Старая версия сайта доступна по ссылке http://old.miet.ru Перейти
  
  
  
  
Бойко Антон Николаевич кандидат технических наук, доцент

Краткая биография

Образование:

  • 2006 г., Национальный исследовательский университет «МИЭТ», к.т.н. по специальности 05.27.06 – Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники, тема диссертации: «Конструктивно-технологические особенности изготовления микроэлектромеханических устройств торсионного типа»

  • 2001 г., Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова, магистр техники и технологии по направлению «Электроника и микроэлектроника», тема диссертации: «Влияние облучения низкоэнергетическими ионами на состав поверхности монокристаллов Pb-In»

Достижения:

  • 2018, победа в конкурсе «Золотые Имена Высшей Школы - 2018»

  • 2012/2013 г., грант на поддержку научных исследований в рамках федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы

  • 2010/2011 гг., грант на проведение совместных научных исследований с Институтом электронных наносистем Fraunhofer ENAS (Германия) при поддержке российско-германской программы «Михаил Ломоносов-II»

  • 2008 г., грант Президента Российской Федерации для поддержки молодых российских ученых – кандидатов наук


Читаемые курсы

  • Микро- и нанотехнологии производства электронных средств

  • Основы технологии микроэлектроники

  • Конструкторское проектирование и технология производства БИС и СБИС


Научная деятельность

Опыт научной работы:

Исследования и разработки в области микросистемной техники. Сфера научных интересов: технологии герметизации и контроля герметичности микросистем, газопоглощающие материалы для микросистем, функциональные наноматериалы. Основные научные достижения:

  • Разработка конструкции устройства для контроля герметичности микроструктур групповым способом

  • Исследование газопоглощающих материалов на основе Ti-V и пористого кремния

  • Исследование нанофункциональных материалов на основе пористого кремния


Повышение квалификации:

  • 2017, Университет «ИТМО», Санкт-Петербург, программа «Технологические брокеры: драйвер развития национальной инновационной экосистемы»

  • 2017, НИУ МИЭТ, Москва, программа «Использование электронного обучения и современных средств ИКТ в учебном процессе вуза»

  • 2016, НИУ ВШЭ, Москва, программа «Теория и практика деятельности отраслевых центров научно-технологического прогнозирования»

  • 2008, Москва, Школа-студия научной журналистики

Публикации:

  • Автор и соавтор более 50-ти научных публикаций, в том числе 2-х учебно-методических пособий и 6-ти патентов. Основные научные публикации:

  • M. Burakov, D. Vertyanov, A. Boyko, A. Sosnovsky, “Investigation of TSV metallization for MEMS packaging technology”, Proc. of 2018 IEEE Conf. of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus), Moscow, 2018, pp. 1599-1603. doi: 10.1109/EIConRus.2018.8317406

  • A. Boyko, O. Pyatilova, R. Kalmykov, D. Gaev, S. Timoshenkov and S. Gavrilov, "Study of morphological characteristic of por-Si formed using metal-assisted chemical etching by BET-method and fractal geometry", Proc. SPIE 10224, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2016, 102240H (December 30, 2016); doi:10.1117/12.2267147

  • “Application of Fractal Analysis for Estimation of Morphological and Physical Properties of Nanostructured Materials”, Proc. XII International Conf. on Nanostructured Materials (NANO 2014), Moscow, 2014, pp02.005.

  • A. Boyko, A. Shalimov, S. Timoshenkov, P. Kovyrkin, "Development of driving setup for micromechanical friction vacuum gauge," Proc. SPIE 9440, Int. Conf. on Micro- and Nano-Electronics 2014, 94400U (December 18, 2014); doi:10.1117/12.2180876

  • A. Boyko, D. Gaev, S. Timoshenkov, Y. Chaplygin and V. Petrov, "The Study of Different Structuring Techniques for Creation of Non-Evaporable Getters," Materials Sciences and Applications, Vol. 4 No. 8A, 2013, pp. 57-61. doi: 10.4236/msa.2013.48A007

  • S. Timoshenkov, D. Gaev, A. Boyko, “The Use of Porous Silicon for Nanostructuring of Functional Metal Layers for MEMS”, Applied Mechanics and Materials, Vols. 313-314, 2013, pp. 108-111; doi: 10.4028/www.scientific.net/AMM.313-314.108

  • A. Boyko, D. Gaev, S. Timoshenkov, D. Litmanovich, “Controllable Growth of Copper Fractal Aggregates on Structurally Modified Silicon Surface”, Proc. XXXII Int. Scientific Conf. ELNANO'2013, Kyiv, 2013. pp. 185-187. doi: 10.1109/ELNANO.2013.6551999

  • D. Gaev, A. Boyko, S. Timoshenkov, “Investigation of dependence of morphology and fractal characteristics of porous silicon on anodizing conditions,” Int. Conf. "Micro- and Nanoelectronics – 2012" (ICMNE-2012), Moscow-Zvenigorod, 2012. P1-26

  • S. P. Timoshenkov, A. N. Boiko, B. M. Simonov, “Parameter estimation technique for sensitive elements of microaccelerometers and micromirrors”, Semiconductors, Volume 42, Number 13, 2008. pp. 1564-1568.

Патенты:

  • Пат. 2614663 Российская Федерация, Варикап и способ его изготовления/ С.П. Тимошенков, Д.С. Гаев, А.Н. Бойко. – №2015156481; заявл. 29.12.2015; опубл. 28.03.2017, Бюл. №10. – 10 с.


  • Пат. 2439739 Российская Федерация, Нанокомпозитная газопоглощающая структура/ С.П. Тимошенков, Д.С. Гаев, А.Н. Бойко. – №2010148881/07; заявл. 01.12.2010; опубл. 10.01.2012, Бюл. №1. – 6 с.

  • Пат. на полезную модель 128394 Российская Федерация, Газопоглощающая структура/ С.П. Тимошенков, Д.С. Гаев, А.Н. Бойко. – 2012149070/07; заявл. 20.11.2012; опубл. 20.05.2013, Бюл. №14.

  • Пат. 2474912 Российская Федерация, Способ получения газопоглощающей структуры/ С.П. Тимошенков, Д.С. Гаев, А.Н. Бойко. – №2011135024/07; заявл. 23.08.2011; опубл. 10.02.2013, Бюл. №4. – 9 с.

  • Пат. 2523718 Российская Федерация, Нанокомпозитная газопоглощающая структура и способ ее получения/ С.П. Тимошенков, Д.С. Гаев, А.Н. Бойко. – №2012149068/07; заявл. 20.11.2012; опубл. 20.07.2014, Бюл. №20. – 8 с.

  • Пат. 2538420 Российская Федерация, Устройство контроля герметичности микроструктур/ А.Н. Бойко, Д.С. Гаев, С.П. Тимошенков. – №2012140768/28; заявл. 25.09.2012; опубл. 27.03.2014, Бюл. №9. – 7 с.