Подорожний Олег Витальевич

Краткая биография

В 2020 году с отличием окончил бакалавриат на кафедре квантовой физики и
наноэлектроники НИУ МИЭТ по специальности «Квантовые приборы и
наноэлектроника». В 2022 году с отличием окончил магистратуру в институте физики и
прикладной математики НИУ МИЭТ по направлению подготовки «Электроника и
наноэлектроника» по программе «Нанодиагностика материалов и структур». С 2019 г. по
настоящее время – сотрудник МИЭТ.

Научная деятельность

Электронная микроскопия, фокусированный ионный пучок, метод Монте-Карло.

Основные публикации

1. Румянцев А.В., Подорожний О.В., Волков Р.Л., Боргардт Н.И. Моделирование
процесса распыления карбида кремния фокусированным пучком ионов галлия //
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2022. Т. 27. № 4. С. 463-474.

2. V. Rumyantsev, O. V. Podorozhniy, R. L. Volkov, N. I. Borgardt. Simulation of silicon
carbide sputtering by gallium focused ion beam // Semiconductors. T. 56, № 13, 2022, С.
487 – 497.