Плазменные технологии в наноэлектроники (ПТНЭ)
Авторы: | Проф., д.т.н. Путря Михаил Георгиевич Голишников Александр Анатольевич, доцент, к.т.н. |
Описание курса
Целью дисциплины «Плазменные технологии в наноэлектронике» является изучение и практическое освоение слушателями базовых знаний в области плазменных технологий травления, получения тонких пленок и ионной имплантации; особенностей их применения при изготовлении изделий микро- и наноэлектроники.
В результате изучения дисциплины слушатели должны:
- знать
основные понятия и определения низкотемпературной плазмы;
элементарные процессы, протекающие в плазме и на пограничных поверхностях;
основные методы генерации низкотемпературной плазмы и типы газовых разрядов;
методы диагностики параметров плазмы;
общие закономерности движения заряженных частиц в вакууме, в электрическом и магнитном полях;
основные вакуумно-плазменные процессы, используемые в производстве ИС;
конструктивные решения технологического вакуумно-плазменного оборудования и методы формирования функциональных слоев ИС и конструктивных элементов полупроводниковых приборов с применением вакуумно-плазменных процессов;
особенности процессов плазменного травления различных функциональных слоев и получения тонких пленок при изготовлении изделий микро- и наноэлектроники;
современные достижения отечественной и зарубежной науки и техники в области применения плазменных разрядов в микро- и наноэлектронике.
- уметь
составлять краткие технологические маршруты изготовления различных элементов ИС с использованием вакуумно-плазменных процессов;
планировать проведение исследований по влиянию операционных параметров на технологические характеристики плазменных процессов;
сравнивать различные вакуумно-плазменные методы, используемые при формировании функциональных слоев ИС;
пользоваться контрольно-измерительными приборами для определения операционных параметров вакуумно-плазменных процессов;
систематизировать и обобщать полученные в ходе исследований экспериментальные данные.
- иметь опыт
измеренияирасчета основных технологических параметров плазменных процессов изготовления ИС;
определения основных операционных параметров при проведении плазменных процессов травления и осаждения тонких пленок.
- иметь представление
об особенностях применения средств и приборов вакуумной техники и плазменных источников;
об особенностях проведения технологических операций, использующих низкотемпературную газовую плазму;
о тенденциях и перспективах развития плазменных источников и вакуумно-плазменных технологий, применяемых в производстве интегральных схем.
Курс состоит из 6 разделов, в том числе 6 теоретических (лекционных) занятий и 3 лабораторных работ. Для каждого раздела приведены контрольные вопросы и тестовые задания.