НИУ МИЭТ/Университет/Ведущий технический/Педагогический состав/Стахин Вениамин Георгиевич





    

            
        

            
    
    
            
    Стахин Вениамин Георгиевич
            кандидат технических наук 
            

                    

            
 ПодразделениеДолжность

                        
Дизайн-центр «Проектирование интегральных микроэлектронных систем» (ДЦ ПМС)Директор

            
                        

           
                 
        
        
        

                        

                Телефон:
                (499) 750-89-52
            

                                                

                E-mail:
                

                 
            
   
              
                        
                    

    

    

        
Краткая биография

        

	Родился в 1958 году.




	1981 год – выпускник МИЭТа.




	С 1981 по 1988 г.г. – ОАО «НИИМЭ и завод Микрон», инженер, начальник отдела.




	С 1988 по 1998 г.г. – Государственный НИИ технологии и автоматизации оборудования, директор.




	С 1998 по 2002 г.г. – ОАО «НИИМЭ и завод Микрон», заместитель директора по маркетингу и развитию технологий, директор дизайн-центра.




	2002 год – кандидат технических наук.




	С 2002 по 2003 г.г. – ОАО «Научный центр», заместитель директора по научному и технологическому развитию.




	С 2003 – ОАО «ЗИТЦ», руководитель дизайн-центра по проектированию электронной компонентной базы.




	Область научных интересов – цифро-аналоговые системы-на-кристалле, специализированные аналоговые и цифровые СБИС.

    

          
          

        
Научная деятельность

        

 

 
  1. ОКР «Разработка архитектуры и основных компонентов унифицированной параметризованной платформы для высокопроизводительных «систем-на-кристалле».
    2. 
 
 
  2. НИОКР «Разработка перспективной электронной компонентной базы беспроводных микро- и наносистем на основе технологий система-на-кристалле».
    3. 
 
 
  3. ОКР «Разработка инерциальных микромеханических датчиков (микроакселерометров и микрогироскопов) для микроминиатюрных систем позиционирования робототехнических и медицинских диагностических комплексов и специальных систем».
    4. 
 
 
  4. Подпроект «Разработка сложнофункциональных электронных блоков и микросхем для микроакселерометров и микрогироскопов и технологии их сборки».
    5. 
 
 
  5. ОКР «Создание инновационной инфраструктуры для целевого инкубирования стартовых высокотехнологичных компаний».
    6. 
 
 
  6. Подпроект «Разработка аппаратно-программной многопроцессорной аналого-цифровой «системы-на-кристалле».
    7. 
 
 
  7. НИОКР «Исполин-МЭ».
    8. 
 
 
  8. НИОКР «Исполин-ВД».
    9. 
 
 
  9. НИОКР «ИОН 29».
    10. 
 
 
  10. НИОКР «ИОН 30».
    11. 
 
 
  11. НИОКР «ИОН 38».
    12. 
 
Международные и российские патенты 

 
 

 

 
  1. «Усилитель записи-считывания» А.С.№ №1437913 от 10.12.86г.
    2. 
 
 
  2. «Способ формирования электрического контакта к подложке при щелевой изоляции ИС» А.С. №1464802 от 13.02.87г.
    3. 
 
 
  3. «Накопитель» А.С.№165659537913 от 26.04.1989г.
    4. 
 
 
  4. «Программа на языке Verilog HDL для проектирования топологии ядра процессора TF16A» № 2006611376 от 21 апреля 2006г.
    5. 
 
 
  5. «Программа на языке Verilog для проектирования топологии 16-разрядного микроконтроллера» Заявка №2010610473 от 04.02.2010г.
    6. 
 
 
  6. «Система автоматизированного проектирования устройств класса «система-на-кристалле» на базе скриптового языка описания аппаратуры» Свидетельство № 2010610758 от 22.01.2010г.
    7.