Старая версия сайта доступна по ссылке http://old.miet.ru Перейти
Карташов Дмитрий Александрович кандидат технических наук

Краткая биография

Краткая биография

Окончил факультет Электроники РГРТУ в 2006 году.

В 2003-06 гг. – ответственный исполнитель НИР на кафедре общей и экспериментальной физики РГРТА (с 2006 года – РГРТУ).

В 2006-10 гг. – инженер-технолог, цех 01, участок диаметра 200, ОАО “НИИМЭ и Микрон”.

В 2010-11 гг. – инженер-технолог, отдел исследований перспективных технологий наноэлектроники, ОАО “НИИМЭ и Микрон”.

В 2011-13 гг. – инженер-технолог, отдел исследований перспективных технологий наноэлектроники, ОАО “НИИМЭ”.

В 2011-12 гг. – преподаватель специальных дисциплин, группы специальностей АСУ, ПК № 50 (по совместительству).

В 2012-13 гг. – инженер – конструктор, отдел исследований перспективных технологий наноэлектроники, ОАО “НИИМЭ” (по совместительству).

С 2013 года – инженер – конструктор, отдел технологических библиотек, АО “НИИМЭ”.

С 2015 года – корпоративный преподаватель АО “НИИМЭ“ (по совместительству).

С 2016 года – доцент НИУ “МИЭТ“ (по совместительству).

Стаж научно-педагогической деятельности – 3 года, в том числе в ВУЗе – 1.5 года.

Общественная деятельность

Участник РИТМ Зеленограда, 2011 год.

Эксперт РИТМ Зеленограда, 2012 год.

Экскурсовод на дне открытых турникетов, заводы – детям, в рамках программы ознакомления школьников, абитуриентов и студентов ВУЗов и ССУЗов с потенциальными работодателями 2014 – 2016.


Повышение квалификации

2006 г. - Москва, Зеленоград, BKC, Разговорный английский язык. Сертификат уровня Elementary (216 ч.).

2007 г. - Москва, Зеленоград, BKC, Разговорный английский язык. Сертификат уровня Pre-Intermediate (216 ч.).

2007 г. - Rousset, Франция, Metrology in F8 technology. Сертификат об успешном завершении тренинга на ST 8'' FAB с 13 мая 2007 до 30 июня 2007 (512 ч.).

2008 г. - Rousset, Франция, FMEA. Стажировка в ST University с 26 января 2008 до 9 февраля 2008 (108 ч.).

2008 г. - Москва, Зеленоград, Microsoft-МИЭТ, Программирование на языке C# (72 ч.).

2009 г. - Москва, Зеленоград, ЦКО-МИЭТ, Программирование на языке С++ (36 ч.).

2010 г. - Москва, Зеленоград, Си Кью Джи ай рус, Промышленная разработка программного обеспечения на языке С++ (72 ч.).

2010 г. - Москва, Лидеры мира, Лидерские курсы (72 ч.).

2011 г. - Москва, Зеленоград, ЦКО-МИЭТ, AutoCAD 2008 (36 ч.).

2015 г. - Москва, Зеленоград, МИЭТ, Технический английский язык (уровень Intermediate, 48 ч.).

2016 г. - Москва, Зеленоград, МИЭТ, Технический английский язык (уровень Intermediate, 72 ч.).

2016 г.- Москва, Зеленоград, МИЭТ, «Проектирование приборов и систем Cadence, начальный уровень» (36 ч.).

2016 г.- Москва, Зеленоград, МИЭТ, «Проектирование приборов и систем Cadence, опытный уровень» (36 ч.).

2018 г.- Москва, Зеленоград, МИЭТ, «Аудит информационной безопасности автоматизированных систем, магистерская программа» (2048 ч.).


Читаемые курсы

  • Информационная безопасность (факультет Прикладных информационных технологий, 3 курс), 2017 год.

  • Метрология, стандартизация и сертификация в инфо-коммуникациях (факультет Микроприборов и технической кибернетики, 3 курс), 2017 год.

  • Метрология, стандартизация и технические измерения (факультет Электроники и компьютерных технологий, 2 курс), 2018 год.

  • Прикладная механика (факультет Электроники и компьютерных технологий, 3 курс), 2017 год.

  • Метрология, стандартизация и сертификация (факультет Микроприборов и технической кибернетики, 3 курс), 2016-2017 год.

  • Программирование микропроцессорных систем на языке С (группа специальностей АСУ, 3 курс), 2011-2012 год.

  • Программное обеспечение автоматизированных информационных систем (группа специальностей АСУ, 4 курс), 2011-2012 год.

  • Проектирование аналоговых микросхем, физическая верификация и экстракция паразитных приборов из топологии интегральной микросхемы (сотрудники АО “НИИМЭ”, обучающиеся на факультете Физической и квантовой электроники МФТИ, 5 курс), 2015-2017 год.

  • Современные проблемы наноэлектроники (сотрудники АО “НИИМЭ”, обучающиеся на факультете Физической и квантовой электроники МФТИ, 4-6 курс), 2014-2017 год.


Научная деятельность

В 2014 году защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата технических наук в МИЭТ.

· Область научных интересов: планирование эксперимента;

Автор 35 научных публикаций, среди них:

1. Карташов Д. А., Герасименко Н. Н., Медетов Н. А., Турьянский А. Г., Цехош В. И. Эффективность генетического алгоритма при анализе данных рентгеновской рефлектометрии. // Известия Высших Учебных Заведений: Электроника.- 2010.- №3 (83).- С. 74-79. Kartashov D. A., Gerasimenko N. N., Medetov N. A., Turyansky A. G. and Tsekhosh V. I. Performance of the Genetic Algorithm in X-ray Reflectometry Data Analysis // Russian Microelectronics.-2011.-Vol. 40.-No. 7.-pp. 526–528.

2. Карташов Д. А., Медетов Н. А., Смирнов Д. И., Орлов Р. С., Иващенко О. В. Повышение эффективности вычислений результатов двухволновой рентгеновской рефлектометрии многослойных структур при использовании графических процессоров и технологии CUDA //“Труды МАИ”.- 2010.- № 40-15. URL: http://www.mai.ru/publications/index.php?ID=22872

3. Карташов Д. А., Медетов Н. А., Смирнов Д.И., Орлов Р. С. Влияние предварительного преобразования экспериментальных данных на точность обработки рентгеновских рефлектограмм // Известия ВУЗов: Электроника.- 2011г.- №3 (89).- С. 83-88. Kartashov D. A., Medetov N. A., Smirnov D. I., Orlov R. S. Influense of the preliminary transformation of experimental data on precision of X-Ray data processing. // Russian Microelectronics.- 2012.-Vol. 41.-No. 7.

4. Г.Я. Красников, В.В. Бардушкин, Д.А. Карташов, Ю.И. Шиляева, В.Б. Яковлев. Влияние структуры и термоупругих характеристик компонентов на средние напряжения в анодном оксиде алюминия с нитевидными порами, заполненными поливинилиденфторидом// Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника – М.: 2017. – № 2– С. 45 – 50.

5. Герасименко Н. Н., Карташов Д. А. Программный комплекс автоматизированной оценки параметров наноструктур по результатам рентгенооптических измерений, регистрационный № 2010610386 (заявка № 2009616133, зарегистрировано в реестре программ для ЭВМ 11 января 2010 года).

6. Герасименко Н. Н., Карташов Д. А., Медетов Н. А., Орлов Р. С. Программа расчёта рентгеновских рефлектограмм на видеокартах NVidia с технологией CUDA, регистрационный № 2010615187 (заявка № 2010613431, зарегистрировано в реестре программ для ЭВМ 11 августа 2010 года).

7. Карташов Д. А. Сравнение точности обработки результатов, полученных методом одноволновой и двухволновой рентгеновской рефлектометрии: сборник тезисов докладов научной конференции “Микроэлектроника и Информатика - 2009”.-Зеленоград, 2009.- С. 131.

8. Gerasimenko N. N., Kartashov D. A., Medetov N. A. Genetic algorithm, bees algorithm and extended bees algorithm efficiency comparison for X-Ray reflectogram decoding application // Eurasian physical technical journal: Modeling of nonlinear physical processes.- 2010. - vol. 7.- № 1(13).- P. 51-55.

9. Карташов Д. А. Анализ эффективности применения расширенного алгоритма пчёл и модификаций генетического алгоритма для быстрой компьютерной обработки рентгеновских рефлектограмм: Тезисы докладов конференции ВНКСФ-16.- 2010.- C. 663.

10. Gerasimenko N. N., Kartashov D. A., Touryanski A. G. Development of computer methods for multi nano-layer parameters measurements by X-Ray reflectometry, Thesis of the conference The International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2009” (ICMNE – 2009) including extended Session “Quantum Informatics” (QI-2009).- Zvenigorod, 2009.-O3-27.

11. Карташов Д. А. Сравнение эффективности генетического алгоритма и гибридных алгоритмов на основе генетического для расшифровки рентгеновских рефлектограмм: Тезисы докладов конференции “Микроэлектроника и Информатика - 2010”.- Зеленоград, 2010.- С. 9;

12. Герасименко Н. Н., Карташов Д. А. Сравнение эффективности применения генетического алгоритма и гибридных алгоритмов на его основе для расшифровки рентгеновских рефлектограмм, полученных от многослойных наноструктур, выращенных на кремнии: Тезисы докладов конференции “Кремний - 2010”.- Нижний Новгород, 2010, С. 244;

13. Карташов Д. А., Медетов Н. А., Орлов Р. С. Компьютерные методы обработки результатов рентгеновских измерений параметров наноструктур: Тезисы докладов конференции “Нанотехнологии - 2010”.- Дивноморское, 2010.- С. 242;

14. Карташов Д. А., Медетов Н. А., Смирнов Д. И., Орлов Р. С. Обработка результатов рентгеновской рефлектометрии многослойных структур с реализацией параллельных вычислений на графических процессорах: Материалы 7-й международной научной конференции «Хаос и структуры в нелинейных системах. Теория и эксперимент».- Караганда.- Казахстан, 2010г. – С.131-136.

15. Карташов Д. А., Медетов Н. А., Орлов Р. С. Компьютерные методы обработки результатов рентгеновских измерений параметров наноструктур: Тезисы докладов конференции “Физические и физико-химические основы ионной имплантации - 2010”.- Нижний Новгород.- 2010 г;

16. Карташов Д. А., Медетов Н. А., Орлов Р. С. Реализация параллельных вычислений по технологии CUDA для обработки результатов относительной двухволновой рентгеновской рефлектометрии многослойных структур // Вестник науки Костанайского социально-технического университета им. З.Алдамжар. – 2010. – №3. – с.279-287.

17. Карташов Д. А., Медетов Н. А., Смирнов Д. И., Орлов Р. С. Увеличение производительности компьютерных вычислений рентгеновских рефлектограмм // Вестник Карагандинского государственного университета.– Серия «Физика».– 2010. – №4(60). – с.72-78.

18. Карташов Д. А., Медетов Н. А., Орлов Р. С. Влияние предварительного преобразования экспериментальных данных на точность обработки рентгеновских рефлектограмм // Известия ВУЗов: Электроника.- 2011г.- №3 (89).- С. 83-88. Kartashov D. A., Medetov N. A., Smirnov D. I., Orlov R. S. Influense of the preliminary transformation of experimental data on precision of X-Ray data processing. // Russian Microelectronics.-2012.-Vol. 41.-No. 7.

19. Карташов Д. А. Измерение толщины металлических слоёв в микроэлектромеханической мультиэлектродной биоматрице методом относительной двухволновой рентгеновской рефлектометрии //Тезисы докладов III окружной научно-технической конференции молодых учёных и специалистов при префектуре ЗелАО г. Москвы. Москва, Зеленоград.- 2011.- с.18.

20. Карташов Д. А. Методика численной оценки параметров интерфейса Si/SiO2 на основе данных относительной рентгеновской рефлектометрии. //Тезисы докладов X-й Всероссийской научно-технической конференции молодых специалистов "Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА", Дубна, 2011г.- с. 186-188;

21. Карташов Д. А. Измерение электрического сопротивления металлических слоёв в микроэлектромеханической мультиэлектродной биоматрице методом относительной двухволновой рентгеновской рефлектометрии //Тезисы докладов II Международной научно-техническая конференции “Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике”, Москва.- Зеленоград.- 2011г.

22. Медетов Н. А., Карташов Д. А., Смирнов Д. И., Орлов Р. С. Компьютерные методы обработки результатов рентгеновского анализа наноразмерных структур // Тезисы докладов конференции “Рентгеновское, синхротронное излучения, нейтроны и электроны для исследования наносистем и наноматериалов. Нано-Био-Инфо-Когнитивные технологии - 2011”.- Москва.- 2011г.- с. 549.

23. Карташов Д. А. Методика численной оценки параметров интерфейса многослойных структур Mo/Si на основе данных относительной рентгеновской рефлектометрии // Тезисы докладов XIV-й международной конференции DSPA-2012 "Цифровая обработка сигналов и её применение".- Москва.- 2012г.

24. Карташов Д. А. Повышение эффективности вычислений результатов двухволновой рентгеновской рефлектометрии многослойных структур при использовании графических процессоров и технологии CUDA // VIII Международная научно-практическая конференция “Актуальные проблемы современных наук”.- Новости информационных технологий, Плзень.- Польша.- 2012.-c.67;

25. Ермаков А.С., Карташов Д.А., Рябова Л.В. Проблемы токов утечки в подзатворных МДП системах. Тезисы докладов конференции “Микроэлектроника и Информатика - 2013”.- Зеленоград, 2013;

26. Карташов Д.А. Исследование и оптимизация параметров метода роя частиц для минимизации многомерных функций. Тезисы докладов конференции “Микроэлектроника и Информатика - 2014”.- Зеленоград, 2014;

27. Погалов А.И., Угольников С.В., Карташов Д.А. Конструкторско-технологические расчёты экранирования блоков электронной аппаратуры. Научно-практическая конференция преподавателей “Практика внедрения интерактивных технологий в учебный процесс НИУ МИЭТ”. Тезисы докладов. – М.: МИЭТ, 2016.- С. 183-184. ISBN 978-5-7256-0840-3;