Старая версия сайта доступна по ссылке http://old.miet.ru Перейти
  
  
  
  
Итальянцев Александр Георгиевич доктор физико-математических наук, профессор

Краткая биография

Общий стаж работы 40 лет, стаж научной работы 40 лет, в том числе 4 года в учреждениях высшего образования (МФТИ), научный руководитель нескольких успешно защищенных диссертационных работ.

Основное место работы – начальник отдела в АО «НИИ Молекулярной электроники». До этого долгое время работал в НИИ «Пульсар», ИПТМ РАН (Черноголовка).

На базовой кафедре микро- и наноэлектроники МФТИ разработал и читает курс «Физика полупроводников и процессов в монокристаллическом кремнии» для бакалавров и магистров, обучающихся по направлению «Прикладная математика и физика». Член комиссии по защите дипломных проектов и магистерских диссертаций базовой кафедры. Научный руководитель дипломных проектов и магистерских диссертаций студентов МФТИ.

В настоящее время осуществляет научное руководство 4 аспирантами, 2 бакалаврами, одним соискателем.

Имеет более 100 научных публикаций, включая патенты.

Читаемые курсы

  • Проектирование и технология электронно-компонентной базы

Научная деятельность

Научная специальность/направление: 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», профиль «Автоматизация проектирования изделий наноэлектроники»

Области научных интересов:

  • Физика полупроводников. Дефекты в кристаллах
  • Физика технологических процессов кремниевой микроэлектроники
  • Радиофотоника, пьезоэлектроника

Перечень основных публикаций

  1. Italyantsev A.G. Solid-phase reaction on silicon surface. Accompanying processes. J. Appl. Phys., 1996, v. 79 (5), p.2369-2375.
  2. Italyantsev A.G., Kuznetsov A.Yu. Point defects generation during the solid phase epitaxial silicides growth. J. Appl. Surf. Sci., 1993, v. 73, p.203
  3. Italyantsev A.G., Kuznetsov A.Yu. Possible mechanism of the stress evolution and point defects generation during the solid phase epitaxial silicides growth. Mat. Res.Soc.Symp.Proc., 1994, v.238, pp.90-96.
  4. Italyantsev A.G., Kuznetsov A.Yu. Point defects generation at the silicon-growing silicide layer interface. Proc. Thir. Int.Conf. «Metallization in ULSI Application», Murray Hill, NJ, 1991, pp.181-187.
  5. Italyantsev A.G., Kuznetsov A.Yu. Vacancy flux enhanced diffusion of Sb in n+-n-Me structures during surface silicides formation: new experimental data and quantitative model. MRS Spring Meeting, 1992, p.91.
  6. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н. Трансформация размеров кластеров собственных точечных дефектов в полупроводниках. Физика и техника полупроводников, 1983, т.17, в.2, с.217-222.
  7. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н. Эмиссионная модель аннигиляции агломератов точечных дефектов в условиях быстрого нагрева кристалла. Журнал технической физики, 1983, т.53, в.5, с.937-939.
  8. Мордкович В.Н., Итальянцев А.Г., Кузнецов А.Ю., Краснобаев Л.Я. Взаимное влияние отжига ионно-имплантированных слоев и образования силицидов металлов. В сб.: Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация материалов», Черноголовка, 1987, с.129.
  9. Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Кузнецов А.Ю., Мордкович В.Н. Стимулированный отжиг ионно-имплантированного кремния при твердофазной реакции силицидообразования металлов. Письма в Журнал технической физики, 1988, т.14, в.13, с.1178-1182.
  10. Italyantsev A.G., Kuznetsov A.Yu. Computer simulation of the point defects distribution, injected into silicon through the advancing silicide-silicon interfase. CAMCE-92, 1992, p.127, Yokogava, Japan.
  11. Мордкович В.Н., Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Кузнецов А.Ю. Особенности формирования силицидов металлов при сильном пересыщении кристалла собственными точечными дефектами. В сб.: XII Всесоюзная конференция по микроэлектронике, Тбилиси, 1987, т.VII, с. 71-72.
  12. Buravlev A.V., Vjatkin A.F., Italyantsev A.G., Krasnobaev L.Y., Mordkovich V.N. Solid phase epitaxial regrowth of amorphus ion implanted Si layers in the presence of point defects flow. Nuclear Instruments and Metods in Physics Research, B39 (1989), pp.366-369.
  13. Buravlev A.V., Vjatkin A.F., Italyantsev A.G., Krasnobaev L.Y., Mordkovich V.N. Solid phase epitaxial regrowth of amorphus ion implanted Si layers in the presence of point defects flow. Thesises of Reports International Conf. IBMM-88, Japan.
  14. Buravlev A.V., Italyantsev A.G., Krasnobaev L.Y., Mordkovich V.N., Vjatkin A.F. Solid-phase regrowth of amorphus silicon layers in the presence of the point defect flux. NIM B39, 1989. p.366
  15. Buravlev A.V., Italyantsev A.G., Vasin A.S. A new solid-phase recrystallisation effect of ion amorfphized Si under high pressure. Internation Conference on ion implantation and ion beam equipment (I3BE), 1990, Elenita, Bulgaria.
  16. Итальянцев А.Г., Кузнецов А.Ю., Пантелеев В.А. Экзоэлектронная эмиссия с поверхности кремния, стимулированная образованием силицидов металлов. Эффект дальнодействия. Письма в Журнал технической физики, т.15, вып.11, 1989, с.27-30.
  17. Итальянцев А.Г. Генерация вакансий, стимулированная химическим травлением поверхности кристалла. Поверхность, 1991, в.10, с.122-127.
  18. Омельяновская Н.М., Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Астахова Е.Ф. Глубокие уровни в n-Si, вводимые при высокотемпературном газовом травлении. ФТП, т.23, в.8, 1989, с.1503-1505
  19. Омельяновская Н.М., Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Астахова Е.Ф. Образование глубоких уровней в р-Si при газовом травлении в хлорсодержащей атмосфере. ФТП, т.24, в.11, 1990, с.2040-2043.
  20. Итальянцев А.Г., Лойко Н.Н. Эффект фотостимулированной диффузии примеси в объеме кремния. Письма в Журнал технической физики, т.20, вып.23, 1994, с.26-29.
  21. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н., Темпер Э.М. О роли атермических процессов в импульсном отжиге ионно-имплантированных слоев кремния. Физика и техника полупроводников, в.5, 1984, с.928-930.
  22. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н., Ерохин Ю.Н. Роль индуцированных светом электрических полей в фотостимулированных перестройках радиационных дефектов в полупроводниках. В сб.: Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация материалов», Черноголовка, 1987, с.127.
  23. Ерохин Ю.Н., Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н. Новый механизм ионизационно-стимулированного воздействия на радиационные дефекты в имплантированных полупроводниках. Письма в Журнал технической физики, 1988, т.14, в. 9, с.835-838.
  24. Italyantsev A.G., Mordkovich V.N. Photoinduced defect rearrgement in ion-implanted silicon. International Conf. E-MRS-87, Strasbourg, France, 1987, p.A-1.5.
  25. Итальянцев А.Г. Взаимодействие собственных точечных дефектов с их кластерами в элементарных полупроводниках при внешних воздействиях. В сб.: «VI Конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок», Новосибирск, 1982, т.II, с.19-20.
  26. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н., Смульский А.С., Темпер Э.М. Химическая стимуляция перестройки дефектов в кремнии. В сб.: Всесоюзная конференция по радиационной физике полупроводников и родственных материалов, Ташкент, 1984, с.179.
  27. Итальянцев А.Г., Михайлов Г.Б., Мордкович В.Н. О трансформации дефектов структуры в ионно-имплантированных полупроводниках при импульсном отжиге. В сб.: «7 Международная конференция по ионной имплантации в полупроводниках и других материалах», Вильнюс, 1983, с.127-128.
  28. Смульский А.С., Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н. Новая методика ликвидации ростовых и технологически вносимых дефектов структуры кремния при создании ПЗС. В сб.: «Приборы с зарядовой связью. Технология и применение», Москва, 1983, с.32-33.
  29. Смульский А.С., Итальянцев А.Г., Авдеев И.И., Мордкович В.Н. Термообработка кремния и проблема ликвидации дефектов его структуры при создании полупроводниковых приборов и ИС. Электронная техника, 1983, сер.2, в.3/162/, с.62-69.
  30. Итальянцев А.Г. Условия легирования полупроводников неравновесными термохимическими вакансиями. В сб.: Всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования. Москва, 1988.
  31. Вяткин А.Ф., Итальянцев А.Г., Копецкий Ч.В., Мордкович В.Н., Темпер Э.М. Перестройки дефектов структуры полупроводников, стимулированные химическими реакциями на поверхности кристалла. Поверхность, 1986, №11, с.67-72.
  32. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н. Ускоренный распад кластеров собственных точечных дефектов при импульсном нагреве кристалла. Препринт ИПТМ АН СССР.
  33. Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Кузнецов А.Ю., Омельяновская Н.М., Хмельницкий С.Г. Эффекты в полупроводниках при введении неравновесных вакансий. Электронная техника, сер.6, вып.4(241), 1989, с.43-48.
  34. Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Кузнецов А.Ю., Мордкович В.Н., Хмельницкий С.Г. Эффекты в полупроводниках при введении неравновесных вакансий. В сб.: Всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования. Москва, 1988.
  35. Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М., Пащенко П.Б. Влияние предварительно сформированного фона собственных дефектов на характеристики ионно-имплантированных полупроводников. В сб.: Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация материалов», Черноголовка, 1987, с.132.
  36. Italyantsev A.G., Mordkovich V.N. Peculiarities of defect rearrgement in semiconductor structure upon pulse photon annealing. International Conf. EPM-87, Dresden, GDR, 1987, p.4.15.
  37. Italyantsev A.G., Mordkovich V.N., Krasnobaev L.Y. The effect of chemical action on the impurity behavior in highly irradiated in implanted layers. International Conferenc EPM-87, Dresden, GDR, 1987, p.10.7.
  38. Курбаков А.И., Трунов В.А., Рубинова Э.Э. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н., Смульский А.С., Вахрушев С.Б., Квятковский Б.Е. Авторское свидетельство №1195831 с приоритетом от 07.04.1984. Способ изготовления монохроматоров тепловых нейтронов из монокристаллического кремния.
  39. Смульский А.С., Мордкович В.Н., Итальянцев А.Г. Авторское свидетельство № 820528, приоритет от 21.12.1979. Способ создания структур Si-SiO2.
  40. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н., Смульский А.С., Енишерлова К.Л., Иноземцев С.А. Авторское свидетельство №1088593 с приоритетом от 19.11.1982. Способ термообработки кремния и кремниевых структур.
  41. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н. Термохимические воздействия – эффективный метод управления свойствами полупроводниковых материалов приборных структур. Электронная промышленность, 1988, №4, с.19-20
  42. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н., Вяткин А.Ф., Копецкий Ч.В., Пащенко П.Б. Авторское свидетельство с приоритетом от 18.11.1986. Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического GaAs.
  43. Итальянцев А.Г., Митюхляев В.Б., Пащенко П.Б., Файфер В.Н. Свойства ионно-легированных слоев GaAs, подвергнутого предварительному термохимическому воздействию. В сб.: Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация материалов», Черноголовка, 1987, с.130.
  44. Italyantsev A.G., Mordkovich V.N. Chemical stimulated defect rearrgement in GaAs structure. International Conf. E-MRS-87, Strasbourg, France, 1987, p.B-1.6.
  45. Аветесян Г.Х., Кузнецов Ю.А., Итальянцев А.Г. Авторское свидетельство №257176 с приоритетом от 27.03.1986. Способ изго-товления мишеней видиконов на основе фосфида галлия.
  46. Итальянцев А.Г., Митюхляев В.Б., Пащенко П.Б., Файфер В.Н. Влияние химически стимулированного введения вакансий в GaAs на свойства ионно-легированных кремнием слоев. Поверхность, 1988, №11, с.93-98.
  47. Итальянцев А.Г. Эффекты в кремнии, обусловленные химическими реакциями на его поверхности. В сб.: « 5 Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностике кремния, нанолегированных структур и приборов на его основе. «Кремний – 2008», Черноголовка, 2008, с.159.
  48. Enisherlova K.L., Italyantsev A.G., Tkacheva T.M., The termodynamical model of the internal guttering in Si. “Silicon 2008”, Czech Republic, 2008, c.257-269.
  49. Italyantsev A.G.; Kuznetsov A.Y., Excess vacancy generation in silicon during surface silicide formation applied surface science, nov 1993
  50. Erokhin Y.N., Italyantsev A.G., Mordkovich V.N. new mechanism of ionization-stimulated effect on radiation defects in implanted semiconductors pisma v zhurnal tekhnicheskoi fiziki, may 12 1988
  51. Italyantsev A.G., Krasnobaev L.Y., Kuznetsov A.Y. et al. stimulated annealing of ion-implanted silicon under solid-phase reaction of silicide-formation pisma v zhurnal tekhnicheskoi fiziki, published: jul 12 1988
  52. Dashevskii M.Y., Lymar S.G., Dokuchaeva A.A. et al. Influence of germanium on the behavior of oxygen in silicon inorganic materials, nov 1985
  53. Italyantsev A.G.; Mordkovich V.N. Transformation of the size of clusters of intrinsic point-defects in semiconductors soviet physics semiconductors, 1983
  54. Italyantsev A.G., Loiko N.N. Effect of photo-stimulated diffusion of admixture in silicon volume pisma v zhurnal tekhnicheskoi fiziki, dec 12 1994
  55. Erokhin Y.N., Italyantsev A.G.; Malinin A.A. et al. Defects in silicon implanted simultaneously with additional ionization radiation effects and defects in solids, 1994
  56. Italyantsev A.G., Kurbakov A.I., Mordkovich V.N. et al. Influence of neutron-irradiation and annealing on the properties of germanium-doped silicon soviet physics semiconductors-ussr, may 1988
  57. Italyantsev A.G., Mordkovich V.N., Temper E.M., Role of athermal processes in pulsed annealing of ion-implantation-doped si films soviet physics semiconductors-ussr, 1984
  58. Italyantsev A.G., Mordkovich V.N., An emission model of annihilation of point-defects agglomerates in conditions of the crystal fast heating, zhurnal tekhnicheskoi fiziki, 1983
  59. Italyantsev A.G., Basic processes accompanying solid-phase reactions on the silicon surface journal of applied physics, mart 1996
  60. Omelyanovskaya N.M., Italyantsev A.G., Krasnobaev L.Y. et al., Formation of deep levels in p-type si as a result of etching with a gas in an atmosphere containing chlorine soviet physics semiconductors-ussr, nov 1990
  61. Omelyanovskaya N.M., Italyantsev A.G., Krasnobaev L.Y. et al., Deep levels in n-type si introduced by high-temperature gas etching soviet physics semiconductors-ussr, aug 1989
  62. Italyantsev A.G., Kuznetsov A.Y., Panteleev V.A. Stimulated by formation of metal silicides exoelectronic emission from silicon surface - remote-control effect pisma v zhurnal tekhnicheskoi fiziki, jun 12 1989
  63. Buravlyov A.V., Italyantsev A.G., krasnobayev, zy; et al. solid-phase regrowth of amorphous-silicon layers in the presence of the point-defect flux nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, mar 1989
  64. А.Г. Итальянцев, Е.С. Горнев, Ю.В. Шульга «Способ изготовления мембранных структур» Патент на изобретение №2422942 от 25.12.2009 г. (опубликован 27.06.2011)
  65. Нерсесов С.С., Итальянцев А.Г., Шульга Ю.В. «Многослойные и мембранные пьезоэлектрические преобразователи и область их применения» VII международная научно-техническая конференция «Инновационные процессы пьезоэлектрическго приборостроения и нанотехнологий», 2010 г.
  66. Ю.К. Фетисов, Д.В. Чашин, С.В. Лебедев, А.Г. Сегалла, А.Г. Итальянцев, Е.С. Горнев «Пьезоэлектрический датчик магнитного поля на основе планарной биморфной структуры» Нано- и мокросистемная техника, рубрика «Элементы микро- и наносистемной техники», №4, стр.45-48
  67. Ю.В. Шульга, А.Г. Итальянцев, Ю.К. Фетисов, Д.В. Чашин «Магниточувствительные структуры на основе пьезокерамических преобразователей изгибного типа», Тезисы докладов XIX Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков, 2011 г., стр. 279.
  68. Ю.В. Шульга, А.Г. Итальянцев, Митюхляев В.Б. Размерный эффект поликристаллической структуры в гомогенных пьезокерамических мембранных элементах Тезисы докладов XIX Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков, 2011 г
  69. А.Г. Итальянцев, Шульга Ю.В., Н.О. Мамкина, Е.И. Каплунова Магниточувствительные твердотельные гетероструктуры на основе пьезокерамических и магнитострикционных элементов, Вестник ТвГУ. Серия «Физика». 2011. Выпуск 15, стр.34-43
  70. А.Г. Итальянцев, Шульга Ю.В., Н.О. Мамкина, Эскизные проекты магнитоэлектрических преобразователей постоянных и медленно изменяющихся магнитных полей Вестник ТвГУ. Серия "Физика". 2012. Выпуск 16, стр. 4-14
  71. А.Г. Итальянцев, Шульга Ю.В., Ю.К. Фетисов, Д.В. Чашин Широкополосный низкочастотный датчик магнитного поля Формула полезной модели №118071 От 11 апреля 2012 г.
  72. Горнев Е.С., Орлов О.М., Янович С.И., Смирнов В. ,Итальянцев А.Г. Effect of Abnormal Distribution At Low Temperature Anneal Of Highly Doped Shallow Layers Доклад на конференции SCTIC-2012 и “Semicon China 2012 19-21 марта 2012, г.Шанхай, КНР
  73. Андрюшин О.Ф., ФГУП «НПП «Дельта», Итальянцев А.Г. ОАО «НИИМЭ», Линкевич А.В. ФГУП «НИМИ» Перспективы использования пьезоэлектрических преобразователей в высокоточных боеприпасах ствольной и реактивной артиллерии, Журнал «Боеприпасы и спецхимия» -№4 – М. 2012 - стр.210-219
  74. Андрюшин О.Ф., ФГУП «НПП «Дельта», Итальянцев А.Г. ОАО «НИИМЭ» Пассивная навигация на основе пьезоэлектрических датчиков в системах боеприпасов ствольной и реактивной артиллерии Материалы III Всероссийской научно-технической конференции «Информационно-измерительные и управляющие системы военной техники» - 2012 – с.13-15 г.Владимир, 2012 г
  75. Итальянцев А.Г., Фетисов Ю.К., Чашин Д.В., Шульга Ю.В Датчик постоянного магнитного поля на основе пьезоэлектрического преобразователя и многовиткового контура с током, Журнал «Нано- и микросистемная техника» № 6 (143) стр.41-45, 2012 г
  76. Тихонов Е.П., Итальянцев А.Г., Шульга Ю.В, Константинов В.С. МЭМС датчики угловых скоростей Труды 56-й научной конференции МФТИ Всероссийская научная конференция «Актуальные проблемы фундаментальных и прикладных наук в современном информационном обществе» Всероссийская молодежная научно-инновационная конференция «Физико-математические науки: актуальные проблемы и их решения» 25-30 ноября 2013 г.
  77. Константинов В.С., Итальянцев А.Г., Шульга Ю.В. Принципы построения сегнетоэлектрической памяти с акустическим считыванием Труды 56-й научной конференции МФТИ Всероссийская научная конференция «Актуальные проблемы фундаментальных и прикладных наук в современном информационном обществе» Всероссийская молодежная научно-инновационная конференция «Физико-математические науки: актуальные проблемы и их решения» 25-30 ноября 2013 г.
  78. Г.В. Баранов А.Г. Итальянцев, Физические особенности формирования субмикронных ионно-легированных областей Труды 56-й научной конференции МФТИ, 2013 г
  79. И.Ю. Зюльков, А.Г. Итальянцев, Энергия локальных упругих напряжений в кристалле при формировании объемных зародышей новой фазы, Труды 56-й научной конференции МФТИ, 2013 г.