| Подразделение | Должность |
| Институт интегральной электроники имени академика К.А. Валиева (ИнЭл) | доцент |
Краткая биография
Родился в1960 году в г. Москве.
В1984 году закончил Московский институт электронной техники.
В2002 году защитил кандидатскую диссертацию на соискание степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 на тему «Исследование и разработка процессов плазменного травления функциональных слоев СБИС с использованием источников высокоплотной плазмы».
Стаж научно-педагогической деятельности составляет более 30 лет, в том числе стаж педагогической работы в высших учебных заведениях около 18 лет. Автор более 90 научных работ.
Специалист в области технологии микро- и наноэлектроники, процессов плазменного травления и получения функциональных слоев с использованием методов физического осаждения из газовой фазы.
Читаемые курсы
Для потока студентов-бакалавров третьего курса по направлению подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», программа «Автоматизация проектирования изделий микро- и наноэлектроники» (семинары, лабораторные работы):
- Технология интегральных схем
- Основы технологии электронной компонентной базы
Для студентов-магистрантов 2 курса по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника», программа «Проектирование и технология устройств интегральной наноэлектроники» (семинары, лабораторные работы):
- Технологические процессы наноэлектроники. Специальные разделы.
Научная деятельность
Основные публикации за 2017-2021 год:
1 V. Zhigalov, A. Emelianov, A. Golishnikov, V. Petukhov, E. Kitsyuk// Enhancement of electric field by silicon pillars in low voltage carbon nanotube cold cathodes. 2018 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus).– 2018. - P.2014 – 2017. DOI: 10.1109/EIConRus.2018. 8317508
2 Влияние геометрии катодов на усиление электрического поля в вакуумных приборах холодной эмиссии//Международная конференция «Интеллектуальные системы и микросистемная техника»: сборник трудов. – М.: МИЭТ. - 2018.– С.112-119.
3 А.Н. Белов, А.А. Голишников, М.В. Кислицын,А.А. Перевалов,А.В. Солнышкин,В.И. Шевяков//Формирование массива мемристорных структур с использованием самоорганизующейся матрицы пористого анодного оксида алюминия. Российские нанотехнологии. –2018. - т. 13. - № 1-2. -С. 36-40.
4 A.N. Belov, A.A. Golishnikov, M.V. Kislitsin, A.A. Perevalov, A.V. Solnyshkin, V.I. ShevyakovFormation of an Array of Memristor Structures Using a Self-Assembly Matrix of Porous Anodic Aluminum Oxide //Nanotechnologies in Russia. – 2018. - Vol. 13. - Nos. 1–2. -P. 34–37. ISSN 1995-0780.
5 А.Н. Белов, А.А. Голишников, А.М. Мастинин, А.А. Перевалов, В.И. Шевяков Исследование процесса формирования мемристорных структур на основе сульфида меди//Известия вузов. Электроника. – 2018. -т.23. - №6. -С. 565-571.
6 A.A. Golishnikov, D.A. Kostyukov, M.G. Putray, V.I. Shevyakov Features of silicon deep plasma etching process at 3D-TSV structures producing//Proceedings of the International Conference «Micro-and Nanoelectronics-2018». – 2018. - P2-31. –P. 187.
7 Голишников А.А., Путря М.Г., Шевяков В.И.Исследование процесса глубокого плазменного травления кремния для создания 3D-TSV-структур.//Международный форум «Микроэлектроника-2018», 4-ая Международная научная конференция «Электронная компонентная база и электронные модули». –М.:Техносфера. - 2018. - с. 219-221.
8 А.Н. Белов, А.А. Голишников, Г.Н. Пестов, А.В. Солнышкин, В.И. Шевяков //Формирование пьезо- и пироэлектрических матриц с использованием нанопрофилированного оксида кремния //Российские нанотехнологии. –2018. - Т. 13. - № 11-12. -С. 54-58.
9 A.N. Belov, A.A. Golishnikov, G.N. Pestov, A.V. Solnyshkin, V.I. Shevyakov Formation of Piezo- and Pyroelectric Matrices with the Use of Nanoprofiled Silica//Nanotechnologies inRussia. – 2018. - Vol. 13. - Nos. 11–12. -P. 609–613.ISSN 1995-0780.
10 А.Н. Белов, А.А. Голишников, Д.А. Костюков, В.И. Шевяков Металлизация высокотемпературных кремниевых ИС на основе сплава вольфрама с титаном //Известия вузов. Электроника. –2019. - Т. 24. - № 1.– С.. 22-29.
11 Vladislav Zhigalov, Alexander Golishnikov, Alexey Romaskin, Michael Putrya, Yuri Chaplygin Field emission from the lateral surface of carbon nanotubes deposited on Si pillars//2019 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus). – 2019. - P.2083 – 2086. DOI: 10.1109/EIConRus.2019.8656696.
12 A.A. Golishnikov, D.A. Kostyukov, M.G. Putray, V.I. Shevyakov Features of silicon deep plasma etching process at 3D-TSV structures producing.// Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. - 2019. - Vol. 11022. - P. 110221Z-1-110221Z-8.
13 Голишников А.А., Емельянов A.В., Жигалов В.А, Путря М.Г., Ромашкин А.В. Исследование полевой эмиссии с боковой поверхности горизонтально расположенных УНТ на Si столбиках // Научно-практическая конференция «Интеллектуальные системы и микросистемная техника»: сборник трудов. – М.: МИЭТ. - 2019.– С.51-60.
14 Golishnikov, A.A., Solnyshkin, A.V., Kislova, I.L., Morsakov, I.M., Shevyakov, V.I., Kiselev, D.A.Dielectric properties of composite materials based on P(VDF-TrFE) copolymer and deuterated triglicyne sulfate crystal //Functional Materials Letters. -2019. - Vol. 12(4). – P. 1950048.
15 Голишников А.А., Путря М.Г., Шевяков В.И. Критические аспекты плазменного травления сквозных отверстий в кремнии//Международная конференция «Инновационные подходы к решению технико-экономических проблем: сборник трудов. – М.: МИЭТ. - 2019. – С.6-18.
16 Белов А.Н., Голишников А.А., Путря М.Г., Шевяков В.И. Исследование процесса химического осаждения затравочного и диффузионно-барьерного слоев на основе никелево-кобальтовых соединений для 3D-TSV технологии// Международный форум «Микроэлектроника-2019», 5-ая Международная научная конференция «Электронная компонентная база и электронные модули». –М.:Техносфера. - 2019. - С. 153-155.
17 Alexander V. Solnyshkin, Inna L. Kislova, Vasily I. Shevyakov, Alexey N. Belov, Alexander A. Golishnikov Tertiary pyroelectric effect in TGS group crystals// Ferroelectrics. - 2019.-Vol. 550. - P. 36-41.
18 Голишников А.А., Путря М.Г., Шевяков В.И. Исследование процесса глубокого плазменного травления кремния для создания 3D-TSV-структур// Наноиндустрия. -2019- № S89. – С. 224-225.
19 Belov A.N., Golishnikov, A.A., Mastinin A.M., Perevalov A.A., Shevyakov V.I.Study of the formation features of memristive structures based on copper sulfide. // Semiconductors. – 2019. - Vol. 53. - № 15.- P. 2024-2028.
20 А.А. Голишников, А.В. Тимаков, В.И. Шевяков. Исследование адгезионных свойств тонких пленок вольфрама и его сплавов на кремниевых подложках. // Сборник материалов Международной научно-практической конференции «Материаловедение, формообразующие технологии и оборудование. Ялта. - 2020. -С.22-26.
21 Alexander A. Golishnikov, Anna V. Lyubarskaya, Yury A. Chaplygin, Oleg V. PankratovStudy of Anisotropic Wet Chemical Etching for Silicon Microneedles Fabrication // 2021IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus). – 2021. - P.2579 – 2582. DOI:10.1109/ElConRus51938.2021.9396527.
22 СырцевП.К., ГолишниковА.А. Оптимизация технологического маршрута изготовления магниторезистивных датчиков для повышения процента выхода годных // Сборник статей по материалам научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика-2021». - М.: МИЭТ. - 2021. - С.117-122.ISBN 978-5-7256-0968-4.