Старая версия сайта доступна по ссылке http://old.miet.ru Перейти
  
  
  
  

Кафедра квантовой физики и наноэлектроники

Заведующий кафедрой: член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н., профессор Александр Алексеевич Горбацевич
Телефон:(499) 720-87-09, Факс:(499) 710-86-65, Внутренний телефон:29-09 (зав. каф.), 25-99 (зав. лаб.)
Аудитория:4348

Посмотреть презентацию кафедры (файл *.pdf)

Кафедра КФН основана в июле 1999 г. в целях углубления фундаментального образования и подготовки по передовым направлениям современной науки и техники. В составе кафедры 20 преподавателей, из них 1 член-корреспондент Российской Академии наук, 7 профессоров, докторов физико-математических наук и 6 доцентов, кандидатов физико-математических и технических наук.

Миссия кафедры:

Синтез науки, фундаментального естественно-научного и современного инженерного образования для подготовки специалистов, способных стать лидерами в ключевых областях наноэлектроники.

Кафедра КФН является выпускающей и готовит:

Бакалаврские профили:

«Нанотехнологии в электронике»

«Квантовые приборы и наноэлектроника», (new)

Форма обучения очная, период обучения – 4 года.

Магистерские программы:

«Наногетероструктуры и приборы на их основе»,

«Зондовая микроскопия и нанотехнология»,

«Элементная база наноэлектроники» (new).

Форма обучения очная, период обучения – 2 года.

Подготовка осуществляется по следующим научным направлениям:

  1. Полупроводниковые гетероструктуры и квантовые приборы, в том числе физика квантовых процессов в гетероструктурах, принципы обработки информации в квантовых системах, квантовые вычисления и построение квантовых компьютеров, методы зонной инженерии на базе технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, современные методы оптических и электрофизических измерений и их компьютерной обработки.
  2. Туннельно-зондовая микроскопия и нанотехнология. на базе современных сканирующих туннельных и атомно-силовых микроскопов, включающее комплексное исследование поверхности подложек из любых материалов, в том числе, элементов нано- и микроэлектроники, формирование нанообъектов на поверхности подложек, а также элементов электроники методами туннельно-зондовой нанотехнологии, исследование биологических объектов, в том числе, клеточных структур, бактерий, вирусов, ДНК.
  3. Теория твердого тела, в том числе сверхпроводимость и квантовый эффект Холла, электронные фазовые переходы и упорядоченные состояния, современные методы вычислительной физики.
  4. Электронно-микроскопические методы исследования полупроводников и полупроводниковых гетероструктур.
  5. Сверхпроводниковая электроника, включая методы получения высокотемпературных сверхпроводников.
  6. Математическое моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов.
  7. Сверхбыстродействующие интегральные схемы на основе GaAs, включая разработку и создание сверхбыстродействующих интегральных схем для телекоммуникационных приборов и устройств на основе новых типов транзисторов с высокой подвижностью электронов.
  8. Акустонаноэлектроника, использующая явления переноса заряда в поле акустической волны в квантоворазмерных гетероструктурах.
  9. Микрофотоэлектроника – разработка приборов и устройств на основе полупроводниковых наноструктур для приема и передачи оптических сигналов, в том числе инфракрасных систем.

3.jpg 1.jpg 2.jpg


В профессорско-преподавательском состав кафедры КФН привлекаются ведущие сотрудники научно-исследовательских и производственных предприятий, а так же сотрудники институтов Российской Академии наук.

Во время обучения студенты кафедры КФН получают широкий научный и технический кругозор, практические навыки работы на современном научно-исследовательском и экспериментальном оборудовании, в том числе, сканирующих зондовых микроскопах, навыки разработки и проектирования электронных приборов и интегральных схем.

Образовательные цели кафедры:

4.jpg

Научные направления кафедры КФН предполагают сочетание углубленной физико-математической подготовки с базовым техническим образованием. Студенты и практиканты проходят практику, изучают дисциплины специализаций и готовят выпускные квалификационные и магистерские диссертации на предприятиях: ОАО, НПО «Орион», ЗАО «Нанотехнология - МДТ»; в исследовательских центрах: Отделение твердого тела Физического института РАН, ФГУП «НИИФП им. Ф.В. Лукина», НОЦ ФИАН и МИЭТ «Квантовые приборы и нанотехнологии», НОЦ МИЭТ «Зондовая микроскопия и нанотехнология», ЦФК МИЭТ «Нанотехнологии в электронике» и НОЦ МИЭТ «Нанотехнологии в электронике»; в научно-исследовательских лабораториях МИЭТ: НИЛ сверхпроводниковой электроники, НИЛ электронной микроскопии, НИЛ радиационных методов, технологии и анализа.

Студенты принимают участие в научных исследованиях по перспективным направлениям этих организаций, регулярно выступают с докладами на российских и зарубежных научно-технических конференциях, выставках.

Выпускники кафедры работают в ведущих российских и мировых high-tech компаниях, на инновационных предприятиях, продолжают научную карьеру в университетах, институтах Академии наук России, создают собственные малые наукоемкие фирмы.

Студенты, окончившие кафедру КФН, имеют возможность поступить в аспирантуру МИЭТ.

Специальности аспирантуры для продолжения научной карьеры на кафедре КФН:

Специальность 01.04.10 «Физика полупроводников»;

Специальность 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах».

Период обучения – 4 года.

5.jpg