Представители ведущих предприятий микроэлектроники обсудили моделирование транзисторов GaN технологии

12 ноября в МИЭТе состоялся международный технологический семинар «Моделирование транзисторов GaN технологии». Организаторами семинара выступили МИЭТ и ООО «Планар» – ведущий отечественный производитель векторных анализаторов цепей. В мероприятии приняли участие около 90 сотрудников ведущих отечественных вузов и предприятий микроэлектроники из Томска, Екатеринбурга, Великого Новгорода, Ростова-на-Дону, Каменка-Уральска, Москвы, Санкт-Петербурга и других городов. Семинар объединил основных участников отрасли, которые специализируются в данной тематике.

Основным докладчиком выступил приглашенный эксперт из Индии – Шейх Аамир Ашхан (Sheikh Aamir Ahsan), один из ведущих мировых ученых в данной области, участвующий в создании общеизвестной ASM GaN (Advance SPICE Model for GaN RF and Power Devices). Это продвинутая модель SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) для устройств на основе нитрида галлия, используемых в радиочастотных и силовых приложениях. Модель SPICE представляет собой набор математических уравнений, которые используются для симуляции работы электронных схем. Она позволяет разработчикам моделировать и анализировать поведение различных компонентов схемы, таких как транзисторы, диоды и другие устройства.

В ходе семинара были рассмотрены перспективы использования GaN технологии в области СВЧ и силовой микроэлектроники. Сам семинар состоял из 5 сессий:

Сессия №1: Введение в технологию GaN

• Обзор свойств GaN материалов и их преимущества перед традиционными полупроводниками
• Применение GaN технологии в современной электронике, в особенности в случаях высоких частот, высоких мощностей, а также для управления питанием

Сессия №2: Продвинутый уровень моделирования GaN устройств

• Детальное обсуждение получения компактных моделей GaN устройств, основанное на физике их поведения, включая СВЧ и мощные устройства
• Обзор доступных коммерческих моделей, их «пробелы»
• Техники получения моделей высокой степени надежности, с фокусом на модель ASM GaN и новую модель NITSRI GaN

Сессия №3: Дизайн-разработка и симуляция МИС

• Интеграция моделей устройств в САПР с основами SPICE
• Оптимальные техники экстракции СВЧ параметров модели
• Практические примеры

Сессия №4: Моделирование и разработка мощных GaN устройств

• Подробная дискуссия о последних разработках в области мощных GaN устройств размышления об их применении
• Техники моделирования и симуляции новых нормально выключенных GaN HEMT устройств
• Практический взгляд в симуляцию и оптимизацию мощных электронных цепей – LTSPICE и другие САПР

Сессия №5: Отраслевое влияние и сотрудничество

• Как модели GaN формируют индустрию
• Примеры сотрудничества с индустрией и их результаты
• Дискуссия о развитии и возможностях

По итогам семинара участникам удалось обсудить наиболее интересные и актуальные темы дальнейшего развития GaN технологии и способов построения моделей GaN транзисторов. В рамках мероприятия участникам из разных предприятий удалось обменяться опытом и укрепить связи.