| Подразделение | Должность |
| Институт физики и прикладной математики (ФПМ) | доцент |
| Научно исследовательская лаборатория сверхпроводниковой микроэлектроники | старший научный сотрудник |
Краткая биография
В 2005 году окончил специалитет на факультете «Электронных технологий, материалов и оборудования (ЭТМО)» МИЭТ.
В 2011 году закончил аспирантуру МИЭТ. Во время учебы в аспирантуре работал над проблемой изготовления наноразмерных ВТСП-пленок состава (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3O10 с температурой перехода в сверхпроводящее состояние выше 100 К. В 2012 году успешно защитил кандидатскую диссертацию по данной тематике.
Работает в научно-исследовательской лаборатории сверхпроводниковой микроэлектроники (НИЛ СПМЭ) Института физики и прикладной математики (ФПМ) Национального исследовательского университета «МИЭТ» с 01.02.2001 года (в должности старшего научного сотрудника работает с 01.06.2015 года по настоящее время).
Начиная с 01.03.2023 года совмещает научную работу с педагогической деятельностью в должности доцента.
Читаемые курсы
Оптика
Квантовая физика
Строение вещества
Научная деятельность
Область научных интересов:
Изготовление и исследование структур на основе высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) многокомпонентного состава (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3Ox
(Bi-2223), формирование и диагностика наноразмерных многослойных гетерокомпозиций полупроводниковых и магнитных материалов для создания функциональных элементов электроники и спинтроники. Изготовление и исследование свойств магнитных структур на основе спинового бесщелевого полупроводника CoFeMnSi (CFMS). Изготовление электронных приборов на основе структур, чувствительных к воздействию внешнего магнитного поля.
Публикации:
1. Верюжский И.В., Приходько А.С., Усков Ф.А., Григорашвили Ю.Е., Боргардт Н.И. Импульсное лазерное осаждение и исследование методами электронной микроскопии гетероструктуры на основе сплава Гейслера CoFeMnSi и кобальта // Известия вузов. Электроника. – 2025. – Т. 30. – № 5. C.1-9.
2. Верюжский И.В., Усков Ф.А. Изучение морфологии поверхности тонких пленок спинового бесщелевого полупроводника CoFeMnSi, полученных методом импульсного лазерного осаждения // Наноиндустрия. – 2025. – Т. 18. – № 1. – С. 48–58.
3. Верюжский И.В., Приходько А.С., Усков Ф.А., Григорашвили Ю.Е., Боргардт Н.И. Формирование монокристаллических пленок сплава Гейслера на основе соединения CоFeMnSi на подложке MgO // Письма в ЖТФ. – 2024. – Т. 50. – Вып. 22. – С. 61–64.
4. Верюжский И.В., Приходько А.С., Усков Ф.А., Григорашвили Ю.Е., Боргардт Н.И. Импульсное лазерное осаждение монокристаллических пленок сплава Гейслера CoFeMnSi на подложке MgO // Известия вузов. Электроника. – 2024. – Т. 29. – № 6. – С. 703–714.
5. I. V., Prikhodko A. S, Uskov F. A., Grigorashvili Yu. E., Borgardt N. I. On the Pulsed Laser Deposition of Single-Crystal Films of CoFeMnSi Heusler Alloy on a MgO Substrate / Semiconductors.- 2024.- Vol. 58. Р. S1–S6.
6. Grigorashvili Yu. E., Bukhlin A. V., and Veryuzhskii I. V. Fabrication of Nanosized Superconductor Structures with a Critical Temperature Exceeding 100 K / Semiconductors.- 2010.- Vol. 44.- N 13. - Р. 1714–1717.
7. Григорашвили Ю.Е., Бухлин А.В., Верюжский И.В. Формирование наноразмерных сверхпроводниковых структур с критической температурой выше 100 К / Известия вузов. Электроника. - 2010. - № 2(82). – С. 32-36.
8. Верюжский И.В., Бухлин А.В., Григорашвили Ю.Е. Формирование мишеней из высокотемпературного сверхпроводника / Конструкции из композиционных материалов. – 2010. – № 2. – С. 41- 44.
Патенты:
1. Григорашвили Ю.Е., Верюжский И.В., Усков Ф.А. «Способ изготовления монокристаллического тонкопленочного многокомпонентного полупроводника». Патент РФ № 2818990.
2. Григорашвили Ю.Е., Верюжский И.В., Усков Ф.А., Тарицына А.А. «Способ изготовления тонкопленочного высокотемпературного сверхпроводника состава Bi-2223». Патент РФ № 2827962
3. Григорашвили Ю.Е., Бухлин А.В., Мингазин В.Т., Верюжский И.В. Способ изготовления сверхпроводникового прибора. Патент РФ № 2308123.
4. Григорашвили Ю.Е., Бухлин А.В., Мингазин В.Т., Верюжский И.В. Способ изготовления мишени для магнетронного нанесения сверхпроводниковых пленок состава Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O. Патент РФ 2385517.