| Подразделение | Должность |
| Институт интегральной электроники имени академика К.А. Валиева (ИнЭл) |
Краткая биография
В 2016 году закончила магистратуру кафедры Интегральной электроники и микросистем в Национальном исследовательском университете «МИЭТ», присуждена степень магистра по 11.04.04 – «Электроника и наноэлектроника».
В 2021 году защитила диссертацию на соискание степени кандидата технических наук на тему «Исследование и разработка полевого датчика Холла с повышенной магниточувствительностью».
В МИЭТе работает с 2020 года.
Читаемые курсы
Лабораторная работа «Основы проектирования электронной компонентной базы»
Научная деятельность
Область научных интересов – численное моделирования магниточувствительных элементов интегральных микросхем. Автор более 30 научных публикаций.
Список наиболее значимых опубликованных работ:
1. Michael A. Korolyov, A.V. Kozlov, Anton Yu. Krasyukov, Svetlana S. Devlikanova Increased magnetics sensitivity of the SOI field-effect Hall sensor // Proceedings of the 2018 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus. 2018. P. 1376 – 1379. DOI: 10.1109/ElConRus.2018.8317353.
2. Svetlana S. Devlikanova, Mikhail A. Korolyov, A.V. Kozlov,V. N. Mordkovich, A.V. Leonov The Study of SOI Split-drain Field-effect Hall sensor In Partial Depletion Mode//Proceedings of the 2019 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus.2019.P.1701-1704. DOI:10.1109/ElConRus.2019.8657008.
3. Королев М.А., Мордкович В.Н., Леонов А.В., Девликанова С.С. Исследование КНИ полевых датчиков Холла в режиме неполного обеднения // Известия вузов. Электроника. – 2019. – T.24. – №4 – С. 383 –390. DOI: 10.24151/1561-5405-2019-24-4-383-390.
4. Mikhail A. Korolyov, Anton V. Kozlov, Anton Y. Krasyukov, Svetlana S. Devlikanova Expanding the range of possible changes in the gate potential of SOI Field Effect Hall Sensor in partial depletion mode with the preservation of the measured magnetic field // Proceedings of the 2020 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus. 2020. P. 1827 – 1830. DOI: 10.1109/EIConRus49466.2020.9039270.
5. Svetlana S. Devlikanova, Anton V. Kozlov The research of MOSFET magneto transistor structure by methods of device-technological modeling // Proceedings of the 2020 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus. 2020. P. 1791 – 1794. DOI: 10.1109/EIConRus49466.2020.9039359.