Образовательная деятельность
Направления подготовки:
БАКАЛАВРИАТ
Направление 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»
Профиль «Интегральная электроника и наноэлектроника»
МАГИСТРАТУРА
Направление 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»
Программы «Проектирование приборов и систем» и «Проектирование и технология устройств интегральной наноэлектроники» (в том числе, сетевые формы реализации)
АСПИРАНТУРА
Специальность 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах»
Читаемые курсы:
БАКАЛАВРИАТ
На первых двух курсах основное внимание уделяется фундаментальной подготовке по физике, математике, информатике, программированию, а также гуманитарным наукам, включая иностранный язык, философию, экономику и др. На втором курсе студенты распределяются по кафедрам и приступают к изучению специальных дисциплин. На кафедре особое внимание уделяется изучению: методов проектирования изделий интегральной наноэлектроники; методов и средств моделирования приборов и систем наноэлектроники; маршрутов и технологии создания изделий наноэлектроники; физике полупроводников и полупроводниковых приборов.
Перечень читаемых курсов
Стандартные программы проектирования
Основы технологии электронной компонентной базы
Основы проектирования электронной компонентной базы
Твердотельная электроника
Моделирование технологических процессов
Маршруты сверхбольших интегральных схем
Схемотехника
Интегрированные среды проектирования
Аналоговые интегральные схемы
Моделирование маршрутов
Моделирование схем
Факультативы: Алгоритмы в управлении устройствами, Моделирование элементов твердотельной электроники, Финансовая грамотность в условиях цифровой экономики, Современные возможности разработки программного обеспечения
МАГИСТРАТУРА
3-4 дня магистры работа на предприятии (фирме) работодателя в рамках практики. 2 дня – учеба в институте.
В магистерских курсах кафедры особое внимание уделяется изучению: методов разработки и проектирования интегральных схем, микро- и наносистем и систем на кристалле с помощью специализированных САПР фирм Cadence и Synopsys; технологии создания изделий наноэлектроники.
Перечень читаемых курсов
Общий блок:
Компьютерные технологии в научных исследованиях
Введение в область научной специализации
Проектирование и технология электронной компонентной базы
Компоненты интегральных схем и их модели
Проектирование низкочастотных аналоговых интегральных схем
Проектирование блоков цифровых интегральных схем
Физическое прототипирование и верификация проектов
Проектирование и верификация сложнофункциональных блоков
Технологические процессы наноэлектроники
Дополнительно для программы «Проектирование и технология устройств интегральной наноэлектроники»:
Физика наноразмерных полупроводниковых структур
Базовая КМОП-технология
Моделирование технологических процессов и наноразмерных структур
Особенности автоматизированного проектирования библиотечных аналоговых элементов
Проектирование топологии КМОП аналоговых интегральных схем
Технология спецсхем
Проектирование сверхбольших интегральных схем на программируемых кристаллах
Дополнительно для программы «Проектирование приборов и систем»:
Базы данных Cadence
Проектирование стандартных элементов цифровых интегральных схем. Основы Verilog
Введение в проектирование низкочастотных аналоговых интегральных схем
Проектирование стандартных элементов аналоговых интегральных схем
Введение в дискретно-аналоговую схемотехнику
Элементная база систем связи
Проектирование широкополосных и радиочастотных схем
Дополнительный курсы (сертификат компании Cadence)
Число обучающихся
БАКАЛАВРИАТ – 260 чел.
МАГИСТРАТУРА – 75 чел.
АСПИРАНТУРА – 30 чел.
Учебно-методические работы
1. Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Ревелева М.А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Под общ. ред. Чаплыгина Ю.А. Ч.1 Технологические процессы изготовления интегральных схем и их моделирование // М., БИНОМ. Лаборатория знаний. - 2014. – электронное издание.
2. Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Путря М.Г., Шевяков В.И. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Под общ. ред. Чаплыгина Ю.А. Ч.2 Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования // М., БИНОМ. Лаборатория знаний. - 2012. – электронное издание.
3. Под редакцией Парменова Ю.А., Титовой И.Н. Твердотельная электроника. Лабораторный практикум. Ч.1 Универсальный лабораторный стенд. Диоды // М.: МИЭТ, 2014.
4. Под редакцией Парменова Ю.А., Титовой И.Н. Твердотельная электроника. Лабораторный практикум. Ч.2 Диоды Шоттки. Транзисторы // М.: МИЭТ, 2014.
5. Шишина Л.Ю., Гуминов Н.В., Федоров О.В. Лабораторный практикум по курсу «Схемотехеника». Под редакцией Шишиной Л.Ю. // М.: МИЭТ, 2015.
6. Тимошенков В.П., Миндеева А.А. Учебное пособие. Элементная база систем связи. // М.: МИЭТ, 2015.
7. Голишников А.А., Королев М.А., Красюков А.Ю., Поломошнов С.А., Сагунова И.В., Шевяков В.И. Под редакцией член.-корр. Российской академии наук Чаплыгина Ю.А. Лабораторный практикум. Маршруты СБИС. // М.: МИЭТ, 2015.
8. Голишников А.А., Поломошнов С.А., Сагунова И.В., Шевяков В.И. Технологические процессы наноэлектроники. Лабораторный практикум. Под редакцией академика Российской академии наук Чаплыгина Ю.А. // М.: МИЭТ, 2016.
9. Парменов Ю.А. Физика полупроводников. Учебное пособие. // М.: МИЭТ, 2017.
10. Артамонова Е.А., Балашов А.Г., Ключников А.С., Козлов А.В., Красюков А.Ю., Поломошнов С.А., Селецкий А.В. Лабораторный практикум по курсу «Моделирование технологических процессов» под редакцией д.т.н. Крупкиной Т.Ю. // М.: МИЭТ, 2018.