| Подразделение | Должность |
| Научно-исследовательская лаборатория электронной микроскопии (НИЛ ЭМИ) | с.н.с. |
| Институт физики и прикладной математики (ФПМ) | доцент |
Краткая биография
В 2012 году окончил бакалавриат на кафедре квантовой физики и наноэлектроники НИУ
МИЭТ по направлению «Нанотехнология».
В 2014 г. окончил магистратуру на кафедре квантовой физики и наноэлектроники НИУ
МИЭТ по направлению подготовки «Электроника и наноэлектроника» по программе
«Наногетероструктуры и приборы на их основе».
В 2018 г. защитил кандидатскую диссертацию с присуждением степени кандидата
физико-математических наук.
С 2010 г. по настоящее время – сотрудник МИЭТ.
Научная деятельность
Область научных интересов
Метод фокусированного ионного пучка, моделирование распыления материалов ионным пучком, растровая электронная микроскопия.
Публикации:
- Rumyantsev, A. V., Borgardt, N. I., Volkov, R. L., Chaplygin, Y. A. Study of silicon dioxide focused ion beam sputtering using electron microscopy imaging and level set simulation // Vacuum. – 2022. – V. 202. – P. 111128
- Rumyantsev, A. V., Borgardt, N. I., Prikhodko, A. S., Chaplygin, Y. A. (2021). Characterizing interface structure between crystalline and ion bombarded silicon by transmission electron microscopy and molecular dynamics simulations // Applied Surface Science. – 2021. – V. 540. – P. 148278.
- Rumyantsev, A. V., Borgardt, N. I. Prediction of surface topography due to finite pixel spacing in focused ion beam milling of circular holes and trenches // Journal of Vacuum Science & Technology B. – 2018. – V. 36. – №. 6. – P. 061802.
- Borgardt, N. I., Rumyantsev, A. V. Prediction of surface topography due to finite pixel spacing in FIB milling of rectangular boxes and trenches // Journal of Vacuum Science & Technology B. – 2016. – V. 34. – №. 6. – P. 061803