| Подразделение | Должность |
| Институт нано- и микросистемной техники | доцент |
Телефон:
(499) 720-87-68, внутренний телефон: 29-68
Сайт:
http://cathedra.me/
Аудитория:
4116
Краткая биография
Закончил магистратуру МИЭТа в 2002 году по специальности 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники»
В 2009 году защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата технических наук по теме «Разработка конструкций и технологий изготовления микроэлектромеханических приборов в герметичном исполнении» по специальности 05.27.06.
Читаемые курсы
- Компьютерные технологии в научных исследованиях
- Материалы и компоненты ЭС
- Технологии изготовления изделий микросистемной техники на базе инновационных разработок
Научная деятельность
Области научных интересов:
- технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов микро- и наноэлектроники, микросистемной техники
- разработка конструкций и технологий изготовления малогабаритных преобразователей линейного ускорения (микроакселерометров), угловой скорости (микрогироскопов), инклинометров, микроповоротных зеркал, систем позиционирования и элементов навигационных блоков, блоков инерциальной информации на основе кремниевых чувствительных элементов
- изучение процессов сращивания и формирования многослойных, сложнопрофильных структур для микроэлектроники и микросистемной техники
- исследование и разработка базовых и технологических процессов изготовления структур КНИ и чувствительных элементов (ЧЭ) датчиков физических величин
- разработка технологии изготовления и сборки ЧЭ МЭМС
Является руководителем и ответственным исполнителем ряда НИОКР, выполняемых на кафедре микроэлектроники.
Список наиболее значимых опубликованных работ:
- Тимошенков С.П.,Бритков И.М., Бритков О.М., Евстафьев С.С., Прокопьев Е.П.; Анализ физико-химических моделей скорости ростааморфных пленок Si:H в силановых плазменных смесях пониженного давлния, Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России: Межотр. науч.-техн. журнал. – 2011. – №1. – С.73–78 (0,3 п.л.)
- Бритков И.М., Бритков О.М., Графутин В.И., Евстафьев С.С., Илюхина О.В., Мясищева Г.Г., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В., Радиационные нарушения в полупроводниковых соединениях А3В5, облученных g - квантами и протонами, по данным метода позитронной аннигиляционной спектроскопии Микроэлектроника. – 2010
- Симонов Б.М., Бритков О.М. Изучение технологии изготовления полупроводниковых микросхем на МДП-транзисторах. Методические указания к выполнению лабораторных работ. Лабораторный практикум по курсу «ТИКИМС» Под редакцией С.П. Тимошенкова. –М.:МИЭТ – 2012. - С. 36
- Симонов Б.М. Бритков О.М. Изучение технологии изготовления полупроводниковых микросхемс диэлектрической и комбинированной изоляцией. Методические указания к выполнению лабораторных работ. Лабораторный практикум по курсу «ТИКИМС» Под редакцией С.П. Тимошенкова. –М.:МИЭТ – 2012. - С. 30