МИЭТ

Национальный
исследовательский
университет

Орден трудового красного знамени
Рейтинг QS

National Research University of
Electronic Technology

Версия для слабовидящих Версия для печати Поиск по сайту На гланую страницу сайта
Авторизация
Кафедра квантовой физики и наноэлектроники  
Заведующий кафедрой: член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н., профессор Александр Алексеевич Горбацевич
Телефон: (499) 720-87-09, факс: (499) 710-86-65, внутренний телефон: 29-09 (зав. каф.), 25-99 (зав. лаб.)
E-mail: kfn@miee.ru
Аудитория: 4348

Добро пожаловать на кафедру квантовой физики и наноэлектроники (КФН)!

Посмотреть презентацию кафедры (файл *.pdf)

Кафедра КФН основана в июле 1999 г. в целях углубления фундаментального образования и подготовки по передовым направлениям современной науки и техники. В составе кафедры 20 преподавателей, из них 1 член-корреспондент Российской Академии наук, 7 профессоров, докторов физико-математических наук и 6 доцентов, кандидатов физико-математических и технических наук.

Миссия кафедры:

Синтез науки, фундаментального естественно-научного и современного инженерного образования для подготовки специалистов, способных стать лидерами в ключевых областях наноэлектроники.

Кафедра КФН является выпускающей и готовит:

  • бакалавров по направлению 210100 62 «Электроника и наноэлектроника»

Бакалаврские профили:

«Нанотехнологии в электронике»

«Квантовые приборы и наноэлектроника», (new)

Форма обучения очная, период обучения – 4 года.

  • магистров по направлению: 210100 68 «Электроника и наноэлектроника»

Магистерские программы:

«Наногетероструктуры и приборы на их основе»,

«Зондовая микроскопия и нанотехнология»,

«Элементная база наноэлектроники» (new).

Форма обучения очная, период обучения – 2 года.

Подготовка осуществляется по следующим научным направлениям:

  1. Полупроводниковые гетероструктуры и квантовые приборы, в том числе физика квантовых процессов в гетероструктурах, принципы обработки информации в квантовых системах, квантовые вычисления и построение квантовых компьютеров, методы зонной инженерии на базе технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, современные методы оптических и электрофизических измерений и их компьютерной обработки.
  2. Туннельно-зондовая микроскопия и нанотехнология. на базе современных сканирующих туннельных и атомно-силовых микроскопов, включающее комплексное исследование поверхности подложек из любых материалов, в том числе, элементов нано- и микроэлектроники, формирование нанообъектов на поверхности подложек, а также элементов электроники методами туннельно-зондовой нанотехнологии, исследование биологических объектов, в том числе, клеточных структур, бактерий, вирусов, ДНК.
  3. Теория твердого тела, в том числе сверхпроводимость и квантовый эффект Холла, электронные фазовые переходы и упорядоченные состояния, современные методы вычислительной физики.
  4. Электронно-микроскопические методы исследования полупроводников и полупроводниковых гетероструктур.
  5. Сверхпроводниковая электроника, включая методы получения высокотемпературных сверхпроводников.
  6. Математическое моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов.
  7. Сверхбыстродействующие интегральные схемы на основе GaAs, включая разработку и создание сверхбыстродействующих интегральных схем для телекоммуникационных приборов и устройств на основе новых типов транзисторов с высокой подвижностью электронов.
  8. Акустонаноэлектроника, использующая явления переноса заряда в поле акустической волны в квантоворазмерных гетероструктурах.
  9. Микрофотоэлектроника – разработка приборов и устройств на основе полупроводниковых наноструктур для приема и передачи оптических сигналов, в том числе инфракрасных систем.

3.jpg1.jpg2.jpg


В профессорско-преподавательском состав кафедры КФН привлекаются ведущие сотрудники научно-исследовательских и производственных предприятий, а так же сотрудники институтов Российской Академии наук.

Во время обучения студенты кафедры КФН получают широкий научный и технический кругозор, практические навыки работы на современном научно-исследовательском и экспериментальном оборудовании, в том числе, сканирующих зондовых микроскопах, навыки разработки и проектирования электронных приборов и интегральных схем.

Образовательные цели кафедры:

  • Формирование у студентов способности сочетать научный и экспериментальный подход для решения поставленных задач в ходе профессиональной деятельности;
  • Подготовка квалифицированных специалистов, способных участвовать в любых видах деятельности, сопровождающих разработку и изготовление электронных приборов на современных производственных и научно-исследовательских предприятиях;
  • Подготовка высококвалифицированных кадров в области моделирования, проектирования, производства и исследования нового класса приборов электроники, базирующихся на квантоворазмерных и наноразмерных эффектах, необходимых для разработки и выпуска специализированной электронной компонентной базы;
  • Создание благоприятных условий для расширения научного кругозора и эрудиции специалистов, способных ориентироваться в новейших технологиях и передовых научно-технических достижениях в микро- и наноэлектронике. Формирование целеустремленной и любознательной личности талантливого ученого.

4.jpg

Научные направления кафедры КФН предполагают сочетание углубленной физико-математической подготовки с базовым техническим образованием. Студенты и практиканты проходят практику, изучают дисциплины специализаций и готовят выпускные квалификационные и магистерские диссертации на предприятиях: ОАО «НИИМЭ и Микрон», ОАО «Ангстрем», НПО «Орион», ЗАО «Нанотехнология - МДТ»; в исследовательских центрах: Отделение твердого тела Физического института РАН, ФГУП «НИИФП им. Ф.В. Лукина», НОЦ ФИАН и МИЭТ «Квантовые приборы и нанотехнологии», НОЦ МИЭТ «Зондовая микроскопия и нанотехнология», ЦФК МИЭТ «Нанотехнологии в электронике» и НОЦ МИЭТ «Нанотехнологии в электронике»; в научно-исследовательских лабораториях МИЭТ: НИЛ сверхпроводниковой электроники, НИЛ электронной микроскопии, НИЛ радиационных методов, технологии и анализа.

Студенты принимают участие в научных исследованиях по перспективным направлениям этих организаций, регулярно выступают с докладами на российских и зарубежных научно-технических конференциях, выставках.

Выпускники кафедры работают в ведущих российских и мировых high-tech компаниях, на инновационных предприятиях, продолжают научную карьеру в университетах, институтах Академии наук России, создают собственные малые наукоемкие фирмы.

Студенты, окончившие кафедру КФН, имеют возможность поступить в аспирантуру МИЭТ.

Специальности аспирантуры для продолжения научной карьеры на кафедре КФН:

Специальность 01.04.10 «Физика полупроводников»;

Специальность 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах».

Период обучения – 4 года.

5.jpg