Федянина Мария Евгеньевна

Краткая биография

В 2018 году присуждена квалификация бакалавра по направлению «Материаловедение и технологии материалов».

В 2020 году присуждена степень магистра по направлению «Электроника и наноэлектроника».

Ассистент института ПМТ (с 2021 года).

Научное направление: 05.27.06 – технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники.

Читаемые курсы

  • Физика и химия поверхности

Научная деятельность

Области научных интересов:

Исследование оптических свойств, термооптического эффекта, дрейфа параметров материалов энергонезависимой памяти, в частности, неупорядоченных халькогенидных полупроводников системы Ge-Sb-Te.

Список публикаций:
  1. Lazarenko P.I., Vorobiev Yu.V., Fedyanina M.E., Sherchenkov A.A., Kozyukhin S.A., Yakubov A.O., Kukin A.V., Sybina Yu.S., Sagunova I.V. Peculiarities of estimating the optical band gap of thin films of phase change memory materials // Inorganic Materials: Applied Research. – 2020. – Vol. 11. – № 2. – P. 330-337. doi:10.1134/S2075113320020227.
  2. Fedyanina M. E., Lazarenko P. I., Vorobyov Yu. V., Kozyukhin S. A., Dedkova A. A., Yakubov A. O., Levitskii V. S., Sagunova I. V., Sherchenkov A. A. Influence of the degree of crystallinity on the dispersion of the optical parameters of Ge2Sb2Te5 phase-change memory thin films // Semiconductors. – 2020. - Vol. 54. – № 13. – P. 1775–1783. doi:10.1134/S1063782620130060.
  3. Vorobyov Y., Ermachikhin A., Yakubov A., Trusov E., Fedyanina M., Lazarenko P., Kozyukhin S. Temperature activated conductivity of Ge2Sb2Te5: connection to the variation of Fermi level and implications on resistance drift // Journal of Physics D: Applied Physics. – 2021. – Vol. 54. — № 31. – P. 315302. doi: 10.1088/1361-6463/abfe7e.