| Подразделение | Должность |
| Институт интегральной электроники имени академика К.А. Валиева (ИнЭл) | Доцент |
Краткая биография
Образование – высшее профессиональное, в 2002 году окончил магистратуру Московского государственного института электронной техники (технического университета)по направлению 210100.64 «Электроника и микроэлектроника», степень магистра.
В 2009 году защитил кандидатскую диссертацию на соискание степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника, приборы на квантовых эффектах» на тему «Исследование и разработка двухколлекторного биполярного магнитотранзистора с повышенной магниточувствительностью».
В 2013 году присвоено ученое звание доцента (аттестат доцента) по кафедре Интегральной электроники и микросистем.
C 2010 по 2011 год – начальник отдела Разработки образовательных методик и технологий (ОРОМТ).
C 2011 года по февраль 2015 года – директор Института организации учебного процесса (ИОУП).
С марта 2015 года по декабрь 2016 года – начальник Управления реализации учебного процесса (УРУП).
С июня 2016 года по настоящее время является исполнительным директором Ассоциации вузов, осуществляющих подготовку кадров в области радиоэлектронной промышленности (Ассоциация вузов ЭКБ), официальный сайт elcompbase.ru
С декабря 2016 года по март 2021 года – советник при ректорате.С апреля 2021 года по настоящее время – ученый секретарь МИЭТ.
С мая 2019 года по настоящее время – руководитель Центра коллективного проектирования электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры (ЦКП ЭКБиРЭА), ранее Студенческий центр проектирования ИС и микросистем (СКП). Официальный сайт cdc-miet.ru
С июня 2019 года по настоящее время - действующий эксперт Рособрнадзорпо государственной аккредитации образовательной деятельности (УГН 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи»).
Область научных интересов:исследование и разработка интегральныхполупроводниковых датчиков магнитного поля (физика, технология изготовления, математическое моделирование структур).
Стаж научно-педагогической работы составляет более 18 лет, в том числе стаж педагогический работы в высших учебных заведениях более 16 лет.
Повышение квалификации (за последние 3 года)
1. АНО ВО «Университет Иннополис», удостоверение о повышении квалификации №160300021518 от 30.11.2021г., рег.номер 21У150-15850 по ДПО «Практико-ориентированные подходы в преподавании профильных ИТ дисциплин» (144 ак.часов), период обучения - с 16.08.2021г. по 30.11.2021г.
2. МИЭТ, удостоверение о повышении квалификации №772410637877 от 02.07.2020г., рег.номер 98 по ДПО «Цифровые сенсорные системы: от цифровых двойников до экспериментальной отработки» (72 часа), период обучения – с10.03.2020г. по 03.04.2020г.
3. МИЭТ, удостоверение о повышении квалификации №772408204782 от 08.11.2019г., рег.номер 259 по ДПО «Работа в электронной информационно-образовательной среде вуза» (36 часов), период обучения – с 23.10.2019г. по 08.11.2019г.
Федеральная служба по надзору в сфере образования и науки Федеральное государственное бюджетное учреждение Национальное аккредитационное агентство в сфере образования, удостоверение о повышении квалификации №000067 от 26.03.2019г., рег.номер 067 по ДПО «Обучение кандидатов в эксперты по государственной аккредитации образовательной деятельности» (24 часа), период обучения – с 23.03.2019г. по 26.03.2019г.
Читаемые курсы
Для студентов-бакалавров 3-4 курсов ведет семинары, лабораторные работы и руководит курсовым проектированием по дисциплине:
- Твердотельная электроника (направление подготовки 11.03.04);
Для студентов-магистрантов 1 курсачитает лекции и проводит лабораторные работы по дисциплинам:
- Компьютерные технологии в научных исследованиях(направление подготовки 11.04.04);
- Операционная система Linux(направление подготовки 11.04.04, доп.план).
Ведет методическую работу и руководит дипломным проектированием в бакалавриате и магистратуре по направлению подготовки «Электроника и наноэлектроника».
Научная деятельность
Достижения:
- В 2010 и 2012 гг. – победитель двухгодичных научных Грантов Президента РФ для молодых ученых.
- С 2010 года – обладатель ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013 годы».
- Научные гранты в аспирантуре.
Публикации:
Автор свыше 50 научных трудов, из них 2 учебно-методических пособия.
Список наиболее значимых опубликованных работ (за последние 5 лет):
1. Mikhail A. Korolyov, Anton V. Kozlov, Anton Y. Krasyukov, Svetlana S. Devlikanova. Expanding the range of possible changes in the gate potential of SOI Field Effect Hall Sensor in partial depletion mode with the preservation of the measured magnetic field //PROCEEDINGS OF THE 2020 IEEE CONFERENCE OF RUSSIAN YOUNG RESEARCHERS IN ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING (EICONRUS).2020. PP. 1827-1830.
2. Svetlana S. Devlikanova, Anton V. Kozlov. The research of MOSFET magneto transistor structure by methods of device-technological modeling//PROCEEDINGS OF THE 2020 IEEE CONFERENCE OF RUSSIAN YOUNG RESEARCHERS IN ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING (EICONRUS).2020. PP. 1791-1794.
3. Devlikanova S.S., Korolyov M.A., Kozlov A.V., Mordkovich V.N., Leonov A.V.The Study of SOI Split-drain Field-effect Hall sensor In Partial Depletion Mode.Proceedings of the 2019 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus.10.1109/EIConRus.2019.8657008
4. Королев М.А., Козлов А.В., Красюков А.Ю., Девликанова С.С.Устойчивость работы КНИ ПДХ в режиме неполного обеднения при колебании потенциала затвора с сохранением приложенного магнитного поля. POLISH JOURNAL OF SCIENCE.
5. А.В. Козлов. Исследование структуры интегрального датчика Холла с помощью приборно-технологического моделирования в TCAD. Электронные средства и системы управления: материалы докладов XV Международной научно-практической конференции (20–22 ноября 2019 г.): в 2 ч. – Ч. 2. – Томск: В-Спектр, 2019. – С. 202-205
6. В.Н. Ануфриев, А.В. Козлов / ИССЛЕДОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНОГО МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ДАТЧИКА ХОЛЛА С P-N ПЕРЕХОДАМИ МЕТОДОМ МОДЕЛИРОВАНИЯ В SENTAURUS TCAD // Сборник научных трудов II Международной научно-практической конференции Брянск, 24 – 25 октября 2018 г. Под ред. Л.А. Потапова, А.Ю. Дракина Часть 1 Брянск 2018 , стр.3-7
7. M. A. Koroleva, A. V. Kozlova, A. Y. Krasukova, and S. S. Devlikanova, * The Influence of the Dopant Concentration in a Silicon Film on the Magnetic Sensitivity of SOI Field-Effect Hall Sensors ISSN 1063-7397, Russian Microelectronics, 2018, Vol. 47, No. 7, pp. 1–4. (c) Pleiades Publishing, Ltd., 2018. Original Russian Text (c) M.A. Korolev, A.V. Kozlov, A.Y. Krasukov, S.S. Devlikanova, 2017, published in IzvestiyaVysshikhUchebnykhZavedenii, Elektronika, 2017, Vol. 22, No. 5, pp. 433–439.
Список учебно-методических пособий
1. Ермак В.В., Козлов А.В., Савченко В.Ю. ОС LINUX для разработчиков и пользователей ПО САПР БИС: Учеб.пособие / Ермак В.В., Козлов А.В., Савченко В.Ю. ; Министерство образования и науки РФ, Национальный исследовательский университет "МИЭТ". - М. : МИЭТ, 2011. - 220 с.. - ISBN 978-5-7256-0615-7
2. Артамонова Е.А., Балашов А.Г., Ключников А.С., Козлов А.В., Красюков А.Ю. Лабораторный практикум по курсу «Моделирование в среде TCAD» Часть 2 «Приборно-технологическое моделирование элементов интегральных схем», под ред. Т.Ю. Крупкиной, Москва, 2012.
Является соавтором патентов РФ:
1. Козлов А.В., Тихонов Р.Д., Патент на изобретение № 2284612. Полупроводниковый магнитный преобразователь. Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU), Государственное учреждение Научно-производственный комплекс “Технологический центр” МИЭТ (RU). Заявка № 2004132549. Приоритет изобретения 10 ноября 2004 г. Зарегистрировано в Государственном реестре изобретений Российской Федерации 27 сентября 2006 г. Срок действия патента иссекает 10 ноября 2024 г.