Научная деятельность

Google Scholar

Scopus

ResearchGate

Научная деятельность направлена на поиск и разработку перспективных функциональных материалов неупорядоченных полупроводниковых соединений и создание различных устройств микроэлектроники и фотоники на их основе.

Научные результаты опубликованы в более 160 научных работах, в том числе в 80 научных статьях как в российских, так и в зарубежных рецензируемых изданиях, в том числе в более 30 статьях в журналах, входящих в Q1/Q2.

Лазаренко П.И. является автором 6 патентов на изобретения, 3 свидетельств о государственной регистрации топологии интегральных микросхем и 7 свидетельств о регистрации программ для ЭВМ, а также рецензентом журналов Alloys and Compounds, Optics and Laser Technology, Optical Materials, Materials and Design, Applied Surface Science.

В настоящий момент ведется работа по следующим научно-техническим направлениям в рамках решения обозначенной научной проблемы.

1. Разработка элементов энергонезависимой электрической фазовой памяти

2. Применение халькогенидных полупроводников в качестве активной области различных устройств нанофотоники и метаповерхностей, обеспечивающих управление параметрами оптических сигналов при минимальных энергетических затратах

3. Фундаментальные комплексные исследования неупорядоченных полупроводников и поиск путей оптимизации их свойств

4. Создание и исследование перспективных материалов солнечной энергетики и элементов на их основе.

Организация и участие в мероприятиях

- Организация International Conference “Functional Chalcogenides: Physics, Technology and Applications” (https://www.vedomosti.ru/press_releases/2024/07/02/uchenie-iz-7-stran-mira-prinyali-uchastie-v-konfe...;

- Представление результатов лаборатории на международной выставке-форуме «Россия» на ВДНХ (https://www.miet.ru/news/160042);

- Золотая медаль на XXVII Московском международном Салоне «Архимед» (https://dzen.ru/a/ZgVQV0UY8WlJjT41);

- Организация встречи "Новые материалы и технологии фотоники: перспективы развития производства в России." (https://technomoscow.ru/event/novye-materialy-i-tekhnologii-fotoniki/)

- Пресс-конференция ТАСС "Российский научный фонд с итогами 2022 года" (https://tass.ru/press/19425)

- Организация научно-технического семинара «Халькогенидные полупроводниковые материалы» (https://www.miet.ru/news/140896)

Проектная деятельность

Под руководством Лазаренко П.И. успешно выполнены или выполняются в настоящий момент следующие проекты, результаты которых внедрены на предприятиях и в учебный процесс.

1. Руководитель проекта 23-91-06308, «Исследование и разработка технологических подходов к изготовлению планарных интегрально-оптических резонансных структур на основе кремния и нитрида кремния, унифицированных для сборки с полупроводниковыми лазерными модулями», поддержанного Российским научным фондом (РНФ).

2. Руководитель проекта FSMR-2022-0001, «Материалы и устройства активной фотоники», поддержанного Министерством образования и науки РФ

3. Руководитель проекта 20-79-10322, «Интегральные устройства нанофотоники на основе изменяющих фазовое состояние халькогенидных полупроводниковых материалов», поддержанного Российским фондом фундаментальных исследований (РНФ).

4. Руководитель проекта 20-07-01092, «Термо-оптический эффект в тонких пленках материалов фазовой памяти и устройствах нанофотоники на их основе», поддержанного Российским фондом фундаментальных исследований (РФФИ).

5. Руководитель проекта МК-727.2020.3, «Фазовый переход кристалл-расплав в халькогенидных полупроводниках системы Ge-Sb-Te для элементов энергонезависимой памяти», поддержанного Советом по грантам Президента Российской Федерации, Министерство образования и науки РФ.

6. Руководитель проекта 18-52-16022, "Функциональные материалы на основе легированных In халькогенидных полупроводников системы Ge-Sb-Te для многоуровневых устройств фазовой памяти", поддержанного Российским фондом фундаментальных исследований (РФФИ).

7. Руководитель проекта 14.Y30.18.6347-MK (МК-6347.2018.3), «Механизмы и кинетика кристаллизации аморфных тонких пленок Ge2Sb2Te5 при термообработке», поддержанного Советом по грантам Президента Российской Федерации, Министерство образования и науки РФ.

8. Руководитель проекта №17-79-10465. «Фазовые превращения в тонких пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge-Sb-Te при воздействии импульсным лазерным излучением нано- и фемтосекундной длительности», поддержанного Российским научным фондом (РНФ).

9. Руководитель проекта МК-8105.2016.8. «Разработка конструктивно-технологических решений и изготовление ячейки энергонезависимой фазовой памяти на основе тонких пленок Ge2Sb2Te5», поддержанного Советом по грантам Президента Российской Федерации, Министерство образования и науки РФ.

Основные публикации

Патенты и свидетельства:

1.Eurasian patent № 033412. Method of obtaining amorphous films of chalcogenide glassy semiconductors. Timoshenkov S.P., Korobova N.E., Prihodko O.Y., Tolepov G.K., Sherchenkov A.A., Lazarenko P.I. ; Assignee: National Research University of Electronic Technology. - prior publication date: 31.10.2019.

2. Патент на изобретение № 2631071 Российская Федерация. Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти / С. П. Тимошенков, А. А. Шерченков, Н. Е. Коробова, П. И. Лазаренко, А. В. Бабич ; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – заявка № 2016107474 ; заявл. 02.03.2016 ; опубл. 18.09.2017.

3. Патент на изобретение № 2610058 Российская Федерация. Способ получения материала фазовой памяти / С. А. Козюхин, В. А. Варгунин, А. А. Шерченков, П. И. Лазаренко, А.В. Бабич ; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – заявка № 2015152018 ; заявл. 04.12.2015 ; опубл. 07.02.2017.

4. Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы № 2018630057 Российская Федерация. Матрица ячеек энергонезависимой фазовой памяти вертикального типа с управляющими элементами. / П.И. Лазаренко, С.А. Филатов, А.А. Шерченков, Д.Ю. Терехов, А.О. Якубов ; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ» . – заявка № 2017630162 ; заявл. 29.11.2017 ; опубл. 26.04.2018

5. Свидетельство о государственной регистрации топологий интегральных микросхем №2015630087 Российская Федерация. Ячейки энергонезависимой памяти на фазовых переходах для записи и хранения информации / С. П. Тимошенков, А. А. Шерченков, П. И. Лазаренко, Д. Ю. Терехов, В. В. Калугин ; Е. В. Зуев ; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ» и Акционерное общество "Зеленоградский нанотехнологический центр" . – заявка № 2015630051 ; заявл. 15.07.2015 ; опубл. 10.09.2015.

6. Свидетельство о государственной регистрации топологий интегральных микросхем №2016630044 Российская Федерация. Ячейки энергонезависимой фазовой памяти планарного типа для записи и хранения информации / С. П. Тимошенков, А. А. Шерченков, П. И. Лазаренко, Д. Ю. Терехов, Н. Е. Коробова, В. В. Калугин ; заявитель и патентообладатель Акционерное общество "Зеленоградский нанотехнологический центр" . – заявка № 2015630155 ; заявл. 30.12.2015 ; опубл. 20.02.2016.

7. Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы № 2018630057 Российская Федерация. Матрица ячеек энергонезависимой фазовой памяти вертикального типа с управляющими элементами. / П.И. Лазаренко, С.А. Филатов, А.А. Шерченков, Д.Ю. Терехов, А.О. Якубов ; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ» . – заявка № 2017630162 ; заявл. 29.11.2017 ; опубл. 26.04.2018.

Статьи:

1. Menshikov, E. Reversible Laser Imprinting of Phase Change Photonic Structures in Integrated Waveguides / Evgenii Menshikov, Petr Lazarenko, Vadim Kovalyuk, Sergey Dubkov, Nadezhda Maslova, Alexey Prokhodtsov, Alexander Vorobyov, Sergey Kozyukhin, Gregory Goltsman, and Ivan S. Sinev // ACS Appl. Mater. Interfaces 2024, 16, 38345−38354. DOI: 10.1021/acsami.4c04573. Impact factor 8,3 (Q1).

2. Korolev V. Tunable high-order harmonic generation in GeSbTe nano-film / Viacheslav Korolev, Artem D. Sinelnik, Mikhail V. Rybin, Petr Lazarenko, Olga M. Kushchenko, Victoria Glukhenkaya, Sergey Kozyukhin, Michael Zuerch, Christian Spielmann, Thomas Pertsch, Isabelle Staude, Daniil Kartashov // Nanophotonics, 2024. DOI: 10.1515/nanoph-2023-0859. Impact factor 8,4 (Q1).

3. Smayev M.P. Cylindrical laser beams for a-Ge2Sb2Te5 thin film modification / Mikhail P. Smayev, Petr A. Smirnov, Ivan A. Budagovsky, Maria E. Fedyanina, Victoria B. Glukhenkaya, Alexey V. Romashkin, Petr I. Lazarenko, Sergey A. Kozyukhin // Journal of Non-Crystalline Solids, 2024, DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2024.122952. Impact factor 3,5 (Q1).

4. Solomonov A. Switching topological charge of optical vortex by two-dimensional structures / A.I. Solomonov, O.M. Kushchenko. K.I. Kasyanova, S.B. Isaeva, I.I. Shishkin, D.Yu Terekhov, P.I. Lazarenko, M.V. Rybin, S.S. Baturin, A.D. Sinelnik // Applied Materials Today, 2024, Vol. 37, P. 102135. DOI: 10.1016/j.apmt.2024.102135. Impact factor 8,663 (Q1).

5. Steparuk, A.S. Thieno[3,2-b]indole / 2,2′-bithiophene-based D-π-A dyes for dye sensitized solar cells / A.S. Steparuk, R.A. Irgashev, E.F. Zhilina, V.V. Emets, V.A. Grinberg, E.V. Tekshina, E.V. Belova, N.M. Tolkach, P.I. Lazarenko, G.L. Rusinov, S.A. Kozyukhin // Dyes and Pigments. – 2023. – Vol. 222, P. 111917. DOI: 10.1016/j.dyepig.2023.111917. Impact factor 5.122 (Q1).

6. Solomonov, A.I. Ge-Sb-Te based metasurface with angle-tunable switchable response in the telecom bands / A. I. Solomonov, M. E. Bochkarev,S. I. Pavlov, P. I. Lazarenko, V. V. Kovalyuk, A. D. Golikov, G. N. Goltsman, S. A. Kozyukhin, S. A. Dyakov, M. V. Rybin, and A. B. Pevtsov // Physical Review B. – 2023. – Vol. 108. – P. 085127. DOI: 10.1103/PhysRevB.108.085127. Impact factor 3.908 (Q1).

7. Sorokina L.I. The Composite TiO2–CuOx Layers Formed by Electrophoretic Method for CO2 Gas Photoreduction / L.I. Sorokina, A.M. Tarasov, A.I. Pepelyaeva, P.I. Lazarenko, A.Yu. Trifonov, T.P. Savchuk, A.V. Kuzmin, A.V. Tregubov, E.N. Shabaeva, E.S. Zhurina, L.S. Volkova, S.V. Dubkov, D.V. Kozlov, D. Gromov // Nanomaterials. – 2023. – Vol. 13. – P. 2030. DOI: 10.3390/nano13142030. Impact factor 5.719 (Q1).

8. Kunkel T. Self-organized structures in thin films of phase-change material upon femtosecond laser excitation: from periodic ordering to ablation / T. Kunkel, Y. Vorobyov, M. Smayev, P. Lazarenko, A. Kolobov, S. Kozyukhin // Applied Surface Science, 2023. – p. 157122. DOI: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2023.157122 Impact factor 7.392 (Q1).

9. Kozyukhin S.A. Phase-change materials and their applications / S.A.Kozyukhin, P.I.Lazarenko, A.I.Popov, I.L.Eremenko // Russ. Chem. Rev., 2022. - Vol. 91. - P. RCR5033. DOI: https://doi.org/10.1070/RCR5033 Impact factor 7.460 (Q1).

10. Lazarenko P. Low Power Reconfigurable Multilevel Nanophotonic Devices Based on Sn-Doped Ge2Sb2Te5 Thin Films / Petr Lazarenko, Vadim Kovalyuk, Pavel An, Sergey Kozyukhin, Viktor Takáts, Alexander Golikov, Victoria Glukhenkaya, Yuri Vorobyov, Timur Kulevoy, Alexey Sherchenkov, Gregory Goltsman // Acta Materialia, 2022. – Vol. 234. – P. 117994. DOI: 10.1016/j.actamat.2022.117994 . Impact factor 9.2 (Q1).

11. Smayev M.P. Direct single-pass writing of two-phase binary diffraction gratings in a Ge2Sb2Te5 thin film by femtosecond laser pulses / M.P. Smayev, P.I. Lazarenko, I.A. Budagovsky, A.O. Yakubov, V.N. Borisov, Yu.V. Vorobyov, T.S. Kunkel, S.A. Kozyukhin // Optics and Laser Technology. 2022. – 153. – P. 108212. DOI: 10.1016/j.optlastec.2022.108212 . Impact factor 4.9 (Q1).

12. Kunkel, T. Crystallization of GST225 thin film induced by a single femtosecond laser pulse: Experimental and theoretical study / T. Kunkel, Y. Vorobyov, M. Smayev, P. Lazarenko, A. Romashkin, S. Kozyukhin // Materials Science in Semiconductor Processing. – 2022. – Vol. 139. P. 106350. DOI: 10.1016/j.mssp.2021.106350. Impact factor 3.927 (Q1).

13. Lazarenko, P. Size effect of the Ge2Sb2Te5 cell atop the silicon nitride O-ring resonator on the attenuation coefficient // P. Lazarenko, V. Kovalyuk, P. An, A. Prokhodtsov, A. Golikov, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, I. Fradkin, G. Chulkova, G. Goltsman // APL Materials. – 2021. – Vol. 9. – Is. 12. – P. 121104, DOI: 10.1063/5.0066387. Impact factor 5.096 (Q1).

14. Trofimov, P. Rewritable and Tunable Laser-Induced Optical Gratings in Phase-Change Material Films / P. I. Trofimov, I. G. Bessonova, P. I. Lazarenko, D.A. Kirilenko, N.A. Bert, S.A. Kozyukhin, and I.S. Sinev // ACS Applied Materials & Interfaces. – 2021. – Vol. 13. – Is. 27. – P. 32031 – 32036. DOI: 10.1021/acsami.1c08468. Impact factor JCR – 9.229 (Q1).

15. Kunkel, T. Experimental observation of two-stage crystallization of Ge2Sb2Te5 amorphous thin films under the influence of a pulsed laser / T. Kunkel, Y. Vorobyov, M. Smayev, P. Lazarenko, V. Veretennikov, V. Sigaev, S. Kozyukhin // Journal of Alloys and Compounds. – 2021 – Vol. 851 – P. 156924. DOI: 10.1016/j.jallcom.2020.156924. Impact factor 4.65 (Q1).