| Подразделение | Должность |
| Кафедра квантовой физики и наноэлектроники | Преподаватель |
Краткая биография
В 2014 году окончил бакалавриат, а в 2016 году с отличием магистратуру кафедры КФН, квалификация – магистр по направлению «Электроника и наноэлектроника».
В 2021 году защитил кандидатскую диссертацию по теме «Исследование омических контактов к легированным наногетероструктурам GaAs, InGaAs для полевых и гетеробиполярных СВЧ-транзисторов» (направление 05.27.01), кандидат технических наук.
Читаемые курсы
-
Приборы и интегральные схемы на основе арсенида галлия
-
Научная деятельность
-
Область научных интересов: физика полупроводниковых приборов, технология СВЧ транзисторов, в том числе осаждение тонких металлических пленок.
Научная деятельность
Автор более 20 научных публикаций, 8 из которых в рецензируемых журналах.
Наиболее значимые публикации:
1. Егоркин, В. И., Земляков, В. Е., Неженцев, А. В., Зайцев, А. А., Гармаш, В. И. Особенности температурной стабильности сопротивления омических контактов к наногетероструктурам на основе GaAs и GaN //Физика и техника полупроводников. – 2021. – Т. 55. – №. 12. – С. 1260-1263.
2. Егоркин, В. И., Земляков, В. Е., Неженцев, А. В., Зайцев, А. А., Гармаш, В. И., Гудков В.А. Влияние состава металлизации и параметров процесса вжигания на сопротивление омических контактов к 6H-SiC n-типа //Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2018. – Т. 23. – №. 6. – С. 557-564.
3. Неженцев, А. В., Земляков, В. Е., Гармаш, В. И., & Егоркин, В. И. Исследование технологических процессов получения омических контактов к наногетероструктурам на основе арсенида галлия //Электроника и микроэлектроника СВЧ. – 2016. – Т. 2. – С. 193-199.
4. Тарасова, Е. А., Оболенская, Е. С., Хананова, А. В., Оболенский, С. В., Земляков, В. Е., Егоркин, В. И., Неженцев А.В., Медведев, Г. В. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов //Физика и техника полупроводников. – 2016. – Т. 50. – №. 12. – С. 1599-1604.
5. Неженцев, А. В., Земляков, В. Е., Гармаш, В. И., & Егоркин, В. И. Исследование методов вжигания омических контактов к n-слоям гетеробиполярных наногетероструктур //Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2018. – Т. 23. – №. 1. – С. 15-22.
6. Egorkin, V. I., Zemlyakov, V. E., Nezhentsev, A. V., & Garmash, V. I. Optimization of ohmic contacts to n-GaAs layers of heterobipolar nanoheterostructures //Russian Microelectronics. – 2017. – Т. 46. – С. 272-276.
7. Egorkin, V. I., Zemlyakov, V. E., Nezhentsev, A. V., & Garmash, V. I. Diffusion theory and optimization of ohmic contacts to n-layer of bipolar nanoheterostructures //Journal of Physics: Conference Series. – IOP Publishing, 2017. – Т. 917. – №. 9. – С. 092003.