+7 (495) 198-00-00 Горячая линия ситуационного центра Минобрнауки
по вопросам поддержки образовательных организаций высшего образования, а также их сотрудников и обучающихся, по вопросам профилактики распространения COVID-19 перейти на сайт МОН
Терехов Дмитрий Юрьевич

Краткая биография

В 2014 году присуждена квалификация бакалавра техники и технологии по направлению «Электроника и микроэлектроника».

В 2016 году присуждена степень магистра техники и технологии по направлению «Электроника и наноэлектроника».

Стаж работы по специальности более 5 лет.

В качестве исполнителя и научного руководителя участвует в проведении НИР, результаты которых внедрены на предприятиях и в учебный процесс. Научное направление: 05.27.06 – технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники.

Читаемые курсы

Проведение лабораторных работ по курсам:

  • «Материалы и компоненты электронных средств. Материалы ЭС»
  • «Материалы электронных средств»

Научная деятельность

Области научных интересов:

  • Энергонезависимая память нового поколения - исследование термоэлектрических свойств материалов энергонезависимой памяти, в частности, фазовой памяти, неупорядоченные халькогенидные полупроводники
  • Альтернативная энергетика и возобновляемые источник энергии, в том числе: Технология новых термоэлектрических материалов; технология гибких пленочных термоэлектрических генераторов; Технология термоэлектрических суспензий и паст; Технология термоэлектрических генераторов из суспензий; Исследование свойств новых и перспективных термоэлектрических материалов.
  • Технологии и методы автоматизации научного эксперимента.
Публикации:

  1. D. Y. Terekhov, "Precise Setup for Simultaneous Measurement of Thermoelectric and Electrophysical Properties of Thin Films in Wide Temperature Range," 2020 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus), St. Petersburg and Moscow, Russia, 2020, pp. 2202-2207, doi: 10.1109/EIConRus49466.2020.9039041.
  2. I. A. Voloshchuk, D. Y. Terekhov, D. V. Pepelyaev and A. A. Sherchenkov, "Investigation of the Electrophysical and Thermoelectric Properties of Films Fabricated by Screen-printing," 2020 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus), St. Petersburg and Moscow, Russia, 2020, pp. 2221-2224, doi: 10.1109/EIConRus49466.2020.9039538.
  3. D.Y. Terekhov, P.I. Lazarenko, A.A. Sherchenkov, Y.I. Shtern, S.A. Kozyukhin, S.A. Filatov, A.V. Babich, D.V. Pepelyaev, A.A. Presnukhina. Investigation of temperature dependencies of Seebeck coefficient and electrical conductivity of ge2sb2te5 thin films// Известия высших учебных заведений. Электроника. 2017. Т. 22. № 6. С. 518-527.
  4. Шерченков А.А., Козюхин С.А., Лазаренко П.И., Бабич А.В., Терехов Д.Ю. Исследование кинетики кристаллизации, термических и электрофизических свойств тонких пленок материалов фазовой памяти на основе системы GeSbTe// Наноиндустрия. 2017. № S (74). С. 555-556.
  5. Influence of Ti doping on the properties of Ge-Sb-Te thin films for phase change memory./ A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, P. Lazarenko, A. Babich, S. Timoshenkov, D. Gromov, A. Yakubov, D. Terekhov. // Solid State Phenomena – 2016. – Vol. 249. – P. 30-39.
  6. Influence of the Composition on the Thermoelectric and Electro-physical Properties of Ge-Sb-Te Thin Films for Phase Change Memory Application / P.I. Lazarenko, A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, D.Y. Terekhov, A.O. Yakubov, A.V. Babich, A.S. Shuliatyev, I.V. Sagunova, E.N. Redichev // Journal of Nano- and Electronic Physics – 2016. – Vol. 8. – No 3. – p. 03033-1–020013-4.
  7. Electrical properties and transport mechanisms in Ge-Sb-Te thin films for nanoelectronics. / A. Sherchenkov, P. Lazarenko, A. Babich, N. Korobova, S. Timoshebkov, A. Yakubov, D. Terekhov, A. Shuliatyev, S. Kozyukhin, O. Boytsova // 15th IEEE International Conference on Nanotechnology – 2016. – P. 885-888.

Свидетельства РИД

1) Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы 2018630057/ Матрица ячеек энергонезависимой фазовой памяти вертикального типа с управляющими элементами/ Лазаренко П. И., Филатов С. А., Шерченков А.А., Терехов Д.Ю., Якубов А.О.

2) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №2016610361 / Программное обеспечение программно-аппаратного комплекса для проведения исследований температурных зависимостей термо-ЭДС с целью изучения фазового перехода (эффекта переключения) в наноразмерных тонких пленках/ Терехов Д.Ю. Лазаренко П. И. Шерченков А. А., Тимошенков С. П.

3) Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы № 2015630087 / Ячейки энергонезависимой памяти на фазовых переходах для записи и хранения информации/ Тимошенков С. П., Шерченков А. А., Лазаренко П. И., Терехов Д.Ю. Калугин В. В., Зуев Е. В.

4) Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы № 2016630044 / Ячейки энергонезависимой фазовой памяти планарного типа для записи и хранения информации / Тимошенков С. П., Шерченков А. А., Лазаренко П. И. Терехов Д.Ю., Коробова Н.Е., Калугин В. В.

5) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №2016611306 / Программное обеспечение для измерительного комплекса по исследованию теплового расширения материалов и структур/ Штерн Ю. И, Лазаренко П. И., Рогачев М. Ю.,

6) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №2015661437 / Программное обеспечение для измерительного комплекса по исследованию тепло- и электрофизических параметров термоэлектрических материалов, структур и устройств на их основе/ Штерн Ю. И., Лазаренко П. И., Терехов Д.Ю., Рогачев М. Ю., Шерченков А. А.