Научная деятельность

Scopus

ResearchGate

Научные результаты опубликованы в более 100 научных работах, в том числе в 29 научных статьях в российских и в зарубежных рецензируемых изданиях, в том числе в 5 статьях в журналах, входящих в Q1/Q2.

Области научных интересов

• Энергонезависимая фазовая память

• Разработка технологии формирования тонких пленок халькогенидных полупроводников вакуумными методами осаждения

• Исследование свойств тонких пленок материалов фазовой памяти (электрофизические, структурные, механические)

• Исследование кинетики кристаллизации

• Разработка технологии гибкой энергонезависимой фазовой памяти

• Полупроводниковые преобразователи энергии

• Исследование свойств тонких и объемных термоэлектрических материалов (электрофизические, механические).

Основные публикации

Свидетельства РИД:

1. Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы № 2024630176 Российская Федерация. Топология микросхемы тестовой энергонезависимой фазовой памяти. / П.И. Лазаренко, С.А. Филатова, В.В. Ковалюк, Г.Н. Гольцман, Д.Ю. Терехов, А.О. Якубов, Е.П. Кицюк, А.А. Шерченков; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – заявка № 2024630173; заявл. 05.09.2024; опубл. 09.09.2024.

2. Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы № 2018630057 Российская Федерация. Матрица ячеек энергонезависимой фазовой памяти вертикального типа с управляющими элементами. / П.И. Лазаренко, С.А. Филатов, А.А. Шерченков, Д.Ю. Терехов, А.О. Якубов; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – заявка № 2017630162; заявл. 29.11.2017; опубл. 26.04.2018.

3. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2017612086 Российская Федерация. Программное обеспечение для исследования процесса переключения образцов на основе тонких пленок фазовой памяти. / А.О. Якубов, П.И. Лазаренко, А.А. Шерченков, А.В. Бабич; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – заявка № 2016663329; заявл. 07.12.2016; опубл. 15.02.2017.

4. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2016618045 Российская Федерация. Программное обеспечение программно-аппаратного комплекса для проведения исследования вольтамперных характеристик тонкопленочных образцов материалов фазовой памяти в широком температурном диапазоне. / А.О. Якубов, П.И. Лазаренко, А.А. Шерченков, С.П. Тимошенков; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – заявка № 2016615310; заявл. 25.05.2016; опубл. 20.07.2016.

Статьи:

1. Yakubov A. Influence of phase state, conducting sublayer material and deposition method on mechanical properties and adhesion of Ge2Sb2Te5 thin films / A. Yakubov, P. Lazarenko, E. Kirilenko, I. Sagunova, A. Babich, A. Sherchenkov // Current Applied Physics. – 2024. – Vol. 66. – P. 66-75. https://doi.org/10.1016/j.cap.2024.06.014. Impact factor 2.4 (Q2).

2. Sherchenkov A. The role of nanostructuring strategies in PbTe on enhancing thermoelectric efficiency / A. Sherchenkov, N. Borgardt, M.Shtern, Y. Zaytseva, Y. Shtern, M. Rogachev, V. Sazonov, A. Yakubov, D. Pepelyaev // Materials Today Energy. – 2023. – Vol. 37. – P. 101416. https://doi.org/10.1016/j.mtener.2023.101416. Impact factor 9.0 (Q1).

3. Shtern M. Mechanical properties and thermal stability of nanostructured thermoelectric materials on the basis of PbTe and GeTe / M. Shtern, A. Sherchenkov, Y. Shtern, N. Borgardt, M. Rogachev, A. Yakubov, A. Babich, D. Pepelyaev, I. Voloshchuk, Y. Zaytseva, S. Pereverzeva, A. Gerasimenko, D. Potapov, D. Murashko //Journal of Alloys and Compounds. – 2023. – Vol. 946. – P. 169364. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2023.169364. Impact factor 5.8 (Q1).

4. Smayev M.P. Direct single-pass writing of two-phase binary diffraction gratings in a Ge2Sb2Te5 thin film by femtosecond laser pulses / M.P. Smayev, P.I. Lazarenko, I.A. Budagovsky, A.O. Yakubov, V.N. Borisov, Yu.V. Vorobyov, T.S. Kunkel, S.A. Kozyukhin // Optics and Laser Technology. 2022. – 153. – P. 108212. https://doi.org/10.1016/j.optlastec.2022.108212. Impact factor 4.9 (Q1).

5. Vorobyov Y. Temperature activated conductivity of Ge2Sb2Te5: connection to the variation of Fermi level and implications on resistance drift / Y. Vorobyov, A. Ermachikhin, A. Yakubov, E. Trusov, M. Fedyanina, P. Lazarenko, S. Kozyukhin // Journal of Physics D: Applied Physics. – 2021. – Vol. 54. – №. 31. – P. 315302. https://doi.org/10.1088/1361-6463/abfe7e. Impact factor 3.1 (Q1).

6. Yakubov A. Influence of the adjacent layers on the crystallization kinetics of Ge2Sb2Te5 thin films / A. Yakubov, A. Sherchenkov, A. Babich, P. Lazarenko, I. Sagunova, E. Kirilenko // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. – 2020. – Vol. 142. – P. 1019-1029. https://doi.org/10.1007/s10973-020-10013-5. Impact factor 3.0 (Q1).