Основные направления научных исследований:

• конструирование и разработка микроэлектромеханических систем (МЭМС);

• разработка конструктивно-технологических принципов создания микромеханических приборов: микрогироскопов, акселерометров, датчиков и др.;

• разработка конструктивно-технологических принципов построения микроэлектронных устройств и компьютерно-интегрированной технологии их производства на основе современной элементной базы, включая вопросы создания многокристальных микромодулей;

• разработка и исследование технологических процессов формирования структур «кремний-на-изоляторе» базовых структур ИМС для специальной аппаратуры и гражданского применения;

• разработка тепловых микроактюаторов для МЭМС и микрооптоэлектромеханических систем (МОЭМС) и устройств на их основе;

• разработка технологии внутреннего монтажа кристаллов на печатных платах;

• разработка и исследование технологии корпусирования кристаллов на уровне пластины;

• разработка технологии изготовления интерпозеров с TSV, 3D микросборок;

• исследование, разработка и изготовление высокоплотных печатных плат;

• разработка и исследование формирования гибко-пластичных оснований для микроэлектронных устройств.

1. Патент 153038 Частотный датчик линейных ускорений 2015 г.

2. Патент 2556697 Способ изготовления гибкой микропечатной платы 2015 г.

3. Патент 2559336 Способ микропрофилирования кремниевых структур 2015 г.

4. Патент 154143 Чувствительный элемент микромеханического акселерометра 2015 г.

5. Патент 154439 Чувствительный элемент датчика линейных ускорений 2015 г.

6. Патент 2564810 Линейный микроакселерометр с оптической 2015 г.

7. Патент 155338 Резонансный микромеханический акселерометр 2015 г.

8. Патент 2571880 Способ монтажа микроэлектронных компонентов 2015 г.

9. Патент 160457 Чувствительный элемент интегрального акселерометра 2016 г.

10. Патент 2609764 Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти 2017 г.

11. Патент 2610058 Способ получения материала фазовой памяти.2017 г.

12. Патент 170862 Чувствительный элемент датчика удара 2017г.

13. Патент 2631071 Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти 2017 г.

14. Патент 2636575 Способ изготовления пластичных радиоэлектронных узлов и 2017 г.

15. Патент 2638919 Электронная система компенсационного акселерометра 2017 г.

3D МЭМС	Микромеханические акселерометры АРКХ, ММА, ИМСУ
3D акселерометр	Микромеханический гироскоп
Блок инерциальных датчиков	Курсовертикаль на базе микромеханических датчиков
Инклинометр на базе микромеханических акселерометров

В качестве научных достижений Института НМСТ следует отметить:

• «Разработку базовых конструкций чувствительных элементов и микроэлектромеханических систем для измерения угловой скорости и угла наклона на различные диапазоны измеряемых величин для комплексов мониторинга безопасности объектов», 2013 год.
• Разработку конструкции, технологии производства и изготовление унифицированных микроакселерометров на различные диапазоны измеряемых величин для устройств инерциальных навигационных систем на их основе, 2013 год.
• Разработку роботизированной системы повышенной проходимости с применением микросистемной техники, 2013 год.
• Разработку конструкции и технологии изготовления термостимулированного микроактюатора на основе биморфной структуры Al/SiO2, 2013 год.
• Разработку измерителя угловой скорости на базе МЭМС, 2014 год.
• Разработку базовой технологии создания инерциального прецизионного измерительного модуля на основе микрооптоэлектромеханических компонентов, 2015 год.
• Разработку базовой технологии создания ряда комплексированных приемо-передающих навигационных и управляющих изделий сверхкомпактного класса для бортовых систем управления высоко динамичных объектов, 2015 год.
• Разработку эскизного проекта, технического проекта и рабочей конструкторской документации на микросхему изменения емкостей чувствительного элемента мостового дифференциального типа в нормированное значение электрического напряжения для измерителей линейного ускорения, 2016 год.
• Разработку проекта программ и методик (ПМ) приемочных испытаний опытных образцов микромеханических преобразователей угловой скорости (ПУС), преобразователей линейного ускорения (ПЛУ), преобразователей угла наклона (ПУН). Разработка ПМ оценки конструктивно-технологических запасов (КТЗ) и проведение анализа КТЗ ПЛУ, ПУС, ПУН. Проведение испытаний на безотказность опытных образцов ПЛУ, ПУС и ПУН. Разработка карты технического уровня ПЛУ, ПУС и ПУН. Расчет надежности ПУС, ПУН и ПЛУ, 2014 год.
• Разработку программы и методик вибро- и термоиспытаний микроэлектронных узлов на полиимидном основании, включая проведение исследований макетных образцов, изготовленных по традиционной технологии, 2014 год.
• Разработку технологических операций создания двухсторонних фольгированных полиимидных оснований и гибко-жестких печатных плат для микроэлектронных узлов, 2014 год.
• Разработку перспективной базовой технологии создания широкополосных микрооптоэлектромеханических переключателей, 2014 год.
• Развитие физико-технологических принципов построения наноразмерных устройств фазовой памяти и разработка прототипа ячейки фазовой памяти, 2016 год.
• Разработку конструктивно-технологических решений, анализ и исследование элементов перспективных типов памяти нового поколения большой емкости типа фазовой (PCM), сегнетоэлектрической (FRAM), магниторезистивной (MRAM), 2016 год.
• Разработку конструкции и технологии изготовления инерциальной измерительной системы на основе интегрированных микромеханических акселерометров и гироскопов, 2016 год.
• Создание двухосевого сенсора для систем навигации и ориентирования по магнитному полю Земли на основе наноразмерной тонкопленочной высокочувствительной магниторезистивной структуры, 2016 год.