Старая версия сайта доступна по ссылке http://old.miet.ru Перейти
  
  
  
  
Стахин Вениамин Георгиевич кандидат технических наук

Краткая биография

Родился в 1958 году.

1981 год – выпускник МИЭТа.

С 1981 по 1988 г.г. – ОАО «НИИМЭ и завод Микрон», инженер, начальник отдела.

С 1988 по 1998 г.г. – Государственный НИИ технологии и автоматизации оборудования, директор.

С 1998 по 2002 г.г. – ОАО «НИИМЭ и завод Микрон», заместитель директора по маркетингу и развитию технологий, директор дизайн-центра.

2002 год – кандидат технических наук.

С 2002 по 2003 г.г. – ОАО «Научный центр», заместитель директора по научному и технологическому развитию.

С 2003 – ОАО «ЗИТЦ», руководитель дизайн-центра по проектированию электронной компонентной базы.

Область научных интересов – цифро-аналоговые системы-на-кристалле, специализированные аналоговые и цифровые СБИС.

Научная деятельность

  1. ОКР «Разработка архитектуры и основных компонентов унифицированной параметризованной платформы для высокопроизводительных «систем-на-кристалле».
  2. НИОКР «Разработка перспективной электронной компонентной базы беспроводных микро- и наносистем на основе технологий система-на-кристалле».
  3. ОКР «Разработка инерциальных микромеханических датчиков (микроакселерометров и микрогироскопов) для микроминиатюрных систем позиционирования робототехнических и медицинских диагностических комплексов и специальных систем».
  4. Подпроект «Разработка сложнофункциональных электронных блоков и микросхем для микроакселерометров и микрогироскопов и технологии их сборки».
  5. ОКР «Создание инновационной инфраструктуры для целевого инкубирования стартовых высокотехнологичных компаний».
  6. Подпроект «Разработка аппаратно-программной многопроцессорной аналого-цифровой «системы-на-кристалле».
  7. НИОКР «Исполин-МЭ».
  8. НИОКР «Исполин-ВД».
  9. НИОКР «ИОН 29».
  10. НИОКР «ИОН 30».
  11. НИОКР «ИОН 38».

Международные и российские патенты

  1. «Усилитель записи-считывания» А.С.№ №1437913 от 10.12.86г.
  2. «Способ формирования электрического контакта к подложке при щелевой изоляции ИС» А.С. №1464802 от 13.02.87г.
  3. «Накопитель» А.С.№165659537913 от 26.04.1989г.
  4. «Программа на языке Verilog HDL для проектирования топологии ядра процессора TF16A» № 2006611376 от 21 апреля 2006г.
  5. «Программа на языке Verilog для проектирования топологии 16-разрядного микроконтроллера» Заявка №2010610473 от 04.02.2010г.
  6. «Система автоматизированного проектирования устройств класса «система-на-кристалле» на базе скриптового языка описания аппаратуры» Свидетельство № 2010610758 от 22.01.2010г.