Сагунова Ирина Владимировна кандидат технических наук

Краткая биография

В 2006 году окончила факультет Электроники и компьютерных технологий МИЭТа.

В МИЭТе работает с 2004 года.

С 2010 года кандидат технических наук.

Читаемые курсы

  • Основы технологии электронной компонентной базы
  • Технологические процессы наноэлектроники

Научная деятельность

Область научных интересов: сканирующий зондовый микроскоп, атомно-силовая микроскопия, нанолитография, локальное зондовое окисление.

Автор 27 научных трудов.

Статьи за 2009-2014 годы:

1. Артемова Е.В, Гаврилов С.А., Назаркин М.Ю, Сагунова И.В. Исследование особенностей роста нанокристаллов оксида цинка из водных растворов для создания тонкопленочных солнечных элементов / / Известия вузов. Сер. Электроника. 2009, № 2, с.35-41.

2. Белов А.Н., Гаврилов С.А., Сагунова И.В., Тихомиров А.А. Чаплыгин Ю.А., Шевяков В.И. Тестовая структура для определения радиуса кривизны микромеханических зондов сканирующей силовой микроскопии // Российские нанотехнологии. 2010, № 5-6, с. 95-98.

3. Белов А.Н., Гаврилов С.А., Сагунова И.В., Шевяков В.И. Кинетика локального зондового окисления сверхтонких пленок металлов V, Nb, Ta, Ti, TiN, W // Известия вузов. Сер. Электроника. 2010, № 3, с. 13-19.

4. Белов А.Н., Гаврилов С.А., Лемешко С.В., Сагунова И.В., Чаплыгин Ю.А., Шевяков В.И. Исследование функциональных возможностей сканирующей электропроводящей микроскопии // Известия вузов. Сер. Электроника. 2010 (принята в печать).

5. ArtemovaE. V., GavrilovS. A., NazarkinM. Yu., Sagunova I.V.. Analysis of Specific Growth Features of Zinc Oxide Nanocrystals from Aqueous Solutions to Fabricate ThinFilm Solar Cells // Semiconductors. 2009, vol. 43, № 13, pp. 1657–1659.

6. I. V. Sagunova, V. I. Shevyakov, S. A. Gavrilov, and A. N. Belov. Kinetics of Local Probe Oxidation of Ultrathin V, Nb, Ta, Ti, TiN, and W Metal Films. Semiconductors, 2010, Vol. 44, No. 13, pp. 1709–1713.

7. Belov A.N., Gavrilov S.A., Sagunova I.V., Tikhomirov A.A., Chaplygin Yu.A., Shevyakov V.I.Test stucture to determine tip sharpness of micromechanical probes of scaning force microscopy // Nanotechnologies in Russia. 2010, vol. 5, № 5-6, p. 377-381.

8. Положительное. решение по заявке на изобретение № 2009135890 от 20.05.2010. Рощин В.М., Сагунова И.В., Силибин, М.В., Шевяков В.И. Способ формирования тонких пленок карбида вольфрама.