Сотрудники Института БМС вошли в проектную группу по созданию гибридного материала для биоэлектроники
Российский научный фонд (РНФ) сообщил о результатах исследований, которые были проведены в рамках получившего грант проекта «Функциональные разветвленные сети на основе одностенных углеродных нанотрубок, жгутов из них и графеновых моно-/слоистых чешуек для эмиссионной электроники: новые технологические решения и прикладные разработки».
Результаты исследования опубликованы в журнале Nanomaterials. «Эту статью можно назвать основополагающей в области создания новых материалов для электроники. Выявленные физические механизмы и закономерности свидетельствуют о том, что гибридные сети из нанотрубок и графена могут применяться для создания электропроводников в интегральных схемах, накопителей энергии, гибкой электроники (прозрачных растягиваемых электронных устройств), теплопроводников, в том числе, для отведения тепла в электронных компонентах, пьезорезистивных элементов, преобразователей солнечной энергии, аккумуляторов водорода, биосенсоров, а также в качестве тепло- и электрочувствительных зондов в биомедицине благодаря увеличенным проводящим свойствам, механической прочности и высоким значениям площади удельной поверхности», — прокомментировал участник научной группы, кандидат физико-математических наук, доцент Института биомедицинских систем Александр Герасименко.
В ходе исследования были использованы два типа нанотрубок: однослойные — стенки которых состояли только из одного слоя атомов углерода, и многослойные — их можно представить, как множество цилиндров разного диаметра, вложенных один в другой.
Взаимное расположение углеродных нанотрубок и графеновых листов при наносварке
Полученные структуры в полтора раза тверже, чем обычные нанотрубки, а также почти вдвое лучше пропускают через себя электрический ток. Это позволит использовать их в качестве надежных проводящих элементов в нано- и биоэлектронике, например, в умных часах, фитнес-трекерах, слуховых аппаратах, медицинских датчиках.
В проектную группу вошли ученые из НИУ«Московский институт электронной техники», Первого МГМУ им. И. М. Сеченова, НПК «Технологический центр», Института нанотехнологий микроэлектроники РАН и Саратовского национального исследовательского государственного университета.