| Подразделение | Должность |
| Институт интегральной электроники имени академика К.А. Валиева (ИнЭл) | доцент |
Краткая биография
Закончил в 1997 г. факультет физико-химической биологии МФТИ.
Совмещая обучение в аспирантуре МФТИ, работал научным сотрудником в ОАО «НИИ молекулярной электроники и завод Микрон»; после защиты диссертации в 2000 г. продолжил работу на «Микроне» в должности начальника лаборатории; в 2005 г. перешел работать на кафедру ПКИМС.
Стаж работы по специальности – 20 лет; стаж преподавательской работы – 15 лет (с 2005 г. – на кафедре ПКИМС).
Научная специальность 05.13.18 – «Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ».
Читаемые курсы
- Геометрическое моделирование (ЭН-44,45)
- Концептуальные основы проектирования интегральных схем (ИВТ-15М)
- Физические основы проектирования электронно-компонентной базы (ЭН-34,35)
- История и методология науки и техники в области электроники (ЭН-14М)
- Программирование и проектирование микропроцессорных систем (ЭН-34,35)
Научная деятельность
Область научных интересов
Математическое моделирование, метаматематика и философия науки, клеточные автоматы, моделирование наноразмерных систем, моделирование технологических процессов микро- и наноэлектроники
Основные публикации
Matyushkin I.V., Zapletina M.A. EXPERIMENTAL RESEARCH OF ITERATED DYNAMICS FOR THE COMPLEX EXPONENTIALS WITH LINEAR TERM // Journal of Physics: Conference Series 6. Сер. "European Conference - Workshop "Nonlinear Maps and Applications"" 2018. С. 012008. – НИИМЭ, МИЭТ, ИППМ – Scopus
Матюшкин И.В., Заплетина М.А. КОМПЬЮТЕРНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ГОЛОМОРФНОЙ ДИНАМИКИ ЭКСПОНЕНЦИАЛЬНОГО И ЛИНЕЙНО-ЭКСПОНЕНЦИАЛЬНОГО ОТОБРАЖЕНИЙ // Компьютерные исследования и моделирование. 2018. Т. 10. № 4. С. 383-405. – НИИМЭ, ИППМ – РИНЦ, RUS WoS
Матюшкин И.В., Заплетина М.А. КЛЕТОЧНО-АВТОМАТНЫЙ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫЙ ПАРАЛЛЕЛИЗМ ЭЛЕМЕНТАРНЫХ МАТРИЧНЫХ ОПЕРАЦИЙ // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2018. № 3. С. 132-137. – ИППМ – РИНЦ
Красников Г.Я., Горнев Е.С., Матюшкин И.В. ОБЩАЯ ТЕОРИЯ ТЕХНОЛОГИИ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА: ЧАСТЬ 3. УРОВЕНЬ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ОПЕРАЦИИ // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2018. № 3 (171). С. 63-93. – НИИМЭ – РИНЦ
Резванов А.А., Горнев Е.С., Гущин О.П., Матюшкин И.В. МОДЕЛИРОВАНИЕ ДИНАМИКИ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ ПОРИСТОЙ LOW-K ОРГАНОСИЛИКАТНОЙ ПЛЕНКИ ПРИ СУХОМ ТРАВЛЕНИИ ФОТОРЕЗИСТА В O2-ПЛАЗМЕ // Микроэлектроника, 2018, том 47, номер 6, с. 451-459 – НИИМЭ, МФТИ, МИЭТ – РИНЦ
A. A. Rezvanov, I. V. Matyushkin, O. P. Gushchin, and E. S. Gornev Modeling the Dynamics of the Integral Dielectric Permittivity of a Porous Low-K Organosilicate Film during the Dry Etching of a Photoresist in O2 Plasma // Russian Microelectronics, 2018, Vol. 47, No. 6, pp. 415–426. - НИИМЭ, МФТИ, МИЭТ - Scopus
Резванов, А. А., Мирошкин, Я. А., Жевненко, Д., & Матюшкин, И. В. (2019). АНАЛИТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬАСПЕКТНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СКОРОСТИ ГЛУБОКОГО КРИОГЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ В ПЛАЗМЕ SF6/O2. In Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов (pp. 148-152).
Mikheev R., Teplov G., Matyushkin I. Compact Model of Nonlinear Dynamics While the Cycling of a Memristor //2019 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus). – IEEE, 2019. – С. 2057-2061.
Матюшкин И. В., Орлов О. М. НЕСТАБИЛЬНОСТЬ ХАРАКТЕРИСТИК МЕМРИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ПРИ ЦИКЛИРОВАНИИ КАК ФЕНОМЕН НЕЛИНЕЙНОЙ ДИНАМИКИ //Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов. – 2019. – С. 30-33.
Литаврин М. В., Матюшкин И. В., Гущин О. П. МЕТОД НАПРАВЛЕННОЙ САМОСБОРКИ В ЛИТОГРАФИИ ПРОЕКТНЫХ НОРМ МЕНЕЕ 22 нм //МИКРО-И НАНОТЕХНОЛОГИИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ. – 2019. – С. 388-392.
Горнев, Е. С., Литаврин, М. В., Матюшкин, И. В., & Резванов, А. А. (2019). МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООРГАНИЗАЦИИ ДЛЯ НАНОРАЗМЕРНОЙ DSA-ЛИТОГРАФИИМЕТОДОМ КЛЕТОЧНЫХ АВТОМАТОВ. In Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов (pp. 56-58).
Gornev E. et al. Cellular automata method for directed self-assembly modeling //International Conference on Micro-and Nano-Electronics 2018. – International Society for Optics and Photonics, 2019. – Т. 11022. – С. 110221N.
Матюшкин И.В. Нелинейно-динамический подход в анализе нестабильности параметров мемристора. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2019;22(4):253-261
Матюшкин И. В., Заплетина М. А. Отражение и транспонирование данных в матрице клеточно-автоматного вычислителя //Изв. высш. учеб. заведений. Электроника. – 2019. – Т. 24. – №. 1. – С. 51-63., Красников Г.Я., Горнев Е.С., Матюшкин И.В. Общая теория технологий и микроэлектроника М.:ТЕХНОСФЕРА, 2020. – 434 c.
Матюшкин И.В., Рубис П.Д. Четыре клеточно-автоматных алгоритма пермутаций матриц. Математика и математическое моделирование. 2020; (4):1-51. https://doi.org/10.24108/mathm.0420.0000223
Kozhevnikov V.S., Matyushkin I.V, Chernyaev N.V. The Relationship between Entropy and the Reliability Function in Application of Physical and Statistical Approach to Nanosystems. // Nano Hybrids and Composites, Vol. 28, pp 93-111. https://www.scientific.net/NHC.28.93 НИИМЭ
I. V. Matyushkin Nonlinear Dynamic Approach in Analyzing the Instability of Memristor Parameters // Russian Microelectronics, 2020, Vol. 49, No. 8, pp. 554–561.
Матюшкин И.В. Нелинейно-динамический подход в анализе нестабильности параметров мемристора. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2019;22(4):253-261. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2019-4-253-261
V. S. Kozhevnikov, I. V. Matyushkin, N. V. Chernyaeva, and T. D. Zhukova. Correlation of Physical and Information Entropies in Reliability Theory for Nanoscale Elements // Semiconductors, 2020, Vol. 54, No. 13, pp. 1805–1810. – НИИМЭ, ИППМ, МИЭТ
Литаврин М.В., Матюшкин И.В., Горнев Е.С. МОДЕЛЬ ПРОЦЕССА САМОСБОРКИ В ЛИТОГРАФИЧЕСКОМ МЕТОДЕ DSA С ПРИМЕНЕНИЕМ КЛЕТОЧНЫХ АВТОМАТОВ // Наноиндустрия. 2020. № S96-2. С. 653-654.
Матюшкин И.В., Орлов О.М., Лебедев А.О., Мизгинов Д.С. ФЕНОМЕН НЕЛИНЕЙНОЙ ДИНАМИКИ ПРИ ЦИКЛИРОВАНИИ МЕМРИСТОРА // Нано- и микросистемная техника. 2020. Т. 22. № 3. С. 153-164.
Кожевников В.С., Матюшкин И.В., Черняев Н.В. АНАЛИЗ ОСНОВНОГО УРАВНЕНИЯ ФИЗИКО-СТАТИСТИЧЕСКОГО ПОДХОДА ТЕОРИИ НАДЕЖНОСТИ ТЕХНИЧЕСКИХ СИСТЕМ // Компьютерные исследования и моделирование. 2020. Т. 12. № 4. С. 721-735.
D.V. Guseinov, I.V. Matyushkin, N.V. Chernyaev, A.N. Mikhaylov, Y.V. Pershin, Capacitive effects can make memristors chaotic, // Chaos, Solitons & Fractals, Volume 144, 2021, Article 110699, 8p. - https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0960077921000527 - НИИМЭ
Е.С. Горнев, И.В. Матюшкин, И.Ф. Калимова/ Сравнительный анализ моделей проводимости в мемристивных структурах на основе тонких пленок нитрида кремния . ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА СЕРИЯ 3МИКРОЭЛЕКТРОНИКА c.33-,48Выпуск 2(182) 2021 НИИМЭ- МФТИ
Chaos, Solitons & FractalsVolume 144, March 2021, 110699 Chaos, Solitons & Fractals Capacitive effects can make memristors chaotic lD.V.Guseinov I.V.MatyushkinbN.V.Chernyaev A.N.Mikhaylov Y.V.Pershin
Горнев Е.С., Матюшкин И.В. Дискуссия по книге С.М. Крылова «Неокибернетика» (2008). Russian Technological Journal. 2021;9(6):73-87. https://doi.org/10.32362/2500-316x-2021-9-6-73-87
Рубис П.Д., Матюшкин И.В. Клеточно-автоматный алгоритм пермутации матриц с колебательной схемой движения элемента // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2021. Выпуск 3. С. 26-33. doi:10.31114/2078-7707-2021-3-26-33
Матюшкин И.В., Рубис П.Д., Заплетина М.А. Экспериментальное исследование динамики одиночных и связанных в решетке комплекснозначных отображений: архитектура и интерфейс авторской программы для моделирова // Компьютерные исследования и моделирование, 2021, т. 13, № 6, с. 1101-1124