МИЭТ

Национальный
исследовательский
университет

Орден трудового красного знамени
Рейтинг QS

National Research University of
Electronic Technology

Версия для слабовидящих Версия для печати Поиск по сайту На гланую страницу сайта
Авторизация

Шерченков Алексей Анатольевич

доктор технических наук, профессор
Шерченков Алексей Анатольевич
Телефон: (499) 720-87-32
E-mail: mfh.miet@gmail.com
Аудитория: 4137

ПодразделениеДолжность
Кафедра материалов функциональной электроникипрофессор

Краткая биография

Выпускник МИЭТ, работает в МИЭТ с 1985 года.

Доктор технических наук (2003 г.)

Почетный работник высшего профессионального образования Российской Федерации.


Читаемые курсы

Подготовил и читает лекции по курсам:

  • Материалы электронной техники

  • Материалы и элементы электронной техники

  • Физика и химия полупроводников

  • Полупроводниковые преобразователи энергии

  • Возобновляемые источники энергии

  • Физика и технология фотоэлектрических преобразователей энергии


Научная деятельность

Направления научно-технической деятельности:

  • неупорядоченные полупроводники, халькогенидные стеклообразные полупроводники,

  • энергонезависимые запоминающие устройства, фазовая память,

  • физика и технология полупроводников, перспективные материалы и технологии твердотельной электроники;

  • термодинамика неравновесных систем;

  • возобновляемые источники энергии, полупроводниковые преобразователи энергии;

  • высокоточные температурные технологии.

А.А. Шерченков являлся руководителем и исполнителем более 20 НИР, выполненных в МИЭТ.

Под руководством А.А. Шерченкова защищено 7 диссертаций кандидатов технических наук, более 100 выпускных работ бакалавров, специалистов и магистров.

Автор более 200 научных и учебно-методических трудов, в том числе 11 учебных пособий, 2 монографии, 3 патента на изобретения.

Список публикаций с 2013 года:

  1. A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, A. Babich, P. Lazarenko. Thermal properties of phase change material Ge2Sb2Te5 doped with Bi // J. Non-Cryst. Solids, 2013, Vol. 377, P.26-29. DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2013.01.006.
  2. Kozyukhin, S. A.; Sherchenkov, A. A.; Babich, A. V. Phase separation in chalcogenide semiconductors of the Ge-Te system upon thermal cycling. // Semiconductors. – 2013. – Vol. 47. – Issue 13. – P. 1680-1683. DOI: 10.1134/S1063782613130101.
  3. A.Sherchenkov, S.Kozyukhin, A.Babich. Estimation of kinetic parameters for the phase change memory materials by DSC measurements // J Therm Anal Calorim. Vol. 117 (Issue 3), 2014, pp. 1509-1516. 10.1007/s10973-014-3899-8.
  4. A. Babich, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, P. Lazarenko, O. Boytsova, A. Shuliatyev. Effect of doping on the crystallization kinetics of phase change memory materials on the basis of Ge–Sb–Te system // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. – 2016. pp. 1-8. IF: 2,042. DOI: 10.1007/s10973-016-5503-x.
  5. P.I.Lazarenko, S.A.Kozyukhin, A.A.Sherchenkov, A.V.Babich, S.P.Timoshenkov, D.G.Gromov, A.V.Zabolotskaya, V.V.Kozik. Electrophysical properties of Ge-Sb-Te thin films for phase change memory devices. Russian Physics Journal.- 2016. Vol. 59, No 9, pp.80-86. IF: 0,667.
  6. Sherchenkov, A.A. Electrical properties and transport mechanisms in phase change memory thin films of quasi-binary-line GeTe–Sb2Te3 chalcogenide semiconductors / A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, P.I. Lazarenko, A.V. Babich, N.A. Bogoslovskiy, I.V. Sagunova, E.N. Redichev // Semiconductors. – Vol. 51. – No 2. – 2017. – pp. 146-152. DOI: 10.1134/S1063782617020191.
  7. Sherchenkov, A.A. Integral isoconversional method for evaluating crystallization parameters of thin films of Ge2Sb2Te5 phase change memory materials / A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, A.V. Babich, P.I. Lazarenko, A.I. Vargunin // Inorganic Materials. – Vol. 53. – No 1. -2017. – pp. 45-49. DOI: 10.1134/S0020168517010150.
  8. Лазаренко П.И., Козюхин С.А., Шерченков А.А., Литвинов В.Г., Ермачихин А.В., Нгуен Х.Ф., Редичев Е.Н. Электрофизические свойства аморфных тонких пленок Ge2Sb2Te5, легированных Bi // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2013. № 4-3 (46). С. 83-87.
  9. Козюхин С.А., Шерченков А.А., Бабич А.В. Фазовое разделение в халькогенидных полупроводниках системы Ge-Te при термоциклировании // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 2 (100). С. 3-8.
  10. Тимошенков С.П., Шерченков А.А., Нальский А.А., Ревина А.А., Лобус Р.Е. Источник тока на фотоэлектрическом эффекте с повышенными показателями эффективности // Нано- и микросистемная техника. 2014. № 11. С. 25-28.
  11. P.I.Lazarenko, A.A.Sherchenkov, S.S.Kozyukhin, M.Y.Shtern, S.P.Timoshenkov, D.G.Gromov, E.N.Redichev. Investigation of transport mechanisms in Bi doped Ge2Sb2Te5 thin films for phase change memory application // Proc. of SPIE, vol. 9440 2014, pp. 944006-1 - 944006-9. DOI: 10.1117/12.2180999.
  12. A.A.Sherchenkov, S.S.Kozyukhin, A.V.Babich, Y.I.Shtern, R.E.Mironov. Influence of doping on the crystallization kinetics of Ge-Sb-Te thin films for phase-change memory application // Proc. SPIE vol. 9440, 2014, pp. 944005-1 - 944005-10. DOI: 10.1117/12.2181906
  13. S.Kozyukhin, A.Sherchenkov, A.Babich, P.Lazarenko, Huy Phuc Nguyen, O.Prikhodko. Peculiarities of Bi Doping of Ge-Sb-Te Thin Films for PCM Devices // Canadian Journal of Physics. - 2014, Vol. 92, No. 7/8, pp. 684-689. DOI: 10.1139/cjp-2013-0607
  14. Timoshenkov S.P., Sherchenkov A.A., Nalsky A.A., Revina A.A. Current source based on photoelectric effect with enhanced efficiency // Solid State Phenomena Vol. 213 (2014) pp 192-199. DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.213.192
  15. Шерченков А.А., Штерн Ю.И., Миронов Р.Е., Штерн М.Ю., Рогачев М.С. Современное состояние термоэлектрического материаловедения и поиск новых эффективных материалов // Российские нанотехнологии. 2015. Т. 10. № 11-12. С. 22-32…
  16. Babich, A; Sherchenkov, A; Kozyukhin, S; Lazarenko, P; Timoshenkov, S. Investigation of the Crystallization Kinetics in Ge-Sb-Te-Bi and Ge-Sb-Te-Ti Thin Films // International Conference on Computer Science And Information. – 2015. pp. 498-502. WOS:000363781300089
  17. Lazarenko, P; Sherchenkov, A; Kozyukhin, S; Babich, A; Timoshenkov, S; Gromov, D; Yakubov, A; Terekhov, D Influence of Bi Doping on the Electrical Properties of Ge2Sb2Te5 Thin Films for Phase Change Memory Application // International Conference on Computer Science And Information. – 2015. pp. 498-502. WOS:000363781300087
  18. A.O.Yakubov, D.Y.Terekhov, A.A.Sherchenkov, S.A.Kozyuhhin, P.I.Lazarenko, A.V.Babich, S.P.Timoshenkov, D.G.Gromov, A.S.Shuliatyev. Electrophysical properties of phase change memory materials on the pseudo-binary line GeTe-Sb2Te3. Journal of Physics: Conference Series. 2015. Vol. 643. pp.012104-1 - 012104-6. DOI: 10.1088/1742-6596/643/1/012104
  19. P.Lazarenko, A.Sherchenkov, S.Kozyukhin, A.Babich, S.Timoshenkov, A.Shuliatyev, V.Kudoyarova. Electrical properties and transport mechanisms in Ge-Sb-Te thin films. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials.- vol. 18, iss. 1-2, 2016, pp. 50-55. WOS:000374426500009
  20. Шерченков А.А., Штерн Ю.И, Штерн М.Ю., Рогачев М.С. Современное состояние термоэлектрического материаловедения и поиск новых эффективных материалов // Российские нанотехнологии. 2015. Т. 10. № 11-12. С. 22-32.
  21. Lazarenko P.I., Sherchenkov A.A., Kozyukhin S.A., Babich A.V., Nguen H.P., Timoshenkov S.P., Gromov D.G., Yakubov A.O., Terekhov D.Y. Influence of indium doping on the electrical properties of Ge2Sb2Te5 thin films for nonvolatile phase change memory devices // Journal of Physics: Conference Series. - 2016. - Vol. 690. - pp. 012006-1 - 012006-6. DOI: 10.1088/1742-6596/690/1/012006
  22. S.Kozyukhin, Y.Vorobyov, A.Sherchenkov, A.Babich, N.Vishnyakov, O.Boytsova. Isothermal crystallization of Ge2Sb2Te5 amorphous thin films and estimation of information reliability of PCM cells.- Physica Status Solidi (A) Application and Material Science.- 2016.- vol. 213, Iss. 7, pp.1831-1838. 10.1002/pssa.201532930
  23. Sherchenkov A.A., Kozyukhin S.A., Lazarenko P.I., Babich A.V., Timoshenkov S.P., Gromov D.G., Yakubov A.O., Terekhov D.Y. Influence of Ti doping on the properties of Ge-Sb-Te thin films for phase change memory // Solid State Phenomena. - 2016. - Vol. 247. - P. 30-38. DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.249.30
  24. P.I. Lazarenko, A.A.Sherchenkov, S.A.Kozyukhin, A.V.Babich, S.P.Timoshenkov, D.G.Gromov, A.S.Shuliatyev, E.N.Redichev. Electrical properties of the Ge2Sb2Te5 thin films for phase change memory application. - AIP Conference Proceedings.- 2016.- vol. 1727, pp. 020013-1 - 020013-6. DOI: 10.1063/1.4945968
  25. A.Babich, A.Sherchenkov, S.Kozyukhin, P.Lazarenko, S.Timoshenkov, O.Boytsova. Investigation of the crystallization kinetics in Ge-Sb-Te-Bi and Ge-Sb-Te-In phase-change memory materials. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials.- 2016.- vol. 18, iss. 3-4, pp. 235-239. WOS:000375964800008
  26. Y.I.Shtern, R.E.Mironov, M.Y.Shtern, A.A.Sherchenkov, M.S.Rogachev. Technology and Investigation of Ohmic Contacts to Thermoelectric Materials. Acta Physica Polonica A, Vol. 129, No. 4, 2016, pp. 785-787. DOI: 10.12693/APhysPolA.129.785
  27. Yu.I.Shtern, M.Yu.Shtern, R.E.Mironov, A.A.Sherchenkov, M.S.Rogachev. Technology of Thin Film Fabrication on Porous Metal Oxide Substrates. Acta Physica Polonica A, Vol. 129, No. 4, 2016, pp. 776-778. DOI: 10.12693/APhysPolA.129.776
  28. A.V.Babich, A.A.Sherchenkov, S.A.Kozyukhin, S.P.Timoshenkov. Investigation of the Crystallization Kinetics in Ge-Sb-Te-Bi Thin Films for Phase Change Memory Application. Acta Physica Polonica A, Vol. 129, No. 4, 2016, pp. 717-720. DOI: 10.12693/APhysPolA.129.717
  29. P.I. Lazarenko, A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, D.Y. Terekhov, A.O. Yakubov, A.V. Babich, A.S. Shuliatyev, I.V. Sagunova, E.N. Redichev. Influence of the composition on the thermoelectric and electro-physical properties of Ge-Sb-Te thin films for phase change memory application. Journal of Nano- and Electronic Physics.- 2016.- vol. 8, No 3, pp.03033-1 - 03033-4. DOI: 10.21272/jnep.8(3).03033
  30. Yu.I. Shtern, A.A. Sherchenkov, A.V. Babich, M.S. Rogachev. Investigation of nanostructured thermoelectric material Si0.8Ge0.2P0.022 for application in multisectional legs of thermoelectric elements. Journal of Nano- and Electronic Physics.- 2016.- v. 8, No 4, pp. 04049-1-04049-3. DOI: 10.21272/jnep.8(3).03030
  31. A. Sherchenkov, P. Lazarenko, A. Babich, N. Korobova, S. Timoshenkov, A. Yakubov, D. Terekhov, A. Shuliatyev, S. Kozyukhin, O. Boytsova. Electrical properties and transport mechanisms in Ge-Sb-Te thin films for nanoelectronics // IEEE-NANO 2015. – 2016. pp. 885-888. DOI: 10.1109/NANO.2015.7388756.

Список результатов интеллектуальной деятельности с 2016 г.:

  1. Патент на изобретение № 2610058 Российская Федерация. Способ получения материала фазовой памяти / С. А. Козюхин, В. А. Варгунин, А. А. Шерченков, П. И. Лазаренко, А.В. Бабич ; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – заявка № 2015152018 ; заявл. 04.12.2015 ; опубл. 07.02.2017.

  2. Патент на изобретение № 2609764 Российская Федерация. Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти / С. П. Тимошенков, А. А. Шерченков, Н. Е. Коробова, П. И. Лазаренко, В. В. Калугин, А. В. Бабич ; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – заявка № 2015145724 ; заявл. 26.10.2015 ; опубл. 02.02.2017.

  3. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ, № 2016611306. Программное обеспечение для измерительного комплекса по исследованию теплового расширения материалов и структур / Штерн Ю.И., Лазаренко П.И., Терехов Д.Ю., Рогачев М.С., Шерченков А.А. ; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». –гос. регистрация 29.01.2016.

  4. Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы, № 2016630044. Ячейки энергонезависимой фазовой памяти планарного типа для записи и хранения информации. / Тимошенков С.П., Шерченков А.А., Лазаренко П,И., Терехов Д.Ю., Коробова Н.Е., Калугин В.В. ; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». дата гос. регистрация 20.02.2016.

  5. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ, № 2016618045. Программное обеспечение программно-аппаратного комплекса для проведения исследования вольтамперных характеристик тонкопленочных образцов материалов фазовой памяти в широком температурном диапазоне. / Якубов А.О, Лазаренко П.И., Шерченков А.А., Тимошенков С.П. ; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». гос. регистрация 20.07.2016.

  6. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ, № 2016618637. Программный комплекс для управления устройствами, входящих в состав систем отопления и кондиционирования, использующих тепловые насосы.; Штерн Ю.И., Лазаренко П.И., Караваев И.С., Рогачев М.С., Шерченков А.А. гос. регистрация 03.08.2016.