+7 (495) 198-00-00 Горячая линия ситуационного центра Минобрнауки
по вопросам поддержки образовательных организаций высшего образования, а также их сотрудников и обучающихся, по вопросам профилактики распространения COVID-19 перейти на сайт МОН

Научно-исследовательские работы по созданию технологии изготовления СВЧ интегральных микросхем и дискретных элементов на основе широкозонных полупроводников

Руководитель проекта: к.т.н. Владимир Ильич Егоркин
Телефон:+7 (499) 710-86-65

Ответственный исполнитель: Алексей Александрович Зайцев (e-mail: Ziko27@yandex.ru, моб. тел.: +7 (906) 707-58-71).

Назначение продукта

Разрабатываемая технология предназначена для изготовления базовых микроэлектронных элементов, применяемых в радиолокационных и сенсорных устройствах, работающих в СВЧ диапазоне длин волн.

Краткое описание

Комплект эскизной технологической документации на изготовление СВЧ транзисторов и микросхем на основе гетероструктур нитрида галлия.

Технология\

Характеристика

Длина канала транзистора, мкм

Крутизна транзисторов, мСм/мм

Пробивное напряжение, В

Технология ЦК

0,25

не менее 120

более 50


Преимущества проекта

Проект направлен на разработку технологии создания электронных устройств на основе одного из наиболее перспективным материалов – нитрида галлия. Такие устройства будут обладать лучшими рабочими характеристиками по сравнению с аналогами.

RF_HEMT.jpg v-2721-1.jpg