Старая версия сайта доступна по ссылке http://old.miet.ru Перейти
  
  
  
  
Лазаренко Петр Иванович кандидат технических наук

Краткая биография

В 2009 году присуждена квалификация бакалавра техники и технологии по направлению «Электроника и микроэлектроника».

В 2011 году присуждена степень магистра техники и технологии по направлению «Электроника и микроэлектроника».

В 2014 году присуждена степень кандидата технических наук.

Стаж работы по специальности более 10 лет.

Научная деятельность

В качестве исполнителя и научного руководителя участвует в проведении НИР, результаты которых внедрены на предприятиях и в учебный процесс.

Научное направление: 05.27.06 – технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники.

Области научных интересов: энергонезависимые запоминающие устройства, фазовая память, неупорядоченные халькогенидные полупроводники, оптические межсоединения, полупроводниковые преобразователи энергии, солнечные элементы, высокоточные температурные технологии, системы автоматизации

Патенты:

  1. Патент на изобретение № 2610058 Российская Федерация. Способ получения материала фазовой памяти / С. А. Козюхин, В. А. Варгунин, А. А. Шерченков, П. И. Лазаренко, А.В. Бабич ; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – заявка № 2015152018 ; заявл. 04.12.2015 ; опубл. 07.02.2017.

  2. Патент на изобретение № 2609764 Российская Федерация. Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти / С. П. Тимошенков, А. А. Шерченков, Н. Е. Коробова, П. И. Лазаренко, В. В. Калугин, А. В. Бабич ; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – заявка № 2015145724 ; заявл. 26.10.2015 ; опубл. 02.02.2017.

Научные статьи:

  1. Lazarenko, P.I. Electrophysical properties of Ge-Sb-Te thin films for phase change memory devices / P.I.Lazarenko, S.A.Kozyukhin, A.A.Sherchenkov, A.V.Babich, S.P.Timoshenkov, D.G.Gromov, A.V.Zabolotskaya, V.V.Kozik // Russian Physics Journal. – 2016. – Vol. 59. – No. 9. – pp. 80-86. DOI: 10.1007/s11182-017-0925-x

  2. Babich A. Effect of doping on the crystallization kinetics of phase change memory materials on the basis of Ge–Sb–Te system / A.V. Babich, A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, P.I. Lazarenko, O. Boytsova, A.S. Shuliatyev // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. – 2016. – pp. 1-8. DOI: 10.1007/s10973-016-5503-x

  3. Sherchenkov, A. Thermal properties of phase change material Ge2Sb2Te5 doped with Bi. / Sherchenkov, A., S. Kozyukhin, A. Babich, P. Lazarenko // J. Non-Cryst. Solids. – 2013. – pp. 26-29. DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2013.01.006

  4. Kozyukhin, S. Peculiarities of Bi doping of Ge-Sb-Te thin films for PCM devices / A. Sherchenkov, A. Babich, P. Lazarenko, H.P. Nguyen, O. Prikhodko // Canadian Journal of Physics. – 2014. – Vol. 92 (7/8). – pp. 684-689. DOI: 10.1139/cjp-2013-0607.

  5. Sherchenkov, A.A. Electrical properties and transport mechanisms in phase change memory thin films of quasi-binary-line GeTe–Sb2Te3 chalcogenide semiconductors / A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, P.I. Lazarenko, A.V. Babich, N.A. Bogoslovskiy, I.V. Sagunova, E.N. Redichev // Semiconductors. – Vol. 51. – No 2. – 2017. – pp. 146-152. DOI: 10.1134/S1063782617020191

  6. Sherchenkov, A.A. Integral isoconversional method for evaluating crystallization parameters of thin films of Ge2Sb2Te5 phase change memory materials / A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, A.V. Babich, P.I. Lazarenko, A.I. Vargunin // Inorganic Materials. – Vol. 53. – No 1. -2017. – pp. 45-49. DOI: 10.1134/S0020168517010150

  7. Lazarenko, P. Electrical properties and transport mechanisms in Ge-Sb-Te thin films / P. Lazarenko, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, A. Babich, S. Timoshenkov, A. Shuliatyev, V. Kudoyarova // Journal Of Optoelectonics And Advanced Materials. – Vol. 18. – 2016. – pp. 50-55. WOS:000374426500009

  8. Sherchenkov, A. Electrical Properties and Transport Mechanisms in Ge-Sb-Te Thin Films for Nanoelectronics / A. Sherchenkov, P. Lazarenko, A. Babich, N. Korobova, S. Timoshenkov, A.Yakubov, D.Terekhov, A. Shuliatyev, S. Kozyukhin, O.Boytsova // Proceedings of the 15th IEEE International Conference on Nanotechnology. – July 2015. – pp. 885 – 888. WOS:000380515200136.

  9. Babich, A. Investigation of the crystallization kinetics in Ge-Sb-Te-Bi and Ge-Sb-Te-In phase-change memory materials / A. Babich, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, P. Lazarenko, S. Timoshenkov, O. Boytsova // Journal Of Optoelectronics And Advanced Materials – 2016. – Vol. 18. – pp. 235–239. WOS:000375964800008

  10. Babich, A. Investigation of the crystallization kinetics in Ge-Sb-Te-Bi and Ge-Sb-Te-In phase-change memory materials / A. Babich, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, P. Lazarenko, S. Timoshenkov, O. Boytsova // Journal Of Optoelectronics And Advanced Materials – 2016. – Vol. 18. – pp. 235–239. WOS:000375964800008 JCR: 0,383

  11. Sherchenkov, A. A. Electrophysical Properties of the Thin Films of the Phase Memory Materials Based on the Chalcogenide Semiconductors of Ge-Sb-Te System / A. A. Sherchenkov, S. A. Kozyukhin, P. I. Lazarenko, S. P. Timoshenkov, A. V. Babich, A. O. Yakubov, V. V. Kalugin // Нано- и Микросистемная Техника. – т. 18, № 9. – 2016. – С. 568 – 5577.

  12. Sherchenkov, A. Influence of Ti doping on the properties of Ge-Sb-Te thin films for phase change memory / A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, P. Lazarenko, A. Babich, S. Timoshenkov, D. Gromov, A. Yakubov, D. Terekhov // Solid State Phenomena – 2016. – Vol. 249. – pp. 30-39. DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.249.30 SJR: 0.212.

  13. Lazarenko, P.I. Influence of indium doping on the electrical properties of Ge2Sb2Te5 thin films for nonvolatile phase change memory devices. / P.I. Lazarenko, A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, A.V. Babich, H.P. Nguyen, S.P. Timoshenkov, D.G. Gromov, A.O. Yakubov, D.Y. Terekhov. // Journal of Physics: Conference Series – 2016. – Vol. 690. – P. 012006. DOI: 10.1088/1742-6596/690/1/012006 SJR: 0,211.

  14. Lazarenko, P. Influence of the Composition on the Thermoelectric and Electro-physical Properties of Ge-Sb-Te Thin Films for Phase Change Memory Application / P.I. Lazarenko, A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, D.Y. Terekhov, A.O. Yakubov, A.V. Babich, A.S. Shuliatyev, I.V. Sagunova, E.N. Redichev // Journal of Nano- and Electronic Physics – 2016. – Vol. 8. – No 3. – p. 03033-1–020013-4. DOI: 10.21272/jnep.8(3).03033 SJR: 0,211.

  15. Lazarenko, P. Electrical Properties of the Ge2Sb2Te5 Thin Films for Phase Change Memory Application / P.I. Lazarenko, A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, A.V. Babich, S.P. Timoshenkov, D.G. Gromov, A.S. Shuliatyev, E.N. Redichev. // AIP Conference Proceedings – 2016. – Vol. 1727. – p. 020013. DOI: 10.1063/1.4945968 SJR: 0,198

  16. Sherchenkov A. Electrical properties of Ge-Sb-Te-Bi Thin Films for Phase Change Memory Application / A.A. Sherchenkov, P.I. Lazarenko, A.V. Babich, D.Y. Terekhov, S.A. Kozyukhin // International Conference on Mechanics, Materials and Structural Engineering – 2016 – p. 238 – 243. WOS:000389377400041

  17. Sherchenkov A. Crystallization Kinetics in Ge-Sb-Te-Bi and Ge-Sb-Te-In Thin Films / A.A. Sherchenkov, A.V. Babich, P.I. Lazarenko, S.P. Timoshenkov, S.A. Kozyukhin // International Conference on Mechanics, Materials and Structural Engineering. – Vol. 29 – 2016 – p. 137 – 142. WOS:000389377400024

  18. Shulyatev, A. Investigation of the reactive ion etching of Ge2Sb2Te5 thin films / A. Shulyatev, A. Sherchenkov, D. Gromov, P. Lazarenko, A. Sysa, A. Kozmin // Proceedings of SPIE – The International Society for Optical Engineering. – Vol. 10224. – 2016, Article number 102241Y DOI: 10.1117/12.2267138 SJR: 0.216

  19. Mikhailova, M.S. Chemical surface treatment of Ge2Sb2Te5 thin films for phase change memory application / M.S. Mikhailova, S.Y. Nemtseva, V.B. Glukhenkaya, P.I. Lazarenko, A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, S.P. Timoshenkov // Proceedings of SPIE – The International Society for Optical Engineering. – Vol. 10224. – 2016, Article number 102240F DOI: 10.1117/12.2267157 SJR: 0.216

  20. Babich, A. Investigation of the Crystallization Kinetics in Ge-Sb-Te-Bi and Ge-Sb-Te-Ti Thin Films / A. Babich, A.Sherchenkov, S. Kozyukhin, P. Lazarenko, S. Timoshenkov // International Conference on Computer Science and Information Engineering (CSIE 2015). – 2015. – P. 498-502. WOS:000363781300089

  21. Lazarenko, P. Influence of Bi Doping on the Electrical Properties of Ge2Sb2Te5 Thin Films for Phase Change Memory Application / P. Lazarenko, A.Sherchenkov, S. Kozyukhin, A. Babich, S. Timoshenkov, D. Gromov, A. Yakubov, D. Terekhov // International Conference on Computer Science and Information Engineering (CSIE 2015). – 2015. – P. 487-492. WOS:000363781300087

  22. Yakubov, A. Electrophysical properties of phase change memory materials on the pseudo-binary line GeTe-Sb2Te3 / A.O. Yakubov, D.Y. Terekhov, A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyuhhin, P.I. Lazarenko, A.V. Babich, S.P. Timoshenkov, D.G. Gromov, A.S. Shuliatyev // Journal of Physics: Conference Series. – Vol. 643. – 2015. – P. 012104. DOI: 10.1088/1742-6596/643/1/012104

  23. Lazarenko, P. Investigation of transport mechanisms in Bi doped Ge2Sb2Te5 thin films for phase change memory application. / P. Lazarenko, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, M. Shtern, S. Timoshenkov, D. Gromov, E. Redichev. // Proceedings of SPIE. – 2014. – Vol. 9440. – P. 944006. DOI: 10.1117/12.2180999 SJR: 0.216.

  24. Лазаренко, П.И. Электрофизические свойства аморфных тонких пленок Ge2Sb2Te5, легированных Bi / П.И. Лазаренко, С.А. Козюхин, А.А. Шерченков и др. // Вестник РГРТУ. – №4. – вып. 46. – ч. 3. – 2013. – С. 83-87.

  25. Шерченков, А.А. Влияние легирования In на свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5, применяемых в устройствах фазовой памяти / А.А. Шерченков, А.А. Бабич, П.И. Лазаренко // Вестник РГРТУ. – №4. – вып. 42. – ч. 2. – 2012. – С. 81-88.

  26. Lazarenko, P. Influence of Bi doping on electrical and optical properties of phase change material Ge2Sb2Te5 / P. Lazarenko, H.P. Nguyen, S. Kozyukhin, A. Sherchenkov // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. – Vol. 13. – No 11-12. – 2011. – pp. 1400-1404. JCR: 0,383