МИЭТ

Национальный
исследовательский
университет

Орден трудового красного знамени
Рейтинг QS

National Research University of
Electronic Technology

Версия для слабовидящих Версия для печати Поиск по сайту На гланую страницу сайта
Авторизация

Стахин Вениамин Георгиевич

кандидат технических наук
Стахин Вениамин Георгиевич

ПодразделениеДолжность
Дизайн-центр «Проектирование интегральных микроэлектронных систем» (ДЦ ПМС)Директор

Краткая биография

Родился в 1958 году.

1981 год – выпускник МИЭТа.

С 1981 по 1988 г.г. – ОАО «НИИМЭ и завод Микрон», инженер, начальник отдела.

С 1988 по 1998 г.г. – Государственный НИИ технологии и автоматизации оборудования, директор.

С 1998 по 2002 г.г. – ОАО «НИИМЭ и завод Микрон», заместитель директора по маркетингу и развитию технологий, директор дизайн-центра.

2002 год – кандидат технических наук.

С 2002 по 2003 г.г. – ОАО «Научный центр», заместитель директора по научному и технологическому развитию.

С 2003 – ОАО «ЗИТЦ», руководитель дизайн-центра по проектированию электронной компонентной базы.

Область научных интересов – цифро-аналоговые системы-на-кристалле, специализированные аналоговые и цифровые СБИС.


Научная деятельность

  1. ОКР «Разработка архитектуры и основных компонентов унифицированной параметризованной платформы для высокопроизводительных «систем-на-кристалле».
  2. НИОКР «Разработка перспективной электронной компонентной базы беспроводных микро- и наносистем на основе технологий система-на-кристалле».
  3. ОКР «Разработка инерциальных микромеханических датчиков (микроакселерометров и микрогироскопов) для микроминиатюрных систем позиционирования робототехнических и медицинских диагностических комплексов и специальных систем».
  4. Подпроект «Разработка сложнофункциональных электронных блоков и микросхем для микроакселерометров и микрогироскопов и технологии их сборки».
  5. ОКР «Создание инновационной инфраструктуры для целевого инкубирования стартовых высокотехнологичных компаний».
  6. Подпроект «Разработка аппаратно-программной многопроцессорной аналого-цифровой «системы-на-кристалле».
  7. НИОКР «Исполин-МЭ».
  8. НИОКР «Исполин-ВД».
  9. НИОКР «ИОН 29».
  10. НИОКР «ИОН 30».
  11. НИОКР «ИОН 38».

Международные и российские патенты

  1. «Усилитель записи-считывания» А.С.№ №1437913 от 10.12.86г.
  2. «Способ формирования электрического контакта к подложке при щелевой изоляции ИС» А.С. №1464802 от 13.02.87г.
  3. «Накопитель» А.С.№165659537913 от 26.04.1989г.
  4. «Программа на языке Verilog HDL для проектирования топологии ядра процессора TF16A» № 2006611376 от 21 апреля 2006г.
  5. «Программа на языке Verilog для проектирования топологии 16-разрядного микроконтроллера» Заявка №2010610473 от 04.02.2010г.
  6. «Система автоматизированного проектирования устройств класса «система-на-кристалле» на базе скриптового языка описания аппаратуры» Свидетельство № 2010610758 от 22.01.2010г.