| Подразделение | Должность |
| Институт перспективных материалов и технологий | профессор |
Краткая биография
Общий стаж работы и стаж работы по специальности – 42 года.
В 1971 году окончил Московский институт стали и сплавов по специальности «Полупроводники и диэлектрики», инженер электронной техники.
С 1971 по 1976 год работал в должности инженера, старшего инженера в Конструкторском бюро Специальных Магнитов (Министерство электронной техники СССР).
С 1976 года по настоящее время работает в МИЭТ (аспирант - 1976-1979 гг., младший научный сотрудник - 1980-1984 гг., старший научный сотрудник -1984-1991 гг., ведущий научный сотрудник - 1991-1997 гг. кафедры физическая химия, с 1997 - профессор кафедры «Промышленная экология»).
Награжден медалью в честь 850-летия Москвы.
В 2011 году обучался на курсах повышения квалификации работников вузов по направлению индустрия наносистем и материалов - конструкционные наноматериалы.
Читаемые курсы
- Теоретические основы защиты окружающей среды (ТОЗОС)
- Процессы и аппараты защиты окружающей среды (ПАЗОС)
- Теория горения и взрыва (ТГиВ)
- Безопасность жизнедеятельности (БЖД)
Научная деятельность
Научная специальность / направление: Физика неупорядоченных систем, ресурсосберегающие и энергосберегающие технологии получения материалов электронной техники.
Научная деятельность, области научных интересов: Физика и физическая химия неупорядоченных систем, ресурсосберегающая и энергосберегающая технологии получения материалов электронной техники.
Автор научного открытия, награжден медалью П.Л. Капицы «Автору научного открытия».
Автор более 150 научных трудов в т.ч.: Структурные превращения при нагревании монокристаллов кремния, ФТП.-1991 - т.25. вып.4; Способ обработки полупроводникового материала.Пат.РФ.№95111072 от 13.10.1995.; Estimates of the temperature of the structural transformation at silicon monocrystalls. Faculty of Engineering of the University of Porto, TOFA 2010, discussion meeting on Thermodynamics of alloys, p.139.
Перечень основных публикаций:
- Регель А.Р., Глазов В.М., Кольцов В.Б., Таран Ю.Н. и др. Явление локального уплотнения структуры микрообъемов полупроводников, Диплом на «Открытие» №А-026 от 5.04.1995.
- Регель А.Р., Глазов В.М., Кольцов В.Б. Электронные свойства жидких полупроводников с вырожденным электронным газом, Известия вузов. Материалы электронной техники,1998, №4, с. 23-30.
- Koltsov V.B., Potemkin A. Ya, Vahrameeva M.S. Thermodynamical aspects of increase thermostability for silicon by its doping by transition of rare-earth metals, Monatshefte fur Chemie, Chemical Monthly, 2005, v136, №11, p1877-1883.
- Koltsov V.B., Koltsov A.V., Prihodko E.V., Vassiliev V.P. The application of non-polarised ionic radii system for the description of physicochemical properties of solids, liquids and their interfaces solid state, Material Science, 2005, №9, p. 181-188.
- Кольцов В.Б, Ларионов Н.М., Кольцова О.В., Гуляева Е.И. Термодинамическое моделирование вторичных химических превращений при мониторинге воздушной среды г. Зеленограда – центра отечественной микроэлектроники, Природообустройство, 2013, №5, с. 28-39.