Персона

Бойко Антон Николаевич кандидат технических наук, доцент

Подразделение	Должность
Институт нано- и микросистемной техники	доцент

Телефон: (499) 720-87-68

Факс: (499) 720-87-68

E-mail: anton.bojko@mail.ru

Аудитория: 4112

Краткая биография

Образование:

2006 г., Национальный исследовательский университет «МИЭТ», к.т.н. по специальности 05.27.06 – Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники, тема диссертации: «Конструктивно-технологические особенности изготовления микроэлектромеханических устройств торсионного типа»
2001 г., Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова, магистр техники и технологии по направлению «Электроника и микроэлектроника», тема диссертации: «Влияние облучения низкоэнергетическими ионами на состав поверхности монокристаллов Pb-In»

Достижения:

2018, победа в конкурсе «Золотые Имена Высшей Школы - 2018»
2012/2013 г., грант на поддержку научных исследований в рамках федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы
2010/2011 гг., грант на проведение совместных научных исследований с Институтом электронных наносистем Fraunhofer ENAS (Германия) при поддержке российско-германской программы «Михаил Ломоносов-II»
2008 г., грант Президента Российской Федерации для поддержки молодых российских ученых – кандидатов наук

Читаемые курсы

Микро- и нанотехнологии производства электронных средств
Основы технологии микроэлектроники
Конструкторское проектирование и технология производства БИС и СБИС

Научная деятельность

Опыт научной работы:

Исследования и разработки в области микросистемной техники. Сфера научных интересов: технологии герметизации и контроля герметичности микросистем, газопоглощающие материалы для микросистем, функциональные наноматериалы. Основные научные достижения:

Разработка конструкции устройства для контроля герметичности микроструктур групповым способом
Исследование газопоглощающих материалов на основе Ti-V и пористого кремния
Исследование нанофункциональных материалов на основе пористого кремния

Повышение квалификации:

2017, Университет «ИТМО», Санкт-Петербург, программа «Технологические брокеры: драйвер развития национальной инновационной экосистемы»
2017, НИУ МИЭТ, Москва, программа «Использование электронного обучения и современных средств ИКТ в учебном процессе вуза»
2016, НИУ ВШЭ, Москва, программа «Теория и практика деятельности отраслевых центров научно-технологического прогнозирования»
2008, Москва, Школа-студия научной журналистики

Публикации:

Автор и соавтор более 50-ти научных публикаций, в том числе 2-х учебно-методических пособий и 6-ти патентов. Основные научные публикации:
M. Burakov, D. Vertyanov, A. Boyko, A. Sosnovsky, “Investigation of TSV metallization for MEMS packaging technology”, Proc. of 2018 IEEE Conf. of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus), Moscow, 2018, pp. 1599-1603. doi: 10.1109/EIConRus.2018.8317406
A. Boyko, O. Pyatilova, R. Kalmykov, D. Gaev, S. Timoshenkov and S. Gavrilov, "Study of morphological characteristic of por-Si formed using metal-assisted chemical etching by BET-method and fractal geometry", Proc. SPIE 10224, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2016, 102240H (December 30, 2016); doi:10.1117/12.2267147
“Application of Fractal Analysis for Estimation of Morphological and Physical Properties of Nanostructured Materials”, Proc. XII International Conf. on Nanostructured Materials (NANO 2014), Moscow, 2014, pp02.005.
A. Boyko, A. Shalimov, S. Timoshenkov, P. Kovyrkin, "Development of driving setup for micromechanical friction vacuum gauge," Proc. SPIE 9440, Int. Conf. on Micro- and Nano-Electronics 2014, 94400U (December 18, 2014); doi:10.1117/12.2180876
A. Boyko, D. Gaev, S. Timoshenkov, Y. Chaplygin and V. Petrov, "The Study of Different Structuring Techniques for Creation of Non-Evaporable Getters," Materials Sciences and Applications, Vol. 4 No. 8A, 2013, pp. 57-61. doi: 10.4236/msa.2013.48A007
S. Timoshenkov, D. Gaev, A. Boyko, “The Use of Porous Silicon for Nanostructuring of Functional Metal Layers for MEMS”, Applied Mechanics and Materials, Vols. 313-314, 2013, pp. 108-111; doi: 10.4028/www.scientific.net/AMM.313-314.108
A. Boyko, D. Gaev, S. Timoshenkov, D. Litmanovich, “Controllable Growth of Copper Fractal Aggregates on Structurally Modified Silicon Surface”, Proc. XXXII Int. Scientific Conf. ELNANO'2013, Kyiv, 2013. pp. 185-187. doi: 10.1109/ELNANO.2013.6551999
D. Gaev, A. Boyko, S. Timoshenkov, “Investigation of dependence of morphology and fractal characteristics of porous silicon on anodizing conditions,” Int. Conf. "Micro- and Nanoelectronics – 2012" (ICMNE-2012), Moscow-Zvenigorod, 2012. P1-26
S. P. Timoshenkov, A. N. Boiko, B. M. Simonov, “Parameter estimation technique for sensitive elements of microaccelerometers and micromirrors”, Semiconductors, Volume 42, Number 13, 2008. pp. 1564-1568.

Патенты:

Пат. 2614663 Российская Федерация, Варикап и способ его изготовления/ С.П. Тимошенков, Д.С. Гаев, А.Н. Бойко. – №2015156481; заявл. 29.12.2015; опубл. 28.03.2017, Бюл. №10. – 10 с.
Пат. 2439739 Российская Федерация, Нанокомпозитная газопоглощающая структура/ С.П. Тимошенков, Д.С. Гаев, А.Н. Бойко. – №2010148881/07; заявл. 01.12.2010; опубл. 10.01.2012, Бюл. №1. – 6 с.
Пат. на полезную модель 128394 Российская Федерация, Газопоглощающая структура/ С.П. Тимошенков, Д.С. Гаев, А.Н. Бойко. – 2012149070/07; заявл. 20.11.2012; опубл. 20.05.2013, Бюл. №14.
Пат. 2474912 Российская Федерация, Способ получения газопоглощающей структуры/ С.П. Тимошенков, Д.С. Гаев, А.Н. Бойко. – №2011135024/07; заявл. 23.08.2011; опубл. 10.02.2013, Бюл. №4. – 9 с.
Пат. 2523718 Российская Федерация, Нанокомпозитная газопоглощающая структура и способ ее получения/ С.П. Тимошенков, Д.С. Гаев, А.Н. Бойко. – №2012149068/07; заявл. 20.11.2012; опубл. 20.07.2014, Бюл. №20. – 8 с.
Пат. 2538420 Российская Федерация, Устройство контроля герметичности микроструктур/ А.Н. Бойко, Д.С. Гаев, С.П. Тимошенков. – №2012140768/28; заявл. 25.09.2012; опубл. 27.03.2014, Бюл. №9. – 7 с.