+7 (495) 198-00-00 Горячая линия ситуационного центра Минобрнауки
по вопросам поддержки образовательных организаций высшего образования, а также их сотрудников и обучающихся, по вопросам профилактики распространения COVID-19 перейти на сайт МОН

Благодаря национальному проекту «Наука» МИЭТ масштабно обновит приборную базу

Благодаря национальному проекту «Наука» МИЭТ масштабно обновит приборную базу

«Целью программы обновления приборной базы НИУ МИЭТ является обеспечение современным оборудованием перспективных научных и технологических проектов университета по созданию новых материалов и технологий микроэлектроники», – так на начальных этапах формирования Программы обновления приборной базы университета охарактеризовал ее концепцию Владимир Александрович Беспалов. В ходе разработки Программы ее основу составили 8 научных направлений. В планы включены мероприятия по приборно-технологическому обеспечению более 10 значимых научно-технических проектов в области терагерцовой электроники, спинтроники, квантовой и нейроморфной электроники, микро- и нанофотоники. Выделен блок оборудования, предназначенного для эксплуатации в режиме коллективного пользования.

О победе МИЭТа в конкурсе стало известно в конце мая. Средства гранта 2020 года направлены на формирование приборно-технологического обеспечения фундаментальных исследований и создание научного задела в области физики полупроводниковых гетеростуктур и приборов на их основе.

Направления исследований

По направлению исследований и разработок физико-технологических основ создания приборов и интегральных схем на основе тройных соединений материалов АIIIВV – это проект по созданию элементной базы твердотельных генераторов и приемников терагерцевого излучения (в ближнесрочной перспективе – миниатюрных источников излучения с рабочим диапазоном частот до 600 ГГц и импульсной мощностью до нескольких милливатт для систем формирования терагерцового изображения); проект по созданию ряда силовых транзисторов на нитридных полупроводниковых гетероструктурах, а также монолитных интегральных схем на основе нормально-закрытых и нормально-открытых транзисторов для высокоскоростных широкополосных систем передачи данных.

В плане исследования фундаментальных аспектов создания как твердотельных, так и вакуумных эмиссионных СВЧ и оптоэлектронных приборов и схем в рамках Программы формируется приборное и методическое обеспечение двух уникальных аналитических комплексов оборудования:

  • для измерения параметров глубоких энергетических центров в эпитаксиальных слоях мультислойных структур;
  • для малосигнальных и релаксационных измерений характеристик поверхностных состояний границ раздела слоев и релаксационных характеристик приборов и схем.

Перспективный ожидаемый результат в области эмиссионной электроники – создание многокаскадной субтерагерцовой интегральной схемы оптоэлектронного передающего модуля (предельные частоты ῀300 ГГц, коэффициент усиления по мощности на каскад – не менее 20).

По направлению «Методы диагностики, аналитического и метрологического сопровождения разработки технологий материалов и наноструктур» выполняется модернизация имеющегося в университете дорогостоящего комплекса электронной просвечивающей микроскопии за счет включения в его конфигурацию спектрометра энергетических потерь электронов. Николай Иванович Боргардт, заведующий кафедрой общей физики, д.ф.-м.н., профессор, руководитель научно-исследовательской лаборатории электронной микроскопии – об обновленном оборудовании: «Комплекс в новом составе обеспечит получение и количественный анализ с разрешением вплоть до атомарного профилей распределения элементов в наноразмерных гетероструктурах; исследование физико-химических механизмов эпитаксиального роста пленок и наноразмерных структур сложных полупроводниковых, сегнетоэлектрических, сверхпроводниковых соединений; исследование механизмов синтеза, термической и оптической обработки, ионного легирования сложных полупроводников и наноструктур различной размерности».

По направлению разработок тeхнологий и методов, повышающих быстродействие, увеличивающих степень интеграции в микро- и наноэлектронике, создаются условия для реализации проекта по метрологическому обеспечению фотолитографических процессов для перехода на топологические нормы уровня 130 нм: приобретается современная измерительная установка на базе моторизованного оптического микроскопа.

Что будет закуплено

Всего в ходе реализации программы обновления приборной базы, НИУ МИЭТ будет закуплено и модернизировано порядка 8 уникальных исследовательских комплексов, в которые войдут новейшие технологические установки и современное аналитическое оборудование. Данное оборудование позволят успешно реализовать прорывные, фундаментальные исследовательские проекты, направленные на создание новых востребованных материалов и перспективных технологий электроники.

Так, уникальный аналитический комплекс оборудования для измерения параметров эпитаксиальных мультислойных структур позволит проводить исследования и разработку перспективных твердотельных, так и вакуумных эмиссионных СВЧ и оптоэлектронных приборов, которые позволят повысить скорость, надёжность и защищённость передачи данных по радио и оптическим каналам связи.

OF.jpg

Еще одним примером, может служить модернизация имеющегося в университете дорогостоящего комплекса электронной просвечивающей микроскопии. Основу комплекса составляет просвечивающий электронный микроскоп Titan Themis 200 (на фото). Включение в его конфигурацию нового спектрометра энергетических потерь электронов позволит осуществлять количественный анализ химических элементов в новых материалах и гетероструктурах с разрешением вплоть до атомарного уровня. Осуществлять метрологическое обеспечение перспективных процессов микро- опто- и наноэлектроники

Доля исследователей в возрасте до 39 лет от общего числа исследователей, выполняющих работы с использованием нового оборудования, в текущем году составит более 45% и к 2024 году превысит 50%. Под руководством молодых ученых будет выполнено в 2020 году не менее 15% проводимых в МИЭТ научно-исследовательских работ с использования нового оборудования, и запланировано увеличение до 16% уже к 2022 году.

Председатель совета молодых ученых, заместитель директора Института перспективных материалови технологий, к.т.н., доцент Алексей Алексеевич Дронов: «Поддержка программы обновления приборной базы НИУ МИЭТ Министерством образования и науки, это, можно сказать, знаковое событие для вуза! Уверен, что возможность использовать самое современное научное оборудование станет сильным мотиватором для аспирантов и молодых ученых, у них появится дополнительный стимул для реализации своих научных идей, публикаций в высокорейтинговых журналах и защиты диссертаций. Новые технологические возможности привлекут внимание научного сообщества и индустрии к исследовательским направлениям МИЭТа, будут способствовать развитию научной кооперации и благоприятно скажутся на престиже инженерной профессии в России».

Также вам может быть интересно В МИЭТе разрабатывают устройство для извлечения энергии из лишнего тепла Ученые создали новый безопасный тип материалов для современной электроники
Приемная комиссия 8 800 600-56-89 abit@miee.ru
Контакты для прессы +7 499 720-87-27 mc@miee.ru