+7 (495) 198-00-00 Горячая линия ситуационного центра Минобрнауки
по вопросам поддержки образовательных организаций высшего образования, а также их сотрудников и обучающихся, по вопросам профилактики распространения COVID-19 перейти на сайт МОН

Разработка технологии производства ИК-фотоприемных матричных модулей на базе гетероструктурных полупроводников

Руководитель проекта: к.т.н. Владимир Ильич Егоркин
Телефон:+7 (499) 710-86-65

Ответственный исполнитель: Алексей Александрович Зайцев, Ziko27@yandex.ru, +79067075871

Matrix.jpgНазначение продукта

Разрабатываемая технология предназначена для изготовления ИК фотоприемных матриц диапазона 1,5 мкм и ИК фотоприемных устройств (матрица со схемой обработки) на основе гетероструктурных соединений широкозонных полупроводников

Краткое описание продукта

1) Технологическая документация на производство ИК – матрицы фотоприемника 512х625 пикселей.

2) Технологическая документация на сборку ИК-фотоприемного модуля 516х625 пикселей.

Технология

Характеристика

Разрешающая способность (пиксель)

Интегральная чувствительность

( А\Вт )

Спектральная чувствительность, мкм

Технология ЦК

640х512

1.4

0,9-1.65


Matrix2.pngПреимущества проекта: разрабатываемая технология предназначена для изготовления устройств на основе гетероструктурных полупроводников A3B5, что позволяет достичь высоких рабочих характеристик.

Текущая стадия проекта: TRL 5 – проведены лабораторные испытания технологических операций формирования кристалла ИК фотоприёмной матрицы. В лабораторных условиях измерены характеристики фотоприёмных тестовых модулей, изготовленных по разработанной технологии. Испытываются технологические операции формирования металлизации для «флип-чип» бондинга и монтажа кристаллов на носитель.