Научная работа
Основные направления научной деятельности кафедры и их результаты
Научная Школа «Микроэлектроника, наноэлектроника и микросистемы» под руководством Академика РАН, д.т.н., профессора Чаплыгина Ю.А. ведет научную деятельность в области исследования и разработки физико- технологических методов создания, диагностики и приборно-технологического моделирования элементов микро- и наноэлектроники.
Основные направления научных исследований Научной Школы: 1. Методы приборно-технологического моделирования биполярных магниточувствительных структур. 2. Методы приборно - технологического моделирования наноразмерных аналогов элементной базы микроэлектроники (МДП и КМДП – структур) с размерами 90-45 нм. 3.. Плазменные технологии для формирования наноразмерных структур 4. Развитие методов исследований на основе сканирующей зондовой микроскопии (атомной силовой, электропроводящей, магнитной силовой).
Основные научные результаты: С использованием современного программного обеспечения разработаны подходы к приборно- технологическому моделированию элементов микросистемной техники, магниточувствительных транзисторов и силовых интегральных схем. Предложены новые способы реализации квазиадиабатических логических вентилей, обеспечивающие расширение функциональных возможностей и повышение энергетической эффективности. Установлены закономерности энергопотребления в термодинамически обратимых логических вентилях. Разработаны оригинальные конструкции и методы формирования высоковольтных активных элементов ИС. Разработаны новые конструкции функционально-интегрированных датчиков вектора магнитной индукции на основе сенсора вектора магнитной индукции на основе биполярных и униполярных транзисторных структур. Установлены качественные и количественные закономерности поведения магниточувствительности и предельного разрешения по полю сенсора вектора магнитной индукции при различных режимах работы и температурах. Разработаны оригинальные конструкции источников высокоплотной плазмы, совместимые с современным плазменным оборудованием. Разработаны специализированные многокомпонентные галогеносодержащие газовые смеси для травления функциональных слоев кремниевых СБИС. Определены основные механизмы, определяющие взаимодействие плазмы разряда в многокомпонентных галогеносодержащих газовых смесях с обрабатываемой поверхностью. Выявлены закономерности функционирования наноразмерных аналогов элементов микроэлектроники Разработаны оригинальные технологии создания микрозондов (кантилеверов) со специальными покрытиями (проводящими и магнитными) для сканирующей зондовой микроскопии. Разработана технология нанолитографии на основе процесса локального зондового окисления, обеспечивающая разрешение ~3 нм. Разработаны усовершенствованные методики проведения измерений на основе основных методов сканирующей зондовой микроскопии.
Преподавателями кафедры за последние 5 лет опубликовано более 200 научных работ.
ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ И РАЗРАБОТОК каф ИЭМС
На кафедре ведутся исследования и разработки по следующим направлениям.
– Математическое моделирование элементной базы микроэлектроники, наноэлектроники, нано- и микросистемной техники (Науч. рук. д.т.н., проф. Крупкина Т.Ю.);
– Диагностика наноструктур на основе сканирующей зондовой микроскопии (Науч. рук. д.т.н., проф. Шевяков В.И.);
– Методы создания полупроводниковых структур с пониженной размерностью для наноэлектроники, новые технологически подходы на основе атомно-слоевого нанесения и травления функциональных для формирования слоев структур элементной базы наноэлектроники, микро- и наносистемной техники (Науч. рук. д.т.н., проф. Путря М.Г.);
– Элементная база для СВЧ техники (фазовращатели, генераторы, приемопередатчики, фильтры) Элементная база наноэлектроники, на основе новых материалов и структур различной размерности, в том числе углеродных наноматериалов (Науч. рук. д.т.н., проф. Тимошенков В.П.);
– Архитектурные и схемотехнические методы снижения энергопотребления и повышения сбоеустойчивости микропроцессоров и коммуникационных контроллеров высокопроизводительных ЭВМ; элементная база наноэлектроники, квантовых компьютеров и датчиков физических величин (Науч. рук. д.т.н., проф. Лосев В.В.).
По направлению приборно-технологического моделирования выполняются работы в области разработки научных подходов к проблеме эффективного и надежного использования приборно-технологического моделирования (ПТМ) в качестве метода создания и совершенствования базовых элементов микроэлектроники и микросистемной техники является актуальным направлением научно-технических исследований. Результаты таких исследований позволяют решать широкий круг задач по разработке технологических процессов, интегральных полупроводниковых приборов, оптимальных и устойчивых к разбросу параметров технологических маршрутов, обеспечивать интерфейс между производством и дизайн-центрами, повышать технологичность выпускаемых изделий и производства в целом. Разработаны методы приборно-технологического моделирования элементов интегральной электроники с повышенной стойкостью к внешним воздействиям, в т.ч. конструктивно-технологические методы создания элементной базы радиационно-стойких ИС с улучшенными электрическими параметрами биполярных и МОП транзисторов; проведена разработка и оптимизация конструктивно-технологических параметров интегральных магниточувствительных элементов; разработаны конструктивно-технологические решения по расширению области безопасной работы мощных КНИ МОП-транзисторов интеллектуальных силовых интегральных схем; получены результаты исследования технологии изготовления микросхем со встроенной энергонезависимой памятью; результаты исследования влияния топологии КМОП-совместимого элемента Холла на его магниточувствительность; разработана модель полевого датчика Холла (ПЭХ) на КНИ структуре.
Разработаны физическая модель трехколлекторного биполярного магнитотранзистора, учитывающая его поведение в слабых магнитных полях с учетом начального разбаланса коллекторных напряжений; методика приборно-технологического моделирования, вертикально – интегрированных трехмерных ИС в САПР Synopsys; разработаны численные модели и оценено влияние технологического разброса на электрические характеристики МОП-транзисторов на подложках кремний-на-изоляторе с проектными нормами 0.5 мкм и 0.35 мкм в диапазоне температур от минус 60 до плюс 225°С; проведен анализ особенностей моделирования, а также влияния граничных условий на результаты расчета электрических характеристик для широкого класса элементов кремниевых интегральных схем с повышенной стойкостью к внешним воздействиям (низковольтные МДП-транзисторы, планарные силовые МДП-транзисторы для интеллектуальных силовых интегральных схем, эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы, транзисторы на основе КНИ-структуры).
Публикации по направлению:
1. Chaplygin, Y.A., Krupkina, T.Y., Krasukov, A.Y., Artamonova, E.A. Device-Technological Modeling of Integrated Circuit Elements with Improved Resilience to External Influences // Russian Microelectronics 46(7), 2018.- с. 474-477 DOI: 10.1134/S1063739717070046
2. T.Y. Krupkina, A. Solovev Scaling of the transistors produced by a radiation-resistant CMOS technology // Proceedings of the 2018 IEEE Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference, ElConRus 2018.- V. 2018.- P. 1392 – 1396.- DOI: 10.1109/EIConRus.2018.8317357 INSPEC Accession Number: 17632534
3. Krasyukov, A.Y., Chaplygin, Y., Krupkina, T.Y., Artamonova, E.A. The study of the influence of field emitter design parameters on emission properties using TCAD simulation // Proceedings of the 2018 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus 2018 V. 2018, P. 1387-1391 - DOI: 10.1109/EIConRus.2018.8317356. INSPEC Accession Number: 17632348
4. Korolev M.A., Kozlov A.V., Krasukov A.Y., Devlikanova S.S. The Influence of the Dopant Concentration in a Silicon Film on the Magnetic Sensitivity of SOI Field-Effect Hall Sensors (Russian Microelectronics) – 2018. –Vol. 47, № 7. – Р. 1–4.
5. Королев М.А., Ключников А.С., Ефимова Д.И. Беспереходной МОП-транзистор с низким подпороговым током (Известия высших учебных заведений. Электроника) – М.: МИЭТ, 2018. – Т.2, №2. – С. 186-193.
6. Krasukov, A.Y., Chaplygin, Y.A., Krupkina, T.Y., Solovev, A.V., Artamonova, E.A. Analysis of simulation models for integrated semiconductor devices simulation with improved endurance to external conditions // Proceedings of the 2017 IEEE Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference, ElConRus 2017.- 7910592, р. 467-470 DOI: 10.1109/EIConRus.2017.7910592; WOS:000403395600114
7. Krupkina, T.Y., Artamonova, E.A. Krasukov, A.Y., Losev, V. V., Solovev, A.V. TCAD simulation of TFET structures integrated in basic CMOS technology // Proceedings of the 2017 IEEE Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference, ElConRus 2017.- 7910593, р. 471-474 WOS:000403395600115 DOI: 10.1109/EIConRus.2017.7910593
8. Соловьев А.В., Крупкина Т. Ю., Лагун А.М. Использование системы TCAD для разработки маршрута изготовления комплементарных биполярных транзисторов в составе ОУ // Изв. вузов. Электроника. - 2017. - Т. 22. - № 5. - С. 440-446. DOI: 10.214151/1561-5405-2017-22-5-440-446
9. Kozlov A.V., Krasjukov A.Yu., Krupkina T.Yu., Chaplygin Yu.A. Simulation of Characteristics and Optimization of the Constructive and Technological Parameters of Integrated Magnetosensitive Elements in Micro and Nanosystems. - Russian Microelectronics.- Moscow.– 2016. №7.– Vol. 45.– pp. 489-496 DOI https://doi.org/10.1134/S1063739716070088
По направлению «Диагностика наноструктур на основе сканирующей зондовой микроскопии» идет развитие методов сканирующей зондовой микроскопии. Сканирующая зондовая микроскопия является в настоящее время одним из эффективных инструментов для исследования морфологии поверхности и физических характеристик нано- и микрообъектов. Актуальными являются вопросы разработки методик проведения измерений в сканирующей зондовой микроскопии.
В этой связи разработаны технологии тестовых структур на основе кремния, алюминия, титана с наноструктурированной поверхностью для тестирования и определения геометрических параметров кантилеверов атомно- силовой микроскопии, в том числе кантилеверов со сверхострыми иглами.
Разработан одним из первых в мире специализированный атомно-силовой микроскоп. Он позволяет получать данные непосредственно на объекте исследования с возможностью крепления под любым углом к горизонту и является востребованным инструментом диагностики для широкой номенклатуры объектов контроля в энергетической, нефте-газодобывающей, химической, приборостроительной, металлопроизводственной отраслях промышленности. Кроме того, разработанный микроскоп может быть использован и в лабораторных условиях.
Работники института активно используют разработанные методики исследования при выполнении НИР и ОКР.
Основные результаты отражены в следующих публикациях и патентах:
1. Патент РФ № 2511025 Белов А.Н., Гаврилов С.А., Шевяков В.И., Дронов А.А. Тестовая структура для оценки радиуса кривизны острия иглы кантилевера. 2014
2. Belov A.N., Shevyakov V.I., Pestov G.N. Dielectric dispersion of polycrystalline ferroelectric-semiconductor Sn2P2S6 films (Thin Solid Films) – 2018. – Vol. 653. – P. 24-28.
3. Karpenkov D.Y., Bogomolov A.A., Solnyshkin A.V., Karpenkov A.Y., Shevyakov V.I., Belov A.N. .Multilayered ceramic heterostructures of lead zirconate titanate and nickel-zinc ferrite for magnetoelectric sensor elements. Sensors and Actuators, A: Physical. 2017. – Vol. 266. - № 15. – P. 242-246 2.
4. Kislova I.L., Morsakov I.M., Belov A.N., Shevyakov V.I., Kiselev D.A., Shvartsman V.V. Dielectric properties of composite based on ferroelectric copolymer of poly(Vinylidene fluoride-trifluoroethylene) and ferroelectric ceramics of barium lead zirconate titanate Journal of Advanced Dielectrics. 2017. – Vol. 7. - № 5. - Р. 17-22 (0.4)
5. Yu. E. Vysokikh, A. V. Shelaev, A. R. Prokopov , V. I. Shevyakov and S. Yu. Krasnoborodko. Magnetic domain structure investigation of Bi: YIG-thin filmsby combination of AFM and cantilever-based aperture SNOM. IOP. Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. P. 012190.
6. N. Belov, and S. Yu. Krasnoborod'ko. Study of Functioning of the Magneto-Optical Method as Part of Magnetic Force Microscopy. Nanotechnologies in Russia, 2016, Vol. 11, N. 11–12, P. 826–830.
По направлению «Плазменные технологии наноэлектроники» разработаны конструктивно-технологические решения, позволяющие оптимизировать процессы плазменного травления при формировании трехмерных микроструктур УБИС, таких например, как субмикронные щелевые и столбиковые структуры в кремнии, переходные субмикронные контактные окна в слоях межслойного диэлектрика с управляемым изотропно-анизотропным профилем, спейсерные области, управляемое профилирование многослойных наноразмерных структур, области глубокого профилирования кремния для микромеханических систем, а также профилирования многослойных наноразмерных структур. Совершенствуются методики неразрушающего высокопроизводительного и достоверного прогнозирования электромиграционной стойкости металлической разводки интегральных схем. Ведется разработка и исследование технологий элементной базы высокотемпературной микро- и наноэлектроники, сформулированы требования к электрофизическим и технологическим параметрам материалов контактной металлизации, слоя диффузионного барьера, проводниковых межсоединений; разработаны конструктивные варианты теплоустойчивой металлизации кремниевых ИС, функционирующих при температуре выше 200ºС.
Также проводятся работы в области создания автоэмиссионных катодов. Данная работа поддержана Министерством образования и науки Российской Федерации по Соглашению о выполнении прикладных научных исследований и экспериментальных разработок №14.578.21.0219 (RFMEFI57816X0219). Результат исследований: разработаны конструкции автоэмиссионных элементов с катодами на основе углеродных нанотрубок и технологии их изготовления. Основные результаты опубликованы в журналах Микроэлектроника, Russian microelectronics, Электроника. Известия Вузов, а также в сборниках трудов международных конференций:
1. Belov A.N., Golishnikov A.A., Kislitsin M.V., Perevalov A.A., Shevyakov V.I. Formation of an Array of Memristor Structures Using a Self-Assembly Matrix of Porous Anodic Aluminum Oxide (Nanotechnologies in Russia) – 2018. – Vol. 13, №. 1–2. – Р. 34–37.
2. S. O. Safonov, b, V. P. Bespalov, A. A. Golishnikov, and M. G. Putrya Estimating the Reliability of Aluminum Metallization of Integrated Circuits by Accelerated Electromigration Testing at Constant Temperature. Russian Microelectronics, 2015, Vol. 44, No. 7, pp. 453–459
3. A.N. Belov, Yu.A. Chaplygin, A.A. Golishnikov, D.A. Kostyukov, M.G. Putrya S.O.,Safonov, V.I. Shevyakov Tungsten alloyed with rhenium as an advanced material for heat-resistant silicon ICs interconnects. INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICRO- AND NANO-ELECTRONICS 2016 Volume: 10224 Published: 2016.
4. Zhigalov, V.; Petukhov, V.; M.G. Putrya Emelianov, A.; et al. Using horizontal carbon nanotubes in field emission cathodes. PROCEEDINGS OF THE 2017 IEEE RUSSIA SECTION YOUNG RESEARCHERS IN ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING CONFERENCE (2017 ELCONRUS), 1449-1451.
5. Голишников А.А, Жигалов В.А., Крупкина Т.Ю., Путря М.Г., Автоэмиссионный элемент с катодами на основе углеродных нанотрубок и способ его изготовления. Патент РФ 2590897, 2016 г.
По направлению «Энергоэффективная элементная база для цифровых устройств» актуальность исследований определяется чрезвычайно высокими предельными возможностями снижения энергопотребления. Работы поддержаны Грантами РФ, ФЦП и РФФИ. Результаты опубликованы в журналах Микроэлектроника, Russian microelectronics, Электроника. Известия Вузов, а также в сборниках трудов международных конференций.
Сочетание традиционных способов снижения энергопотребления с новыми методами, уже в краткосрочной перспективе позволит существенно снизить общее энергопотребление цифровых устройств обработки информации.
По данному направлению проводятся работы в области исследования и разработки методов и маршрутов проектирования энергоэффективной элементной базы для быстродействующих устройств обработки аналоговой и цифровой информации.
В рамках направления исследованы физические принципы построения устройств обработки информации с предельно малым энергопотреблением на основе принципа термодинамической обратимости; разработаны схемотехнические способы построения элементной базы обработки информации с предельно малым энергопотреблением (доли аттоджоуля) на основе традиционного технологического базиса; разработаны принципы построения и методы схемотехнической реализации энергоэффективных источников питания резонансного типа и источников питания на основе ступенчатого перезаряда; разработаны методы автоматизированного проектирования энергоэффективной элементной базы на основе принципа термодинамической обратимости; разработаны и апробированы поведенческие высокоуровневые модели основных цифровых элементов для энергетической оптимизации и характеризации; разработаны библиотеки энергоэффективных цифровых компонентов и источников питания со схемами управления для автоматизированного проектирования в среде САПР
Основные результаты приведены в публикациях:
1. Лосев В.В., Кузьминов И.В., Новожилов И.С. Алгоритм построения и оценки структуры коммутационных блоков ПЛИС с заданным количеством связей (Известия высших учебных заведений. Электроника) – М.: МИЭТ, 2018. – Т. 23, №5 – С. 526–530.
2. V. V. Losev. Investigation of the possibilities of practical application of the adiabatic logic to reduce power consumption of VLSI. . Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2015. Часть I. Сборник рефератов на английском языке. М.: ИППМ РАН. р.14
3. Orlov D.V., Losev V.V., Chaplygin Yu.А. Noise Protected 1 of 4 Coding System with Active Zero for Computing Systems. Russian Microelectronics, 2015, Vol. 44, No. 7, pp. 497–500.
4. Лосев В.В., Чаплыгин Ю.А., Крупкина Т.Ю., Путря М.Г. Особенности процессов обработки и передачи информации в вычислительных устройствах // VII Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2016».- Сборник научных трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. -М.: ИППМ РАН, 2016, ч.II, с. 204-211.
5. Timoshenkov V.P., Losev V.V., Efimov A. Multi-Channel Receiving Module of Multi Beam C-Band Active Phased Array Antenna IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus-2017) – 2017. – P. 227 - 230.
6 Losev, V.V., Krupkina, T.Yu., Chaplygin, Y.Yu., Putrya, M.G., Naumkin V.G. Four-phase adiabatic resonant driver based on ring oscillator: Analysis and modelling IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus-2017) – М., 2017. – С. 485-488
В рамках направления «Функциональная электроника СВЧ» Разработаны элементы приемно-передающего модуля работающие в диапазоне 8-12 ГГц. В области проектирования интегральных схем и систем на кристалле разработана концепция применения СВЧ кремний-германиевой элементной базы для сложных систем. Разработаны научные основы схемотехники сверхбыстродействующей системы на кристалле с использованием гетероструктурных компонентов интегральных микросхем, выполненных по нанотехнологии как метода создания устройств приема, передачи, измерения и обработки СВЧ аналоговых и цифровых сигналов.
Разработана СВЧ масштабируемая библиотека цифровых и аналоговых элементов, использующая SiGe дифференциальную элементную базу. Разработана методология электростатической защиты СВЧ входных и выходных выводов, гальванически развязанных нулевых шин и шин питания для ИМС, содержащей гетероструктурные биполярные и КМОП транзисторы, основанная на использовании резонансного эффекта связанной интегральной индуктивности и емкости диодов электростатической защиты. Разработана методика восстановления СВЧ информации, передаваемой по сверхширокополосным кабельным и проводным СВЧ сетям, отличающаяся цифровым управлением для предварительной и последующей адаптивной эквализации сигнала и цифровым управлением усиления.
Основные результаты отражены в следующих публикациях:
1. Тимошенков В,П. Чаплыгин Ю.А.Адамов Ю.Ф.Низковольтное КМОП токовое зеркало Патент №2544780 от 11.02.2015
2. Тимошенков В.П. Чаплыгин Ю.А. Адамов Ю.Ф Двухканальный СВЧ малошумящий усилитель для частотного диапазона от 2 до 5ГГц Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2015630019 от 29.01.2015
3. Тимошенков В.П. Адамов Ю.Ф Горшкова Н.М СВЧ дифференциальный малошумящий усилитель для частотного диапазона 2-5ГГц Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2014630126 от 26.01.2015
4. Тимошенков В,П Тимошенков С.П. Тимошенков А. С. Анчутин С. А Интегральная схема цифровой обработки сигнала для микромеханического гироскопа Свидетельство о гос.регистрации топологии интегральной микросхемы №2015630043 от 13.03.2015
5. Рыбаков А. А., Резниченко Н. Е. Измерение нелинейности АЦП при входном сигнале неполной шкалы (Известия высших учебных заведений. Электроника) – М.: МИЭТ, 2018. – Т.23, №1. – С. 32–39.
6. Тимошенков В,П Адамов Ю.Ф Надежность электроники космических аппаратов при воздействии ионизирующих излучений учеб. пособие / Под ред. С.П. Тимошенкова. - М.: МИЭТ, 2015. - 124 с.: ил
7. V.Timoshenkov A.Pavlov , E.Kitsyuk, R. Ryazanov, Y.Adamov Conference Optic+Photonics, San-Diego, 2015 Vol. 9552,95520V Photodetector based on carbon nanotubes Proc. SPIE 9552 95520N (August 9-15 )
8. V.Timoshenkov N. Bushuev, R. Yafarov, , S. Orlov, D. Starykh Microwave plasma chemical synthesis of nanocrystalline carbon film structures and study their properties
Proc. SPIE. 9558, 955811. (August 9-15, 2015) Conference Optic+Photonics, San-Diego, 2015,Proc. of SPIE Vol. 9558 955811-1
Защита диссертаций 2009-2018 гг.
1. Козлов А.В. Исследование и разработка двухколлекторного биполярного магнитотранзистора с повышенной магниточувствительностью. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2009 г. Научный руководитель – к.т.н., проф. Парменов Ю.А.
2. Путря Ф.М. Исследование и разработка методов увеличения производительности многоядерных процессоров на основе комплекса аппаратных решений, повышающих эффективность коммутационной логики. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2009 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Крупкина Т.Ю.
3. Артамонова Е.А. Исследование и разработка конструктивно-технологических решений по расширению области безопасной работы мощных КНИ МОП-транзисторов интеллектуальных силовых интегральных схем. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2010 г. Научный руководитель – чл.-корр. РАН, д.т.н., проф. Чаплыгин Ю.А.
4. Пьянков Е.С. Исследование механизмов температурной нестабильности и разработка специализированных интегральных схем высокоточной термостабилизации для сканирующей зондовой микроскопии. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2010 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Крупкина Т.Ю.
5. Сагунова И.В. Исследование и модификация наноструктур с использованием токовых режимов зондовой микроскопии и литографии. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2010 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Шевяков В.И.
6. Артамонов Д.С. Исследование и разработка методов повышения производительности интегральных схем реконфигурируемых вычислительных систем. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2010 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Путря М.Г.
7. Эннс А.В. Исследование и разработка функциональных узлов интегральных контроллеров источников вторичного электропитания с высокой стабильностью выходного напряжения. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2011 г. Научный руководитель – к.т.н., проф. Парменов Ю.А.
8. Николаев А.В. Разработка и исследование логических схем на основе элементов конденсаторно-транзисторного типа. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2011 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Крупкина Т.Ю.
9. Алексеев А.А. Исследование и разработка универсальных методов тестирования IР блоков систем на кристалле на базе микропроцессорных ядер. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2012 г. Научный руководитель – к.т.н., доц. Шишина Л.Ю.
10. Мухин И.И. Исследование и разработка методов проектирования полупроводниковых фазовращателей на основе SiGe БиКМОП технологии. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2012 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Крупкина Т.Ю.
11. Лобанова А.Ю. Исследование и разработка методов снижения энергопотребления при проектировании микропроцессорных СБИС. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2012 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Крупкина Т.Ю.
12. Селецкий А.В. Исследование и разработка конструктивно-технологических методов повышения радиационной стойкости глубоко –субмикронных СБИС с помощью средств приборно-технологического моделирования. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2012 г. Научный руководитель – д.т.н. Шелепин Н.А.
13. Тимошенков В.П. Схемотехника СВЧ-систем на кристалле с использованием кремниевых гетероструктурных биполярных транзисторов. Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук, 2013 г. Научный консультант – д.т.н., проф. Старосельский В.И.
14. Черемисинов А.А. Исследование и разработка трехколлекторного биполярного магнитотранзистора с низким коллекторным разбалансом для работы в слабых и переменных магнитных полях. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2013 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Королев М.А.
15. Лосев В.В.Теория и методы создания элементной базы интегральных адиабатических цифровых устройств с предельно малым энергопотреблением. Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук, 2014 г. Научный консультант – чл.-корр. РАН, д.т.н., проф. Чаплыгин Ю.А.
16. Краснобородько С. Ю. Исследование и разработка комплекса методик для совершенствования функциональных и точностных характеристик атомно-силовой и магнитно-силовой микроскопии. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2014 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Шевяков В.И.
17. Сафонов С.О. Исследование и разработка неразрушающих ускоренных методов прогнозирования электромиграционной стойкости металлической разводки интегральных схем. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2014 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Путря М.Г.
18. Ермаков И.В. Исследование и разработка электрически перепрограммируемой энергонезависимой памяти на основе КМОП-технологии. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2015 г. Научный руководитель – д.т.н. Шелепин Н.А.
19. Орлов Д.В. Исследование и разработка методов проектирования сложно-функциональных блоков помехоустойчивых цифровых интегральных схем на основе системы кодирования 1 из 4. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2016 г. Научный руководитель – д.т.н., доц. Лосев В.В.
20. Балиж К.С. Метод диагностики состояния конструкционных сталей, эксплуатируемых в экстремальных условиях, на основе атомно-силовой микроскопии. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2017 г. Научный руководитель – д.т.н. Шевяков В.И.
21. Евдокимов В.Д. Разработка и исследование методов повышения быстродействия интегрированного в КМОП маршрут кремний-германиевого гетеропереходного биполярного N-P-N транзистора. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2017 г. Научный руководитель – академик РАН, д.т.н. Чаплыгин Ю.А.
22. Журавлев А.А. Исследование и разработка методов проектирования топологии аналоговых СФ блоков на основе автоматически формируемых матричных структур. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2017 г. Научный руководитель – д.т.н. Крупкина Т.Ю.
23. Соловьев А.В. Исследование и разработка конструктивно-технологических методов улучшения электрических характеристик радиационно-стойких интегральных микросхем в условиях серийного производства. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2018 г. Научный руководитель – д.т.н. Крупкина Т.Ю.
24. Дацук А.М. Исследование и разработка методики теплового моделирования аналого-цифровых кремниево-германиевых БиКМОП интегральных микросхем. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2018 г. Научный руководитель – д.т.н. Тимошенков В.П.
Научные проекты 2014-2019 гг.
1 Создание научных основ схемотехники сверхбыстродействующих систем на кристалле с использованием SiGe гетероструктурных компонентов. Грант РФФИ Договор № 16-07-01175. 24.02.2016 –31.12.2018
2 Исследование и разработка методов создания источников и приемников излучения сигналов терагерцового диапазона на основе совместного использования SiGe и GaAs технологий. Грант РФФИ Договор № 16-29-09588. 01.01.2016–31.12.2018
3 Теоретическое исследование функционирования логических элементов на основе углеродных наноструктурных материалов и исследование возможности их создания. Хозяйственный договор Шифр Сердолик-МИЭТ. 01.07.2014 –30.10.2016
4. Исследование и разработка методов проектирования и создания наноэлектронных элементов БИС и интеллектуальных сенсоров физических величин. Государственное задание №8.2031.2014/К 17.07.2014 – 31.12.2016
5 Исследование возможности создания СВЧ-переключателя каналов на основе микровакуумных приборов с катодами на основе углеродных материалов. Хозяйственный договор Шифр Свиток-МИЭТ 01.07.2014 – 30.10.2016
6 Исследование и разработка методов и маршрутов проектирования энергоэффективной элементной базы для быстродействующих устройств обработки аналоговой и цифровой информации на основе трехмерных вертикально- интегрированных структур. Грант РФФИ. 01.02.2014 – 31.12.2016
7 Исследование и разработка конструктивно–технологических решений по расширению области безопасной работы мощных КНИ МОП–транзисторов интеллектуальных силовых интегральных схем. Федеральная целевая программа Кадры. Договор №14.B37.21.0468 01.09.2012 – 15.11.2013
8 Исследование локального зондового окисления ковалентных полупроводников и наноразмерных металлических слоев. Государственное задание Договор №7.1142 01.01.2011 – 31.12.2013
9. «Исследование и разработка энергоэффективных микроэлектронных цифровых устройств на основе принципа регенерации избыточной энергии». ФЦП Кадры. Договор № 16.740.11.0563 2011-2013 гг.
10. Исследование и разработка физико–технологических методов создания, диагностики и приборно-технологического моделирования элементов микро- и наноэлектроники. Грант Президента Договор № 14.Y30.14.1027-НШ.
11. Разработка практических методов проектирования и создания СФ-блоков для аналогово-цифровых наноэлектронных систе с ограниченным ресурсом мощности источника питания с использованием технологии SiGe. Государственное задание № 8.3459.2017/ПЧ. 2017-2019 гг.
12. Разработка основ создания автоэмиссионных СВЧ-переключателей на основе УНТ-катодов в микровакуумном исполнении и исследование их характеристик.Шифр: И-Слалом-МИЭТ. 2018-2020 гг.