Научно-исследовательские работы по созданию технологии изготовления СВЧ интегральных микросхем и дискретных элементов на основе широкозонных полупроводников
Ответственный исполнитель: Алексей Александрович Зайцев (e-mail: Ziko27@yandex.ru, моб. тел.: +7 (906) 707-58-71).
Назначение продукта
Разрабатываемая технология предназначена для изготовления базовых микроэлектронных элементов, применяемых в радиолокационных и сенсорных устройствах, работающих в СВЧ диапазоне длин волн.
Краткое описание
Комплект эскизной технологической документации на изготовление СВЧ транзисторов и микросхем на основе гетероструктур нитрида галлия.
|
Технология\ Характеристика |
Длина канала транзистора, мкм |
Крутизна транзисторов, мСм/мм |
Пробивное напряжение, В |
|
Технология ЦК |
0,25 |
не менее 120 |
более 50 |
Преимущества проекта
Проект направлен на разработку технологии создания электронных устройств на основе одного из наиболее перспективным материалов – нитрида галлия. Такие устройства будут обладать лучшими рабочими характеристиками по сравнению с аналогами.
 |
|