МИЭТ

Национальный
исследовательский
университет

Орден трудового красного знамени
Рейтинг QS

National Research University of
Electronic Technology

Версия для слабовидящих Версия для печати Поиск по сайту На гланую страницу сайта
Авторизация

Лазаренко Петр Иванович

кандидат технических наук
Лазаренко Петр Иванович
Телефон: (499) 720-87-32
E-mail: mfh.miet@gmail.com
Аудитория: 4137

ПодразделениеДолжность
Кафедра материалов функциональной электроникистарший преподаватель

Краткая биография

В 2009 году присуждена квалификация бакалавра техники и технологии по направлению «Электроника и микроэлектроника».

В 2011 году присуждена степень магистра техники и технологии по направлению «Электроника и микроэлектроника».

В 2014 году присуждена степень кандидата технических наук.

Стаж работы по специальности более 10 лет.


Научная деятельность

В качестве исполнителя и научного руководителя участвует в проведении НИР, результаты которых внедрены на предприятиях и в учебный процесс.

Научное направление: 05.27.06 – технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники.

Области научных интересов: энергонезависимые запоминающие устройства, фазовая память, неупорядоченные халькогенидные полупроводники, оптические межсоединения, полупроводниковые преобразователи энергии, солнечные элементы, высокоточные температурные технологии, системы автоматизации

Патенты:

  1. Патент на изобретение № 2610058 Российская Федерация. Способ получения материала фазовой памяти / С. А. Козюхин, В. А. Варгунин, А. А. Шерченков, П. И. Лазаренко, А.В. Бабич ; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – заявка № 2015152018 ; заявл. 04.12.2015 ; опубл. 07.02.2017.

  2. Патент на изобретение № 2609764 Российская Федерация. Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти / С. П. Тимошенков, А. А. Шерченков, Н. Е. Коробова, П. И. Лазаренко, В. В. Калугин, А. В. Бабич ; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – заявка № 2015145724 ; заявл. 26.10.2015 ; опубл. 02.02.2017.

Научные статьи:

  1. Lazarenko, P.I. Electrophysical properties of Ge-Sb-Te thin films for phase change memory devices / P.I.Lazarenko, S.A.Kozyukhin, A.A.Sherchenkov, A.V.Babich, S.P.Timoshenkov, D.G.Gromov, A.V.Zabolotskaya, V.V.Kozik // Russian Physics Journal. – 2016. – Vol. 59. – No. 9. – pp. 80-86. DOI: 10.1007/s11182-017-0925-x

  2. Babich A. Effect of doping on the crystallization kinetics of phase change memory materials on the basis of Ge–Sb–Te system / A.V. Babich, A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, P.I. Lazarenko, O. Boytsova, A.S. Shuliatyev // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. – 2016. – pp. 1-8. DOI: 10.1007/s10973-016-5503-x

  3. Sherchenkov, A. Thermal properties of phase change material Ge2Sb2Te5 doped with Bi. / Sherchenkov, A., S. Kozyukhin, A. Babich, P. Lazarenko // J. Non-Cryst. Solids. – 2013. – pp. 26-29. DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2013.01.006

  4. Kozyukhin, S. Peculiarities of Bi doping of Ge-Sb-Te thin films for PCM devices / A. Sherchenkov, A. Babich, P. Lazarenko, H.P. Nguyen, O. Prikhodko // Canadian Journal of Physics. – 2014. – Vol. 92 (7/8). – pp. 684-689. DOI: 10.1139/cjp-2013-0607.

  5. Sherchenkov, A.A. Electrical properties and transport mechanisms in phase change memory thin films of quasi-binary-line GeTe–Sb2Te3 chalcogenide semiconductors / A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, P.I. Lazarenko, A.V. Babich, N.A. Bogoslovskiy, I.V. Sagunova, E.N. Redichev // Semiconductors. – Vol. 51. – No 2. – 2017. – pp. 146-152. DOI: 10.1134/S1063782617020191

  6. Sherchenkov, A.A. Integral isoconversional method for evaluating crystallization parameters of thin films of Ge2Sb2Te5 phase change memory materials / A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, A.V. Babich, P.I. Lazarenko, A.I. Vargunin // Inorganic Materials. – Vol. 53. – No 1. -2017. – pp. 45-49. DOI: 10.1134/S0020168517010150

  7. Lazarenko, P. Electrical properties and transport mechanisms in Ge-Sb-Te thin films / P. Lazarenko, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, A. Babich, S. Timoshenkov, A. Shuliatyev, V. Kudoyarova // Journal Of Optoelectonics And Advanced Materials. – Vol. 18. – 2016. – pp. 50-55. WOS:000374426500009

  8. Sherchenkov, A. Electrical Properties and Transport Mechanisms in Ge-Sb-Te Thin Films for Nanoelectronics / A. Sherchenkov, P. Lazarenko, A. Babich, N. Korobova, S. Timoshenkov, A.Yakubov, D.Terekhov, A. Shuliatyev, S. Kozyukhin, O.Boytsova // Proceedings of the 15th IEEE International Conference on Nanotechnology. – July 2015. – pp. 885 – 888. WOS:000380515200136.

  9. Babich, A. Investigation of the crystallization kinetics in Ge-Sb-Te-Bi and Ge-Sb-Te-In phase-change memory materials / A. Babich, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, P. Lazarenko, S. Timoshenkov, O. Boytsova // Journal Of Optoelectronics And Advanced Materials – 2016. – Vol. 18. – pp. 235–239. WOS:000375964800008

  10. Babich, A. Investigation of the crystallization kinetics in Ge-Sb-Te-Bi and Ge-Sb-Te-In phase-change memory materials / A. Babich, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, P. Lazarenko, S. Timoshenkov, O. Boytsova // Journal Of Optoelectronics And Advanced Materials – 2016. – Vol. 18. – pp. 235–239. WOS:000375964800008 JCR: 0,383

  11. Sherchenkov, A. A. Electrophysical Properties of the Thin Films of the Phase Memory Materials Based on the Chalcogenide Semiconductors of Ge-Sb-Te System / A. A. Sherchenkov, S. A. Kozyukhin, P. I. Lazarenko, S. P. Timoshenkov, A. V. Babich, A. O. Yakubov, V. V. Kalugin // Нано- и Микросистемная Техника. – т. 18, № 9. – 2016. – С. 568 – 5577.

  12. Sherchenkov, A. Influence of Ti doping on the properties of Ge-Sb-Te thin films for phase change memory / A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, P. Lazarenko, A. Babich, S. Timoshenkov, D. Gromov, A. Yakubov, D. Terekhov // Solid State Phenomena – 2016. – Vol. 249. – pp. 30-39. DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.249.30 SJR: 0.212.

  13. Lazarenko, P.I. Influence of indium doping on the electrical properties of Ge2Sb2Te5 thin films for nonvolatile phase change memory devices. / P.I. Lazarenko, A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, A.V. Babich, H.P. Nguyen, S.P. Timoshenkov, D.G. Gromov, A.O. Yakubov, D.Y. Terekhov. // Journal of Physics: Conference Series – 2016. – Vol. 690. – P. 012006. DOI: 10.1088/1742-6596/690/1/012006 SJR: 0,211.

  14. Lazarenko, P. Influence of the Composition on the Thermoelectric and Electro-physical Properties of Ge-Sb-Te Thin Films for Phase Change Memory Application / P.I. Lazarenko, A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, D.Y. Terekhov, A.O. Yakubov, A.V. Babich, A.S. Shuliatyev, I.V. Sagunova, E.N. Redichev // Journal of Nano- and Electronic Physics – 2016. – Vol. 8. – No 3. – p. 03033-1–020013-4. DOI: 10.21272/jnep.8(3).03033 SJR: 0,211.

  15. Lazarenko, P. Electrical Properties of the Ge2Sb2Te5 Thin Films for Phase Change Memory Application / P.I. Lazarenko, A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, A.V. Babich, S.P. Timoshenkov, D.G. Gromov, A.S. Shuliatyev, E.N. Redichev. // AIP Conference Proceedings – 2016. – Vol. 1727. – p. 020013. DOI: 10.1063/1.4945968 SJR: 0,198

  16. Sherchenkov A. Electrical properties of Ge-Sb-Te-Bi Thin Films for Phase Change Memory Application / A.A. Sherchenkov, P.I. Lazarenko, A.V. Babich, D.Y. Terekhov, S.A. Kozyukhin // International Conference on Mechanics, Materials and Structural Engineering – 2016 – p. 238 – 243. WOS:000389377400041

  17. Sherchenkov A. Crystallization Kinetics in Ge-Sb-Te-Bi and Ge-Sb-Te-In Thin Films / A.A. Sherchenkov, A.V. Babich, P.I. Lazarenko, S.P. Timoshenkov, S.A. Kozyukhin // International Conference on Mechanics, Materials and Structural Engineering. – Vol. 29 – 2016 – p. 137 – 142. WOS:000389377400024

  18. Shulyatev, A. Investigation of the reactive ion etching of Ge2Sb2Te5 thin films / A. Shulyatev, A. Sherchenkov, D. Gromov, P. Lazarenko, A. Sysa, A. Kozmin // Proceedings of SPIE – The International Society for Optical Engineering. – Vol. 10224. – 2016, Article number 102241Y DOI: 10.1117/12.2267138 SJR: 0.216

  19. Mikhailova, M.S. Chemical surface treatment of Ge2Sb2Te5 thin films for phase change memory application / M.S. Mikhailova, S.Y. Nemtseva, V.B. Glukhenkaya, P.I. Lazarenko, A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, S.P. Timoshenkov // Proceedings of SPIE – The International Society for Optical Engineering. – Vol. 10224. – 2016, Article number 102240F DOI: 10.1117/12.2267157 SJR: 0.216

  20. Babich, A. Investigation of the Crystallization Kinetics in Ge-Sb-Te-Bi and Ge-Sb-Te-Ti Thin Films / A. Babich, A.Sherchenkov, S. Kozyukhin, P. Lazarenko, S. Timoshenkov // International Conference on Computer Science and Information Engineering (CSIE 2015). – 2015. – P. 498-502. WOS:000363781300089

  21. Lazarenko, P. Influence of Bi Doping on the Electrical Properties of Ge2Sb2Te5 Thin Films for Phase Change Memory Application / P. Lazarenko, A.Sherchenkov, S. Kozyukhin, A. Babich, S. Timoshenkov, D. Gromov, A. Yakubov, D. Terekhov // International Conference on Computer Science and Information Engineering (CSIE 2015). – 2015. – P. 487-492. WOS:000363781300087

  22. Yakubov, A. Electrophysical properties of phase change memory materials on the pseudo-binary line GeTe-Sb2Te3 / A.O. Yakubov, D.Y. Terekhov, A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyuhhin, P.I. Lazarenko, A.V. Babich, S.P. Timoshenkov, D.G. Gromov, A.S. Shuliatyev // Journal of Physics: Conference Series. – Vol. 643. – 2015. – P. 012104. DOI: 10.1088/1742-6596/643/1/012104

  23. Lazarenko, P. Investigation of transport mechanisms in Bi doped Ge2Sb2Te5 thin films for phase change memory application. / P. Lazarenko, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, M. Shtern, S. Timoshenkov, D. Gromov, E. Redichev. // Proceedings of SPIE. – 2014. – Vol. 9440. – P. 944006. DOI: 10.1117/12.2180999 SJR: 0.216.

  24. Лазаренко, П.И. Электрофизические свойства аморфных тонких пленок Ge2Sb2Te5, легированных Bi / П.И. Лазаренко, С.А. Козюхин, А.А. Шерченков и др. // Вестник РГРТУ. – №4. – вып. 46. – ч. 3. – 2013. – С. 83-87.

  25. Шерченков, А.А. Влияние легирования In на свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5, применяемых в устройствах фазовой памяти / А.А. Шерченков, А.А. Бабич, П.И. Лазаренко // Вестник РГРТУ. – №4. – вып. 42. – ч. 2. – 2012. – С. 81-88.

  26. Lazarenko, P. Influence of Bi doping on electrical and optical properties of phase change material Ge2Sb2Te5 / P. Lazarenko, H.P. Nguyen, S. Kozyukhin, A. Sherchenkov // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. – Vol. 13. – No 11-12. – 2011. – pp. 1400-1404. JCR: 0,383