| Подразделение | Должность |
| Институт перспективных материалов и технологий | профессор |
Краткая биография
Закончил с отличием в 1979 году кафедру оптоэлектроники (зав. кафедрой - Ж.И. Алферов) Ленинградского ордена Ленина электротехнического института им. В.И. Ульянова (Ленина), после чего был принят на работу в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР лабораторию Б.Т. Коломийца, первооткрывателя аморфных полупроводников.
В 1984 году защитил кандидатскую, а в 1992 году - докторскую диссертацию на тему “Фотостимулированные атомные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках по специальности” по специальности 01.04.10 физика полупроводников и диэлектриков.
В 1988-1991 годах неоднократно стажировался в Кембриджском университете. В 1991-1992 годах прошел годичную стажировку в Высшей школе технической физики и химии города Парижа (Ecole superieure de phisique et de chimie industtrielle de la ville de Paris), в 1993 году в течение трех месяцев был приглашенным профессором Левенского католического университета (Бельгия).
С 1994 по 2019 год работал в Японии в Национальном институте передовой промышленной науки и технологий (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, AIST), последние 10 лет в должности главного научного сотрудника, в настоящее время - Emeritus Researcher. С 2006 по 2018 год одновременно был приглашенным исследователем Японского института синхротронных исследований (JASRI).
В 2018 году возглавил кафедру физической электроники в Российском государственном педагогическом университете им. А.И. Герцена, в 2021 году был назначен директором института физики, является главным редактором журнала “Physics of Complex Systems”.
В 1992 году получил премию имени П. Капицы Лондонского королевского общества, в 2001 году получил премию “Stanford R. Ovshinsky Award for excellence in non- crystalline chalcogenides”, в 2012 году присвоено звание почетного профессора НИУ “Московский энергетический институт”. С 2014 года - председатель международного отборочного комитета премии Ovshinsky Lectureship Award.
Автор (соавтор) более 300 рецензируемых статей, 4 монографий, более 10 (японских, корейских, американских) патентов. Под редакцией А.В. Колобова вышло три выпуска журнала Physica Status Solidi.
Научная деятельность
Область научных интересов:
Хальногенидные стеклообразные полупроводники, фотоструктурные превращения в твердом теле, синхротронное излучение в физике твердого тела, двумерные полупроводники, энергонезависимая фазопеременная память, первопринципные расчеты на основе теории функционала плотности.
Наиболее значимые публикации
Монографии:
-
A.V. Kolobov (ed.), Photo-induced metastability in amorphous semiconductors, 2003 Wiley-VCH, 412 р.
- A.V. Kolobov, J. Tominaga, Chalcogenides: metastabilitty and phase-change phenomena, 2012 Springer, 284 p.
- A.V. Kolobov, J. Tominaga, Two-dimensional transition-metal dichalcogenides, 2016, Springer, p. 538 p.
- A.V. Kolobov, K. Shimakawa (eds) The World Scientific Reference of Amorphous Materials. vol. 1: Structure, Properties, Modeling and Applications of Amorphous Chalcogenides, 2021, World Scientific, Singapore, 782 p.
Тематические обзоры:
-
A.V. Kolobov, S.R. Elliott, Photodoping of amorphous chalcogenides by metals. Advances in Physics, 40 (1991) 625-684.
-
K. Shimakawa, A.V. Kolobov, S.R. Elliott, Photo-induced effects and metastability in amorphous semiconductors and insulators, Advances in Physics, 6 (1995) 475-586
-
A.V. Kolobov, P. Fons, Insights into the physics and chemistry of chalcogenides obtained from X-ray absorption spectroscopy, Semicond. Sci. Tech., 32 (2017) 123003
Статьи в реферируемых журналах:
-
A.V. Kolobov and O.V. Konstantinov. Urbach rule in the configuration coordiante model of amorphous semiconductors, Philos. Mag. B, 40 (1979) 475
- A.V. Kolobov, H. Oyanagi, K. Tanaka, and K. Tanaka. Structural study of amorphous selenium by in situ EXAFS: Observation of photoinduced bond alternation, Phys. Rev. B, 55 (1997) 726
- A.V. Kolobov, M. Kondo, H. Oyanagi, R. Durny, A. Matsuda, and K. Tanaka. Experimental evidence for negative correlation energy and valence alternation in amorphous selenium, Phys. Rev. B, 56 (1997) 485
- A.V. Kolobov. Raman scattering from Ge nanostructures grown on Si substrates: Power and limitations, J. Appl. Phys., 87 (2000) 2926
- A.V. Kolobov, P. Fons, A. Frenkel, A. Ankudinov, J. Tominaga, and T. Uruga, Understanding the phase-change mechanism of rewritable optical media, Nature Mater., 3 (2004) 703
- A.V. Kolobov et. al., Pressure-induced site-selective disordering of Ge2Sb2Te5: A new insight into phase-change optical recording, Phys. Rev. Lett. 97 (2006) 035701.
- P. Fons, A. V. Kolobov, M. Krbal, J. Tominaga, K. Andrikopoulos, S. Yannopoulos, G. Voyiatzis, and T. Uruga, Phase transitions in crystalline GeTe: Pitfalls of averaging effects, Phys. Rev. B, 82 (2010) 155209
- A. V. Kolobov, M. Krbal, P. Fons, J. Tominaga, and T. Uruga. Distortion-triggered loss of long-range order in solids with bonding energy hierarchy, Nature Chem., 3 (2011) 311
- R. E. Simpson, P. Fons, A. V. Kolobov, T. Fukaya, M. Krbal, T. Yagi, and J. Tominaga. Interfacial Phase-Change Memory, Nature Nanotech., 6 (2011) 501
- M. Hase, P. Fons, K. Mitrofanov, A. V. Kolobov, J. Tominaga, Femtosecond structural transformation of phase-change materials far from equilibrium monitored by coherent phonons, Nature Commun., 6 (2015) 8367
- A.V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, B. Hyot, B.Andre, Instability and spontaneous reconstruction of few-monolayer thick GaN graphitic structures, Nano Lett, 8 (2016) 4849
- A.V. Kolobov, V.G. Kuznetsov, Polymorphism of CdTe in the few monolayer limit, Phys. Stat. Sol. - Rapid Research Lett., 15 (2021) 2100358
- R. Stepanov, V. Gerega, A. Suslov, A. Kolobov, Uniaxial Pressure‐Induced 2D–1D Dimensionality Change in GaSe and Related Materials, Phys. Stat. Sol. - Rapid Research Lett., 17 (2022) 2200430