продукта

Технология предназначена для изготовления ИК-фотоприемных матриц диапазона 1,5 мкм и ИК-фотоприемных устройств (матрица со схемой обработки) на основе гетероструктурных соединений широкозонных полупроводников

Краткое описание продукта

1) Технологическая документация на производство ИК–матрицы фотоприемника 512х625 пикселей.

2) Технологическая документация на сборку ИК-фотоприемного модуля 516х625 пикселей.

Технология Характеристика	Разрешающая способность (пиксель)	Интегральная чувствительность ( А\Вт )	Спектральная чувствительность, мкм
Технология ЦК	640х512	1.4	0,9-1.65

Преимущества проекта: технология предназначена для изготовления устройств на основе гетероструктурных полупроводников A₃B₅, что позволяет достичь высоких рабочих характеристик.

Текущая стадия проекта: 

Проект завершен в 2021 году. Разработана технология формирования кристалла ИК фотоприемных матричных модулей на гетероструктурах на основе фосфида индия. Разработанные технологические операции позволяют формировать матрицу 516x625 пикселей с периодом 20 мкм. В рамках работ был создан образец ИК фотоприемной матрицы со спектральной чувствительностью в диапазоне длин волн 0,9–1,65 мкм и интегральной чувствительностью более 1,4 А/Вт, что на 55% выше по сравнению с аналогами, выпускающимися в России. Большее число пикселей позволит увеличить разрешение формируемых изображений. В рамках коммерциализации проекта разработанный в результате выполнения проекта комплект технологической документации на производство матрицы ИК фотоприемника и сборки ИК фотоприемного модуля 512x625 пикселей был передан участнику консорциума АО «ЗНТЦ» для внедрения в производство.