Зайцева Юлия Сергеевна кандидат физико-математических наук

Краткая биография

В 2017 г. окончила магистратуру НИУ МИЭТ по направлению подготовки «Электроника и наноэлектроника» по программе «Нанодиагностика материалов и структур».

В 2021 г. защитила диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 «Физика полупроводников».

С 2014 г. является сотрудником лаборатории электронно-микроскопических исследований МИЭТ.

В 2016 г. начала преподавательскую деятельность на кафедре общей физики.

Научная деятельность

Область научных интересов

Растровая и просвечивающая электронная микроскопия, фокусированный ионный пучок, электронно-микроскопические исследования материалов фазовой памяти на основе системы Ge-Sb-Te.

Основные публикации

- Sybina Yu.S., Borgardt N.I., Lazarenko P.I., Parsegova V.S., Prikhodko A.S., Sherchenkov A.A. Electron microscopic study of the influence of annealing on Ge-Sb-Te thin films obtained by vacuum thermal evaporation // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. – 2019. – Vol. 13, № 5. – P. 962-966.

- Zaytseva Y., Lazarenko P., Vorobyov Yu., Yakubov A., Borgardt N., Kozyukhin S., Sherchenkov A. Structure of the Ge2Sb2Te5 thin films near the inflection point of the resistivity temperature dependence // Chalcogenide letters. – 2020. – Vol. 17, № 2. – P. 41-47.

- Zaytseva Yu.S., Borgardt N.I., Prikhodko A.S., Zallo E., Calarco R. Electron microscopy study of surface islands in epitaxial layer grown on a silicon substrate // Crystallography Reports. – 2021. – Vol. 66, № 4. – P. 687-693.

- Sherchenkov A., Kozyukhin S., Borgardt N., Babich A., Lazarenko P., Sybina Y., Tolepov Zh., Prikhodko O. Multiple thermal cycling and phase transitions in Ge-Sb-Te materials // Journal of Non-Crystalline Solids. – 2018. – Vol. 501. – P. 101-105.

- Zallo E., Dragoni D., Zaytseva Y., Cecchi S., Borgardt N.I., Bernasconi M., Calarco R. Evolution of low-frequency vibrational modes in ultrathin GeSbTe films // Physica Status Solidi RRL. – 2021. – Vol. 15, № 3. – P. 2000434.

- Зайцева Ю.С., Боргардт Н.И., Приходько А.С., Zallo E., Calarco R. Электронно-микроскопические исследования структуры тонких эпитаксиальных слоев Ge2Sb2Te5, выращенных на подложке Si(111) // Известия вузов. Электроника. – 2021. – Т. 26, № 3-4. – С. 214-225.