| Подразделение | Должность |
| Институт перспективных материалов и технологий | доцент |
Краткая биография
Закончила Ульяновский государственный университет. В 2008 году присуждена квалификация бакалавра физики по направлению «Физика».
В 2010 году присуждена степень магистра физики по направлению «Физика».
В 2015 году окончила аспирантуру, защитив кандидатскую диссертацию на кафедре «Материалы функциональной электроники» Национального исследовательского университета «МИЭТ».
Научная деятельность
В качестве исполнителя и научного руководителя участвует в проведении НИР, результаты которых внедрены на предприятиях и в учебный процесс.
Научное направление: 05.27.06 – технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники.
Области научных интересов: кластеры серебра, плавление-диспергирование тонких пленок, сульфидизация, наноструктурированный кремний, гальваническое травление кремния.
Основные публикации:
1. Volovlikova O., Goroshko D., Lazorkina E., Gavrilov S., Volkova L., Poliakov M., Grishin T. FORMATION AND MORPHOLOGICAL EVOLUTION INVESTIGATION OF THE POROUS SILICON DECORATED WITH PT PARTICLES //Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects. 2024. Т. 683. С. 132988.
2. Volovlikova O.V., Gavrilov S.A. CONTROLLING THE ELECTRODE MORPHOLOGY AND SURFACE ENERGY TO MAKE ETHANOL FUEL CELLS BASED ON PD-ASSISTED ETCHED POROUS SILICON // Inorganic Materials: Applied Research. 2024. Т. 15. № 2. С. 296-306.
3. Silakov G.O., Lazorkina E.N., Gavrilov S.A., Volovlikova O.V., Zheleznyakova A.V., Dudin A.A. INVESTIGATION OF THE REACTIVE CAPABILITY OF THE POR-SI/PD STRUCTURE IN RELATION TO ETHANOL VAPOR // Russian Microelectronics. 2023. Т. 52. № 7. С. 572-576.
4. Силаков Г.О., Лазоркина Е.Н., Гаврилов С.А., Воловликова О.В., Железнякова А.В., Дудин А.А. ИССЛЕДОВАНИЕ РЕАКЦИОННОЙ СПОСОБНОСТИ СТРУКТУРЫ POR-SI/PD ПО ОТНОШЕНИЮ К ПАРАМ ЭТАНОЛА // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2023. Т. 28. № 1. С. 7-16.
5. Воловликова О.В., Гаврилов С.А. УПРАВЛЕНИЕ МОРФОЛОГИЕЙ И ПОВЕРХНОСТНОЙ ЭНЕРГИЕЙ ЭЛЕКТРОДА ДЛЯ СОЗДАНИЯ ЭТАНОЛЬНЫХ ТОПЛИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, СФОРМИРОВАННОГО PD-СТИМУЛИРОВАННЫМ ТРАВЛЕНИЕМ // Перспективные материалы. 2023. № 7. С. 10-22.
6. Воловликова О.В., Силаков Г.О., Лазаренко П.И., Гаврилов С.А. ВЛИЯНИЕ PH И ТЕМПЕРАТУРЫ ЭТАНОЛА НА ЕГО ФОТОКАТАЛИТИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ НА СТРУКТУРАХ POR-SI/PD // Нано- и микросистемная техника. 2023. Т. 25. № 6. С. 279-287.
7. Силаков Г.О., Воловликова О.В., Лазоркина Е.Н. ФОРМИРОВАНИЕ СТРУКТУР ШОТТКИ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, МОДИФИЦИРОВАННОГО НАНОЧАСТИЦАМИ PD, ДЛЯ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ ПАРОВ АММИАКА // В сборнике: Международная научно-практическая конференции им. Д.И. Менделеева, посвященная 90-летию профессора Р.З. Магарила. Материалы конференции. Отв. редактор А.Н. Халин. Тюмень, 2022. С. 151-154.
8. Volovlikova O., Shilyaeva Y., Silakov G., Gavrilov S., Fedorova Y., Maniecki T. TAILORING POROUS/FILAMENT SILICON USING THE TWO-STEP AU-ASSISTED CHEMICAL ETCHING OF P-TYPE SILICON FOR FORMING AN ETHANOL ELECTRO-OXIDATION LAYER // Nanotechnology. 2022. Т. 33. № 23. С. 235302.
9. Volovlikova O.V., Silakov G.O., Gavrilov S.A., Lazorkina E.N. MORPHOLOGY EVOLUTION OF MESOPOROUS SILICON POWDER FORMED BY PD-ASSISTED CHEMICAL ETCHING AT TEMPERATURES OF 25 - 75 °C // St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. 2022. Т. 15. № S3.1. С. 93-100.
10. Бардушкин В.В., Шиляева Ю.И., Кочетыгов А.А., Воловликова О.В., Дронов А.А., Яковлев В.Б. МОДЕЛИРОВАНИЕ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО МЕХАНИЧЕСКОГО ПОВЕДЕНИЯ ВОДОСОДЕРЖАЩЕГО ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ // Тепловые процессы в технике. 2021. Т. 13. № 4. С. 171-179.
11. Volovlikova O., Gavrilov S., Goroshko D., Chusovitin E., Pavlikov A., Dudin A. FORMATION MECHANISMS AND PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF SELF-ORGANIZED POROUS SI/SIO2 STRUCTURES FORMED BY ELECTROCHEMICAL ETCHING OF N-TYPE OF SI // Materials Science in Semiconductor Processing. 2020. Т. 120. С. 105268.
12. Воловликова О.В., Гаврилов С.А., Горошко Д.Л., Чусовитин Е.А., Павликов А.В., Дудин А.А. FORMATION MECHANISMS AND PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF SELF-ORGANIZED POROUS SI/SIO2 STRUCTURES FORMED BY ELECTROCHEMICAL ETCHING OF N-TYPE OF SI // Materials Science in Semiconductor Processing. 2020. Т. 120. № 2020. С. 105268.
13. Silakov G.O., Volovlikova O.V., Gavrilov S.A., Zheleznyakova A.V., Dudin A.A. INFLUENCE OF THE FORMATION TEMPERATURE OF THE MORPHOLOGY OF POR-SI FORMED BY PD-ASSISTED CHEMICAL ETCHING // Semiconductors. 2020. Т. 54. № 8. С. 890-894.
14. Бардушкин В.В., Кочетыгов А.А., Шиляева Ю.И., Воловликова О.В. ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ЗНАЧЕНИЙ СРЕДНИХ НАПРЯЖЕНИЙ ПРИ ФАЗОВОМ ПЕРЕХОДЕ ЛЕД-ВОДА В МЕЗОПОРИСТЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 233...273 К // Сборка в машиностроении, приборостроении. 2020. № 8. С. 362-366.
15. Бардушкин В.В., Кочетыгов А.А., Шиляева Ю.И., Воловликова О.В., Дронов А.А. ОБЪЕМНАЯ ПЛОТНОСТЬ ЭНЕРГИИ ДЕФОРМАЦИИ В СИСТЕМЕ МЕЗОПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ - СОРБИРОВАННАЯ ВОДА В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 233-273 К // Тепловые процессы в технике. 2020. Т. 12. № 5. С. 225-232.
16. Volovlikova O., Gavrilov S., Lazarenko P. INFLUENCE OF ILLUMINATION ON POROUS SILICON FORMED BY PHOTO-ASSISTED ETCHING OF P-TYPE SI WITH A DIFFERENT DOPING LEVEL // Micromachines. 2020. Т. 11. № 2. С. 1-15.
17. Bardushkin V., Kochetygov A., Shilyaeva Y., Volovlikova O., Dronov A., Gavrilov S. PECULIARITIES OF LOW-TEMPERATURE BEHAVIOR OF LIQUIDS CONFINED IN NANOSTRUCTURED SILICON-BASED MATERIAL // Nanomaterials. 2020. Т. 10. № 11. С. 1-15.
18. Shilyaeva Y., Volovlikova O., Smirnov D., Volkova A., Sysa A., Mikhailova M., Gavrilov S. THERMAL AND KINETIC ANALYSES OF SILICIDE FORMATION AT NANOSTRUCTURED SI/NI INTERFACE // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. 2019. Т. 138. № 3. С. 2339-2345.
19. Volovlikova O.V., Gavrilov S.A., Silakov G.O., Zheleznyakova A.V., Dudin A.A. PREPARATION OF HYDROPHOBIC POROUS SILICON BY METAL-ASSISTED ETCHING WITH PD-CATALYST // Russian Journal of Electrochemistry. 2019. Т. 55. № 12. С. 1186-1195.
20. Volovlikova O., Silakov G., Gavrilov S., Maniecki T., Dudin A. INVESTIGATION OF THE PD NANOPARTICLES-ASSISTED CHEMICAL ETCHING OF SILICON FOR ETHANOL SOLUTION ELECTROOXIDATION // Micromachines. 2019. Т. 10. № 12. С. 872.
21. Bulyarskii, S.V. Thermodynamics of the formation of catalyst clusters for carbon nanotube growth / S.V. Bulyarskii, O.V. Pyatilova, A.V. Tsygantsov, A.S. Basaev, V.A. Galperin, A.A. Pavlov, Y.P. Shaman / Semiconductors. - 2010. - Т. 44. - № 13. - С. 1718-1722.
22. Булярский, С.В. Расчет параметров нуклеации кластеров катализаторов для синтеза углеродных нанотрубок / С.В. Булярский, О.В. Пятилова, А.В. Цыганцов, А.С. Басаев, В.А. Галперин, А.А. Павлов, Ю.П. Шаман // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2010. –№3(83). –С. 38-43.
23. Булярский, С.В. Гомогенное и гетерогенное формирование кластеров катализаторов для роста углеродных нанотрубок / С.В. Булярский, А.С. Басаев, В.А. Галперин, А.А. Павлов, О.В. Пятилова, А.В. Цыганцов, Ю.П. Шаман // Нано- и микросистемная техника. –2010. –№7(120). –С. 2-8.
24. Пятилова, О.В. Формирование наноструктур Ag/Ag2S для элементов резистивной памяти на поверхности SiO2 и Cu/C / О.В. Пятилова, А.В. Сыса, А.Н. Белов, А.А. Раскин // Нанотехника.–2012.–№3 (31). – С. 60-63.
25. Gromov, D. G. Specific Features of the Formation of Arrays of Silver Clusters from a Thin Film on a SiO2 Surface / D. G. Gromov, O. V. Pyatilova, S. V. Bulyarskii, A. N. Belov, A. A. Raskin // Physics of the Solid State. – 2013. – Vol. 55. – № 3. – P. 619–623.
26. Belov, A.N. Study of silver cluster formation from thin films on inert surface / A. N. Belov, S.V. Bulyarsky, D.G. Gromov, L.M. Pavlova, O.V. Pyatilova // Calphad.-2014.-Vol.44.-P.138-141.
27. Pyatilova, O.V. Role of Ag+ ion concentration on metal-assisted chemical etching of silicon / O.V. Pyatilova, S.A. Gavrilov, A.A. Dronov, Ya.S. Grishina, A.N.Belov // Solid State Phenomena. - 2014. - Vol. 213. –Р.103-108.
28. Pyatilova, O. Nanostructured chalcogenide materials for memory switching devices / O. Pyatilova; S. Gavrilov; R. Rozanov; A. Zheleznyakova; A. Belov; V. Shevyakov // Proc. SPIE 9440, International Conference on Micro- and Nano-Electronics. – 2014. – Vol.9440.- P.944007-1-944007-9.
29. Zhigalov, V. Reversible and non-reversible changes in nanostructured Si in humid atmosphere / O. Pyatilova; S. Timoshenkov; S. Gavrilov // Proc. SPIE 9440, International Conference on Micro- and Nano-Electronics. - 2014.- Vol.9440.-P.94400B-1-94400B-8.
30. Пятилова О.В., Сыса А.В., Гаврилов С.А., Якимова Л.В., Павлов А.А., Белов А.Н., Раскин А.А. Влияние переноса ионов Ag+ на локализацию металл-стимулированного травления поверхности кремния // Известия ВУЗов. Электроника. - 2015. – Т.20. - №6. – С.582-590.
31. O. V. Pyatilova, A.V. Sysa, S.A. Gavrilov, L.V. Yakimova, A.A. Pavlov , A.N. Belov, and A.A. Raskin Effect of Ionic Ag+ Transfer on Localization of Metal-Assisted Etching of Silicon Surface // SEMICONDUCTORS. -2016. - Vol. 50. - No. 13. –Р. 1724-1729.
32. Pyatilova O., Gavrilov S., Sysa A., Savitskiy A., Shuliatyev A., Dudin A., Pavlov A. Metal-assisted chemical etching of silicon with different metal films and clusters: a review // Proc. SPIE - 2016. - Vol. 10224. - P.1022405-1-1022405-7.
33. Shilyaeva Yu., Pyatilova O., Berezkina A., Sysa A., Dudin A., Smirnov D., Gavrilov S. Investigation of the phase formation from nickel coated nanostructured silicon // Proc. SPIE - 2016. - Vol. 10224. - P.102240E-1-102240E-5.
34. Boyko A.N., Pyatilova O.V., Kalmykov R.M., Gaev D.S., Timoshenkov S.P., Gavrilov S.A. Study of morphological characteristic of por-Si formed using metal-assisted chemical etching by BET-method and fractal geometry // Proc. SPIE - 2016. - Vol. 10224. - P.102240H-1-102240H-6.
35. O. V. Pyatilova, S. A. Gavrilov, Yu. I. Shilyaeva, A. A. Pavlov, Yu. P. Shaman, and A. A. Dudin Influence of the Doping Type and Level on the Morphology of Porous Si Formed by Galvanic Etching // Semiconductors, 2017, Vol. 51, No. 2, pp. 173–177.
36. Volovlikova, O.V., Gavrilov, S.A., Sysa, A.V., Savitskiy, A.I., Berezkina, A.Yu. Ni-activated photo-electrochemical formation of por-Si in HF/H2O2/H2O Solution (2017) Proceedings of the 2017 IEEE Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference, ElConRus 2017, статья № 7910779, pp. 1213-1216.
37. O. Pyatilova, S. Gavrilov, A. Savitskiy, A. Dudin, A. Pavlov, Yu. Shilyaeva Investigation of porous Si formed by metal-assisted chemical etching with Au as catalyst IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series 182394 (526071879) 0012006 doi:10.1088/1742-6596/829/1/012006, рр.1 -6.
38. ВОЛОВЛИКОВА О.В., ГАВРИЛОВ С.А., СЫСА А.В., САВИЦКИЙ А.И., ДРОНОВА Д.А., ЖЕЛЕЗНЯКОВА А.В., ПАВЛОВ А.А. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ МЕТАЛЛ-СТИМУЛИРОВАННОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТОНКИХ ПЛЕНОК AG И NI ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ 3D-СТРУКТУР SI // Нано и микросистемная техника Том: 19, Номер: 11, Год: 201, Страницы: 658-666 DOI: 1017587/nmst.19.658-666
39. OV Volovlikova, G O Silakov, S A Gavrilov, A A Dudin, G O Diudbin, Y I Shilyaeva Investigation of the Morphological Evolution and Etching Kinetics of black Silicon During Ni- Assisted Chemical Etching // IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series 987 (2018) 012039 (doi :10.1088/1742-6596/987/1/012039)
40. O V Volovlikova, Y I Shilyaeva, A Y Berezkina, D I Smirnov and S A Gavrilov Investigation of the phase formation from Ni modified nanostructured silicon // IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series 987 (2018) 012035 (doi:10.1088/1742-6596/987/1/012035).
41. O.V. Volovlikova, S.A. Gavrilov, P.I. Lazarenko, A.V. Kukin, A.A. Dudin, A.K. Tarhanov Influence of etching regimes on the reflectance of black silicon films formed by Ni-assisted chemical etching // Key Engineering Materials, Vol. 806, pp 24-29.
42. Yulia Shilyaeva, Olga V Volovlikova, K. Poyarkov, S. A. Gavrilov Characterization of Mesoporous Silicon Using DSC Thermoporometry // International Journal of Nanoscience.- 2019. – Vol.18. - №3-4. - P1940073-1-1940073-4.