Подразделение | Должность |
Институт интегральной электроники имени академика К.А. Валиева (ИнЭл) | доцент |
Краткая биография
Выпускница кафедры ПКИМС 1996 г.
С 2000 года – инженер кафедры ИЭМС.
С 2003 года – ассистент кафедры ИЭМС.
С 2009 года – старший преподаватель кафедры ИЭМС.
С 2011 года – доцент кафедры ИЭМС.
В 2010 году защитила кандидатскую диссертацию на соискание степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 на тему «Исследование и разработка конструктивно–технологических решений по расширению области безопасной работы мощных КНИ МОП–транзисторов интеллектуальных силовых интегральных схем».
Стаж научно-педагогической работы в высших учебных заведениях составляет более 20 лет.
Читаемые курсы
- Схемотехника (лекции, лабораторные работы)
- Основы проектирования электронной компонентной базы
- Моделирование технологических процессов (лабораторные работы)
- Моделирование маршрутов (семинары, руководство курсовым проектированием)
Научная деятельность
Область научных интересов – приборно-технологическое моделирование интегральных структур.
Основные публикации в 2017-2020 годах:
- Anton Y. Krasukov; Yuri A. Chaplygin; Tatiana Y. Krupkina; Andrew V. Solovev; Evgenia A. Artamonova, Analysis of simulation models for integrated semiconductor devices simulation with improved endurance to external conditions, IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus), 2017. p. P467-470.
- Tatiana Yu. Krupkina; Evgenia A. Artamonova; Anton Yu. Krasukov; Vladimir V. Losev; Andrew V. Solovev, TCAD simulation of TFET structures integrated in basic CMOS technology, IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus), 2017. p. P471-474.
- Y.A. Chaplygin, T.Y. Krupkina, A.Y. Krasukov, E.A. Artamonova, “Device-Technological Modeling of Integrated Circuit Electronics Elements with Improved Endurance to External Influences”, Russian Microelectronics, 2017 volume 46, issue 7.
- Anton Y. Krasyukov, Yuri Chaplygin, Tatiana Y. Krupkina, Evgenia A. Artamonova. “The study of the influence of field emitter design parameters on emission properties using TCAD simulation”, 2018 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus), DOI: 10.1109/EIConRus.2018.8317356.
- Чаплыгин Ю.А., Крупкина Т.Ю., Королев М.А., Красюков А.Ю., Артамонова Е.А., “Сравнительный анализ двухзатворных беспереходного и традиционного МОП-транзисторов средствами TCAD”, ”, сборник трудовVIII всероссийской научно-технической конференции “Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2018 (МЭС-2018)”, стр. 87-91, Москва., 2018.
- Anton Y. Krasukov ; Evgenia A. Artamonova ; Michail A. Korolev ; Yuri Chaplygin. “TCAD Simulation Study of 90 nm Junctionless SOI MOSFET”, 2019 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus), p. 1648-1652, 2019, DOI: 10.1109/EIConRus.2019.8657193.
- Ключников А.С., Красюков А.Ю., Артамонова Е.А., Королёв М.А. Влияние толщины пленки кремния КНИ-структуры на параметры планарного беспереходного МОП-транзистора // Известия вузов. Электроника. – 2019. – Т. 24. – № 1. – С. 87–91.
- Amelin, Y., Krasukov A., Artamonova E., «Experimental and TCAD Study of Breakdown Voltage Enhancement of high-voltage MOSFETs», 2020 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus), 2020.