Редакция журнала «Известия высших учебных заведений. Электроника»
Тематический указатель статей, опубликованных в 2006 году
Фундаментальные исследования
Горбацевич А.А., Широков А.Е. Метод эффективной массы и поверхностные состояния. № 5, с. 7.
Материалы электронной техники
Максимов С.К. Упорядоченная фаза La2CaF8 с модифицированной структурой тисонита. № 4, с. 3.
Технология микроэлектроники
Апрелов С.А., Герасименко Н.Н., Рыбачек Е.Н., Сенков В.М., Пиршин И.В., Турьянский А.Г., Цехош В.И. Двухволновая рентгеновская рефлектометрия пленок металлов и их силицидов на кремнии. № 5, с. 27.
Аскинази А.Ю., Барабан А.П., Милоглядова Л.В., Сазонов С.Г., Сергиенко М.В. Влияние ионной имплантации и УФ-облучения на зарядовое состояние структуры Si–SiO2. № 3, с. 7.
Барабан А.П., Петров Ю.В., Сазонов С.Г. Электролюминесценция структур Si–SiO2, содержащих избыточный кремний. № 2, с. 3.
Батюня Л.П. Технологические аспекты получения тонкопленочных структур для высокотемпературных сверхпроводников. № 1, с. 9.
Грибов Б.Г., Лысак Л.В., Мартемьянов В.С. Новый метод очистки кремниевых пластин. № 5, с. 15.
Гущин О.П., Данилкин Е.В., Мочалов А.И. Травление кремния методом переменной модуляции газов SF6 и C4F8. № 4, с. 8.
Зайцев Н.А., Матюшкин И.В. Исследование кинетики начального этапа высокотемпературного окисления кремния в сухом кислороде. № 2, с. 9.
Каракеян В.И., Рябышенков А.С. Обеспечение равномерности воздушного потока в чистом помещении высокотехнологичного производства. № 1, с. 13.
Ковалев А.А. Особенности технологического процесса очистки полупроводниковых структур на основе электрохимического синтеза и рекуперации растворов. № 4, с. 13.
Королёв М.А., Крупкина Т.Ю., Логинов В.В. Учет пространственной неоднородности распределения ловушек при моделировании КНИ МОП-структур. № 3, с. 3.
Манжа Н.М, Сауров А.Н. Влияние температуры осаждения на структуру слоев поликристаллического кремния. № 3, с. 14.
Рембеза Е.С., Рембеза С.И., Свистова Т.В., Дырда Н.Н. Методы повышения газочувствительных свойств пленок SnO2 для датчиков газов. № 1, с. 3.
Скворцов А.М., Халецкий Р.А., Соколов В.И. Исследование характеристик структуры Si–SiO2 с поликремниевым затвором в зависимости от режимов термического окисления. № 6,с. 3.
Тимошенков В.П. Расчет индуктивности корпуса для СВЧ интегральных микросхем. № 4, с. 18.
Тимошенков В.П. Состояние и перспективы развития технологии кремниевых гетеропереходных биполярных транзисторов для СВЧ применений.№ 5, с. 19.
Тимошенков C.П., Зотов С.А., Калугин В.В., Воротников А.А., Рубчиц В.Г., Прокопьев Е.П. Влияние пористости поверхностных слоев на жесткость подвеса чувствительного элемента МЭМС на основе структур КНИ. № 6, с. 9.
 |
Микроэлектроника и полупроводниковые приборы*
Алексеев Ю.И., Малиёв И.В., Нащанский С.А. Исследование влияния лазерного излучения на частоту колебаний ганновского генератора. № 2, с. 34.
Безрядин Н.Н., Асессоров В.В., Сизов С.В., Михайлюк Е.А., Сыноров Ю.В., Кузьменко Т.А., Пахомов В.Н. Влияние металла на поверхностные электронные состояния кремния в слоистой системе Ме–Ga2Se3–(SiOx)Si. № 2, с. 18.
Белин А.М., Никифоров А.Ю., Гваськов А.А., Попов А.Д., Рудаков Г.А. Мультиплексор для охлаждаемого гибридного многоэлементного приемника ИК-излучения. № 1, с. 18.
Бирюков В.Н. Модель барьерной емкости диода с короткой базой. № 4, с. 31.
Григорашвили Ю.Е., Карпов Р.Г., Степанов А.М. Метод локации источников слабых магнитных полей. № 2, с. 37.
Ионычев В.К., Ребров А.Н. Численный расчет вероятности включения микроплазмы в p–n-переходе. № 4, с. 23.
Козлов А.В., Парменов Ю.А. Влияние скорости поверхностной рекомбинации на относительную чувствительность биполярного магнитотранзистора. № 3, с. 27.
Коноплев Б.Г., Рындин Е.А. Интегральные логические элементы на основе туннельно-связанных наноструктур. № 3, с. 18.
Кострюков С.А., Холомина Т.А. Программное обеспечение НЧ шумовой спектроскопии глубоких уровней. № 4, с. 36.
Лугин А.Н. Учет тензочувствительности для толстопленочных резисторов на основе соединений рутения. № 1, с. 25.
Строгонов А.В., Горлов М.И. Использование нейронных сетей в задачах прогнозирования деградации выходных параметров ИС. № 4, с. 44.
Широков А.А., Сергеев В.А., Дулов О.А. Исследование токораспределения в биполярных транзисторах электрофлуктуационным методом. № 2, с. 26.
Яремчук А.Ф., Мазуров А.В., Соколов Е.М., Шерченков A.A. Метод оценки электрических параметров солнечных элементов в процессе контроля их эксплуатационных характеристик. № 4, с. 53.
Микроэлектронные приборы и системы
Иванова О.М., Крутоверцев С.А., Анисимов В.А., Борисов А.Г., Чиликина Т.Д.Оптический сенсор для определения аммиака в воздухе. № 6, с. 20.
Бобрешов А.М., Дыбой А.В., Китаев Ю.И., Нестеренко Ю.Н., Усков Г.К., Обрезан О.И. Исследование обратимых отказов GaАs ПТШ при импульсных перегрузках. № 5, с. 69.
Гваськов А.А., Жигальский Г.П., Ситкин П.О.Исследование1/f-шума МДП-транзисторов с разным типом проводимости канала. № 6, с. 13.
Горлов М.И., Смирнов Д.Ю., Ануфриев Д.Л. Классификация надежности интегральных схем с использованием показателя формы спектра γ. № 5, с. 78.
Зайцев Д.Л., Дудкин П.В., Агафонов В.М. Вихревые флуктуирующие потоки и их вклад в шумы молекулярно-электронных преобразователей.№ 5, с. 61.
Коркишко Ю.Н., Федоров В.А., Кострицкий С.М., Алкаев А.Н., Прилуцкий В.Е., Пономарев В.Г., Морев И.В., Марчук В.Г., Падерин Е.М. Интерферометрические волоконно-оптические гироскопы с замкнутым контуром обратной связи. № 5, с. 45.
Орликовский А.А. Кремниевая транзисторная наноэлектроника. № 5, с. 35.
Нанотехнология
Белов А.Н., Гаврилов С.А. Синтез полупроводниковых нитевидных нанокристаллов методом импульсного электрохимического осаждения с дальнейшей сульфидизацией. № 1, с. 31.
Белов А.Н., Гаврилов С.А., Путря М.Г., Шевяков В.И. Нанотехнологии на основе анодных оксидных материалов. № 5, с. 93.
Максимов С.К. Механизм наноструктурирования нестехиометрических фторидов Ba1-xLaxF2+x и Ca1xLaxF2+x с решеткой на основе CaF2. № 5, с. 83.
Чаплыгин Ю.А., Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Методика измерения электропроводности нанометровых металлических пленок в слоистых структурах по спектрам отражения электромагнитного излучения. № 6, с. 27.
Схемотехника и проектирование
Артемов С.А. Конвертор для перевода проектов схем из САПР ПЛИС в САПР БМК. № 2, с. 57.
Кобзев Ю.М., Эннс В.В., Эннс В.И. Моделирование интегральных магниточувствительных схем на основе магниторезистивных элементов. № 6, с. 56.
Малинаускас К.К.Обзор алгоритмов поиска кратчайших путей в задачах сжатия топологии ИС. № 6, с. 36.
Соколов А.Г., Чепурных Е.А. Комплекс программ для автоматизированного проектирования интерфейсов цифрового оборудования. № 2, с. 52.
Стемпковский А.Л., Гаврилов С.В., Глебов А.Л. Статистический подход к временному анализу цифровых схем. № 5, с. 99.
Петросянц К.О., Торговников Р.А. Сравнительный анализ схемотехнических моделей SiGe гетеропереходного биполярного транзистора. № 5, с. 107.
Микросистемы
Комиссаров А.В., Степанов Н.В. Методы расширения диапазона измерений угловых скоростей микромеханических гироскопов ADXRS150, ADXRS300. № 2, с. 77.
Фёдоров Р.А., Шелепин Н.А. PSPICE-модель электретного преобразователя физических величин. № 4, с. 59.
Микропроцессорная техника
Беляев А.А., Путря Ф.М. Выбор оптимальной структуры функционально полного контроллера шины SPI с 32-разрядным интерфейсом. № 4, с. 71.
Ельчин И.С., Шагурин И.И., Осипенко П.Н., Василегин Б.В. Аппаратные средства введения помехоустойчивого кодирования для повышения отказоустойчивости СБИС оперативной памяти. № 4, с. 65.
Капустян С.Г. Децентрализованный метод коллективного распределения целей в группе роботов. № 2, с. 84.
Переверзев А.Л. Обнаружение импульсного сигнала с применением медианной фильтрации. № 1, с. 36.
Романов С.П. Повышение помехоустойчивости контроллера магистрального параллельного интерфейса. № 3, с. 32.
Сиренко В.Г. Метод локализации «враждебных» неисправностей в многомашинных вычислительных системах. № 3, с. 38.
Информационные технологии
Абрамов А.Ю., Портнов Е.М. Способ организации канала «прямых» измерений параметров распределительных электросетей. № 3, с. 50.
Ашарина И.В. Методы информационного согласования в двухкомплексной системе. № 6, с. 6.
Беневоленский С.Б., Жадан В.Г., Жадан И.В., Спыну С.К. Применение технологии распределенных вычислений при решении задач методом половинных делений для глобальной оптимизации функции многих переменных. № 3, с. 44.
Власов А.А., Скулкин Н.М., Зуев А.В. Использование экспертной системы для распознавания дефектов металлокерамических корпусов и коммутационных плат. № 2, с. 47.
Гагарина Л.Г., Слюсарь В.В. Методология оценки эффективности работы автоматизированной информационно-поисковой системы на основе интегральных критериев уровня качества поиска. № 2, с. 42.
Джиган В.И. Использование обратного QR-разложения в многоканальных FAP-алгоритмах. № 1, с. 60.
Корнилов А.И., Калашников В.С., Ласточкин О.В., Семенов М.Ю. Особенности построения умножителей по модулю (2n – 1). № 1, с. 55.
Янчук Е.Е. Интегрированные устройства цифрового сопряжения мультиплексирования и каналообразования для радиорелейных линий связи. № 6, с. 65.
Интегральные радиоэлектронные устройства
Джиган В.И. Адаптивные фильтры на основе последовательных лестничных RLS-алгоритмов с априори ошибками. № 3, с. 61.
Зиновьев Д.В. Система ФАПЧ на цифровых логических элементах. № 2, с. 71.
Клюев Д.С., Неганов В.А. Расчет входного сопротивления узкой полосковой кольцевой антенны на основе сингулярного интегрального уравнения с ядром Гильберта. № 4, с. 76.
Комаров В.В. Аналитическая аппроксимация дисперсии электромагнитных волн в волноводах с поперечно-неоднородным диэлектрическим заполнением. № 3, с. 76.
Меркутов А.С. Маршрут автоматизированного проектирования радиоприемных устройств цифровых сигналов. № 3, с. 70.
Маркосян Е.С. Исследование характеристик несимметричных пассивных полифазных фильтров. № 1, с. 47.
Чистюхин В.В. Излучающая апертура АФАР Ku-диапазона для приема спутникового телевидения. № 1, с. 41.
Чистюхин В.В., Лялин К.С., Сизов В.И., Кочетков В.Ю. Пространственное подавление помех с использованием цифровой антенной решетки.№ 2, с. 64.
Чистюхин В.В., Сизов В.И., Лялин К.С., Викторов Ю.С., Семенов А.В. Мобильная АФАР для приема сигнала спутникового телевидения. № 3, с. 54.
Методы и техника измерений
Автунич О.А., Красин А.А. Способ оценки неидентичности конденсаторов в блоке подстройки частоты кварцевого генератора. № 1, с. 68.
Бельский М.Д., Суворинов А.В., Филипчук Т.С., Шахбазов C.Ю. Расчет технологических допусков в электростатических линзах дляэлектронно-лучевых микроколонн. № 1, с. 76.
Горлов М.И., Смирнов Д.Ю., Ануфриев Д.Л. Разделение интегральных схем по надежности с использованием 1/f-шума. № 1, с. 84.
Дёмкин В.И., Макаров Е.С., Никулин В.Б. Cтруктура координатной системы движущихся объектов. № 3, с. 82.
Филиппов В.В., Поляков Н.Н., Мицук С.В. Восьмизондовый метод совместных измерений электропроводимости и коэффициента Холла анизотропных полупроводниковых пленок. № 4, с. 81.
Проблемы высшего образования
Усанов Д.А. Школа А.Ф.Иоффе как пример единства науки, образования и производства. № 5, с. 118.
Чаплыгин Ю.А., Поспелов А.С., Гаврилов С.А., Прокофьев А.А. Центры формирования компетенций как механизм реализации компетентностного подхода в подготовке и переподготовке инженерных кадров для инновационной экономики. № 6, с. 79.
Краткие сообщения
Алексейчук А.В., Батюня Л.П., Раскин А.А. Особенности технологии изготовления кантилеверов. № 1, с. 92.
Аникин А.В., Литвинов Ю.М. Рентгеновская диагностика структуры и глубины повреждений в механически обработанных пластинах сапфира.№ 6, с. 89.
Вернер В.Д. О терминологии микросистемной техники (в порядке дискуссии). № 3, с. 87.
Зотов С.А. Метод контроля номинальных значений емкостей МЭМС. № 4, с. 90.
Калугин В.В. Подготовка и сборка микромеханических элементов с емкостной системой съема перемещений. № 4, с. 92.
Малкова А.С., Пашинкин А.С., Надыров Ш.М. Теплоемкость антимонидов алюминия, галлия, индия. № 2, с. 94.
Названов В.Ф., Сусляков Ю.В. Об одной особенности спектральной характеристики гетероструктуры ZnS–GaP. № 3, с. 85.
Неустроев А.С., Неустроев С.А. Сопоставлениерентгеновского и пикнометрического методов оценки качества слоев нитрида алюминия. № 2, с. 92.
Никулин В.Б., Иноземцев Н.В. Сравнение статистического и интервального методов при решении задач градуировки средств измерения. № 1, с. 90.
Новиков С.Г., Гурин Н.Т., Корнеев И.В. Моделирование фотоприемника с отрицательной проводимостью на основе полупроводниковой структуры. №4, с. 88.
Умняшкин С.В., Коплович Д.М., Черкасов И.В., Александров А.А. Алгоритм сжатия изображений на основе контекстного скалярно-векторногоквантования в области дискретного вейвлет-преобразования. № 6, с. 86.
Шорин Д.В. Методика разработки многофункциональной операционной системы для смарт-карты. № 2, с. 96.
Юбилеи
Вернер В.Д. Журналу «Известия высших учебных заведений. Электроника» –10 лет. № 5, с. 3.
Кубареву Юрию Васильевичу – 70 лет. № 5, с. 126.
Коледову Леониду Александровичу – 70 лет. № 2, с. 97.
Мурыгину Виктору Ивановичу – 80 лет. № 1, с. 94.
Неустроеву Степану Архиповичу – 80 лет. № 5, с. 124.
Носову Юрию Романовичу – 75 лет. № 5, с. 125.
Таирову Юрию Михайловичу – 75 лет. № 6, с. 91.
Конференции. Семинары. Выставки
14 Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика – 2007». № 6, 3 стр. обложки.
V Международная научно-техническая конференция «Электроника и информатика – 2005»
(23–25 ноября 2005 г.). № 1, с. 96.
Международная школа-конференция по приоритетным направлениям науки и техники с участием молодых ученых, аспирантов и студентов стран-членов СНГ «Информационно-телекоммуникационные системы» (23–24 ноября 2005 г.). № 1, с. 97.
I Межотраслевое совещание по подготовке и переподготовке специалистов в области проектирования современной электронной компонентной базы и микроэлектронных систем (22 ноября 2005 г.). № 1, с. 98.
Всероссийская конференция инновационных проектов аспирантов и студентов по приоритетному направлению «Индустрия наносистем и материалы» (16–17 ноября 2005 г.). № 1, с. 99.
Международная научно-техническая конференция «Информационные технологии в науке, технике и образовании» (27 сентября 2005 г., Республика Абхазия, Пицунда). № 1, с. 100.
Десятая международная научная конференция и молодежная школа-семинар «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» ПЭМ–2006. № 2, с. 25.
Международная научно-техническая конференция «Информационные технологии в науке, технике и образовании». № 2, с. 76.
Вернер В.Д., Ильков А.В. Инновации для инноваций (выставка «Продуктроника – 2005». г. Мюнхен, Германия). № 3, с. 89.
Об итогах 13-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика – 2006». №3, с.93.
Международная научно-техническая конференция «Информационные технологии в науке, технике и образовании». № 3, с. 49.
Десятая международная научная конференция и молодежная школа-семинар «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» ПЭМ–2006. № 3, с. 75.
Телемост «Кремль – регионы». № 4, с. 94.
Всероссийский конкурс инновационных проектов аспирантов и студентов «Индустрия наносистем и материалы». № 5, 2 стр.обложки.
Открытие совместной образовательной программы МИЭТ и компании Synopsys. № 5, 2 стр.обложки.
I специализированная выставка научных работ студенческой лаборатории «Фотоника II – VI». № 5, с. 82.