Старая версия сайта доступна по ссылке http://old.miet.ru Перейти
  
  
  
  
Белов Алексей Николаевич доктор технических наук

Краткая биография

Образование

2003 – Московский государственный институт электронной техники (технический университет).

2005 – кандидат технических наук, Московский государственный институт электронной техники (технический университет).

2012 – доктор технических наук, Национальный исследовательский университет «МИЭТ»

Занимаемые должности

2003 - 2005 – аспирант кафедры «Материаловедение и физическая химия»;

2006 - 2009 – доцент кафедры «Материаловедение и физическая химия»;

2009 - 2012 – докторант кафедры «Материаловедение и физическая химия»;

C 2013 г. – доцент кафедры материалов функциональной электроники.

Научная деятельность

Область научных интересов

электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники, материалы функциональной и органической электроники, процессы формирования и изучение свойств наноструктур на основе пористых и кристаллических материалов.

Публикации

Опубликовано более 100 работ, автор 8 патентов

Наиболее важные публикации за последние 5 лет

A. N. Belov Local etching of silicon using a solid mask from porous aluminum oxide // Semiconductors.– 2008.– Vol. 42.– No. 13.–P.1519-1521

А.Н. Белов, А.А. Дронов, И.Ю. Орлов Особенности электрохимического формирования слоев оксида титана с заданными геометрическими параметрами структуры. Известия вузов. Электроника. 2009. №1. с. 16-21

А.Н. Белов, А.А. Голишников, Ю.А. Демидов, М.Г. Путря, А.А. Егоров Нанопрофилирование кремния с использованием твердой маски оксида алюминия и комбинированного «сухого» травления Известия вузов. Электроника. 2009. №2. с. 39-42

С.А.Гаврилов, А.А.Дронов, В.И.Шевяков, А.Н.Белов, Э.А.Полторацкий. Пути повышения эффективности солнечных элементов с экстремально тонкими поглощающими слоями. Российские нанотехнологии. 2009.–Т.4.–№ 3-4 с. 103–109

А.Н. Белов Формирование наноструктурированного оксида титана методом анодного окисления двухслойных структур алюминий–титан // Нанотехника.–2010.– Т. 21, № 1б С. 78-81

A.N.Belov, S.A. Gavrilov, I.V. Sagunova, A.A. Tikhomirov, Yu.A. Chaplygin Test structure to determine tip sharpness // Nanotechnologies in Russia.–2010.–V.5.–N.5-6.–P.377-382

A.N. Belov • S.A. Gavrilov • V.I. Shevyakov • E.N. Redichev Pulsed electrodeposition of metals into porous anodic alumina // Appl. Phys. A.– 2011.–V. 102.–N. 1.–P. 219-223

I. V. Sagunova, V. I. Shevyakov, S. A. Gavrilov, and A. N. Belov. Kinetics of Local Probe Oxidation of Ultrathin V, Nb, Ta, Ti, TiN, and W Metal Films // Semiconductors.– 2010.– V.44.– N.13.– Р. 1709–1713.

Белов А.Н., Гаврилин И.М., Гаврилов С.А., Дронов А.А. Особенности морфологии пленок оксида титана, полученных вытягиванием подложек из раствора, Известия вузов. Электроника, 2010.– №6.– С. 37-41

Белов А.Н., Гаврилин И.М., Гаврилов С.А., Дронов А.А., Шулятьев А.С. Высокоупорядоченные массивы нанотрубок TiO2 в фотоэлектрических преобразователях на гибком носителе// Известия вузов. Электроника.– 2011.–№2.–С. 38-42

Белов А.Н., Гаврилов С.А., Назаркин М.Ю., Шевяков В.И., Лемешко С.В. Исследование функциональных возможностей сканирующей электропроводящей микроскопии// Известия вузов. Электроника.– 2011.– № 3.– С. 75- 81

А.Н. Белов, Ю.В. Волосова С.А. Гаврилов, А.В. Железнякова, М.Ю.Назаркин, В.И. Шевяков Низкотемпературные методы создания наноструктурированных оксидов титана и цинка с заданной морфологией // Известия вузов. Электроника.– 2011.– № 5.– С. 62- 68

А.Н. Белов, С.А. Гаврилов, Ю.А. Демидов, В.И. Шевяков Особенности формирования маски пористого анодного оксида алюминия для плазменного локального травления кремния // Российские нанотехнологии.–2011.–Т. 6.–.№1 1-12.–С. 6-10

A. N. Belov, S. A. Gavrilov, Yu. A. Demidov, and V. I. Shevyakov Features of the Formation of Porous Alumina Mask for Local Plasma Etching of Semiconductors // Nanotechnologies in Russia.- 2011- V. 6.- N. 11–12.- Р. 711–716.

A. N. Belov, I. M. Gavrilin, S. A. Gavrilov, and A. A. Dronov Specific Features of the Morphology of Titanium Oxide Films Prepared by Pulling Silicon Substrates from a Solution // Semiconductors.– 2011.– V.45.– N.13.– Р. 33–35.

Белов А.Н., Волосова Ю.В., Гаврилов С.А., Редичев Е.Н., Шевяков В.И. Электрохимический реактор для получения пористых анодных оксидов металлов и полупроводников // Нанотехника. – 2011. - № 4. – С. 58 – 61.

Белов А.Н. Волосова Ю.В., Гаврилов С.А. Влияние геометрических параметров пористых слоев оксида алюминия на характеристики влагочувствительной структуры на его основе// Известия вузов. Электроника.– 2012.– № 1.– С. 11- 15.

О.В. Пятилова, А.В. Сыса, А.Н. Белов, А.А. Раскин Формирование наноструктур Ag/Ag2S для элементов резистивной памяти на поверхности SiO2 и Cu/C // Нанотехника.–2012.–№3.–С.60-63

Д.Г. Громов, О.В. Пятилова, А.Н. Белов, С.В. Булярский, А.А. Раскин Особенности формирования массива кластеров серебра из тонкой пленки на поверхности SiO2 // ФТТ .– 2013.–Т.5.–№3.– С. 562-566

В.В. Амеличев, А.Н. Белов, Ю.В. Назаркина, В.А Галперин, С.И.Касаткин, О.С Колотов, А.М. Муравьёв, Н.В. Плотникова, П.А. Поляков, Н.Е. Сырьев, Ю.П. Шаман Высокочастотные свойства нанообъектов с ферромагнитным материалом // Нано- и микросистемная техника.–2013.–№1– С. 29-36