Старая версия сайта доступна по ссылке http://old.miet.ru Перейти
Бабич Алексей Вальтерович

Краткая биография

В МИЭТ работает с 2010 года.

В 2011 г. окончил МИЭТ, присуждена степень магистра техники и технологии по направлению «Электроника и микроэлектроника».

В 2015 г. прошел повышение квалификации в московском государственном университете тонких химических технологий имени М. В. Ломоносова по теме «Физико-химические методы анализа. Методы термического анализа: теория и практика».

В 2017 г. защитил кандидатскую диссертацию по специальности 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники».

С 2018 г. ассистент института ПМТ, участвует в проведении курсов «Физика и химия полупроводников», «Возобновляемые источники энергии».

С 2018 г. младший научный сотрудник института ПМТ.

Научная деятельность

Области научных интересов: неупорядоченные полупроводники, фазовая память, полупроводниковые преобразователи энергии, возобновляемые источники энергии, перспективные материалы и технологии твердотельной электроники.

Имеет более 150 научных печатных работ, включая 35 публикаций, индексируемых в базах данных Web of Science и/или Scopus, более 100 тезисов докладов на российских и международных конференциях, 1 учебно-методическое пособие и 4 свидетельства о государственной регистрации результатов интеллектуальной деятельности.

В качестве руководителя и исполнителя участвует в проведении НИР, результаты которых внедрены на предприятиях и в учебный процесс.

Список основных публикаций:

1. Sherchenkov A., Sozyukhin S., Borgardt N., Babich A., Lazarenko P., Sybina Y., Tolepov Zh., Prikhodko O. Multiple thermal cycling and phase transitions in Ge-Sb-Te materials. // Journal of Non-Crystalline Solids. – 2018. – Vol. 501. – P. 101-105. IF: 2,488. DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2017.12.023 (Q1).

2. Sherchenkov A., Kozyukhin S., Babich A., Lazarenko P. Thermal properties of phase change material Ge2Sb2Te5 doped with Bi // Journal of Non-Crystalline Solids. – 2013. – Vol. 377. – P. 26-29. IF: 2,488. DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2013.01.006 (Q1).

3. Kozyukhin S., Vorobyov Y., Sherchenkov A., Babich A., Vishnyakov N., Boytsova O.. Isothermal crystallization of Ge2Sb2Te5 amorphous thin films and estimation of information reliability of PCM cells. // Physica Status Solidi (A) Application and Material Science. – 2016. – Vol. 213, Iss. 7. – P.1831-1838. IF: 1,729. DOI: 10.1002/pssa.201532930 (Q1).

4. Sherchenkov A., Kozyukhin S., Babich A. Estimation of kinetic parameters for the phase change memory materials by DSC measurements // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. - 2014. – Vol. 117, Iss. 3. – P. 1509-1516. IF: 2,209. DOI: 10.1007/s10973-014-3899-8 (Q2).

5. Babich A., Sherchenkov A., Kozyukhin S., Lazarenko P., Boytsova O., Shuliatyev A. Effect of doping on the crystallization kinetics of phase change memory materials on the basis of Ge–Sb–Te system // Journal of thermal Analysis and calorimetry. – 2017. – Vol. 127. – P. 283-290. IF: 2,209. DOI: 10.1007/s10973-016-5503-x (Q2).

6. Gromov D., Sherchenkov A., Lebedev E., Babich A., Nemtseva S., Shaman Y., Maniecki T., Maniukiewicz W., Ciesielski R., Gavrilov S. The influence of compression conditions on the peculiarities of self-propagating exothermal reaction in Al–Ni powder reactive materials. // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. – 2018. – Vol. 134. – P. 35-44. IF: 2,209. DOI: https://doi.org/10.1007/s10973-018-7416-3 (Q2).

7. Sherchenkov A.A., Kozyukhin S.A., Babich A.V., Lazarenko P.I., Vargunin A.I. Integral isoconversional method for evaluating crystallization parameters of thin films of Ge2Sb2Te5 phase change memory materials. // Inorganic Materials. – 2017. – Vol. 53 (1). – P. 45-49. IF: 0,62. DOI: doi 10.1134/s0020168517010150 (Q2).

8. Kozyukhin S., Sherchenkov A., Babich A., Lazarenko P., Nguyen H.-P., Prikhodko O. Peculiarities of Bi Doping of Ge-Sb-Te Thin Films for PCM Devices // Canadian Journal of Physics. – 2014. – Vol. 92, No. 7/8. – P. 684-689. IF: 0,964. DOI: 10.1139/cjp-2013-0607.

9. Lazarenko P.I., Kozyukhin S.A., Sherchenkov A.A., Babich A.V., Timoshenkov S.P., Gromov D.G., Zabolotskaya A.V., Kozik V.V. Electrophysical properties of Ge-Sb-Te thin films for phase change memory devices. // Russian Physics Journal. – 2016. – Vol. 59, No 9. – P. 80-86. IF: 0,667. DOI:10.1007/s11182-017-0925-x.

10. Sherchenkov A.A., Kozyukhin S.A., Lazarenko P.I., Babich A.V., Bogoslovskiy N.A., Sagunova I.V., Redichev E.N. Electrical properties and transport mechanisms in phase change memory thin films of quasi-binary-line GeTe–Sb2Te3 chalcogenide semiconductors // Semiconductors. – 2017. – Vol. 51 (2). – P. 146-152. IF: 0,701. DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617020191.

11. Kozyukhin S.A., Sherchenkov A.A., Babich A.V. Phase separation in chalcogenide semiconductors of the Ge-Te system upon thermal cycling // Semiconductors. – 2013. – Vol. 47. – P. 1680-1683. IF: 0,701. DOI: 10.1134/S1063782613130101.

12. Lazarenko P.I., Kozyukhin S.A., Sherchenkov A.A., Babich A.V., Timoshenkov S.P., Gromov D.G., Zabolotskaya A.V., Kozik V.V. Electrophysical Properties of Ge-Sb-Te Thin Films for Phase Change Memory Devices // Russian Physics Journal. – 2017. – Vol. 59 (8). – P. 1417-1424. IF: 0,644. DOI: 10.1007/s11182-017-0925-x.

13. Babich A.V., Sherchenkov A.A., Kozyukhin S.A., Timoshenkov S.P. Investigation of the Crystallization Kinetics in Ge-Sb-Te-Bi Thin Films for Phase Change Memory Application. // Acta Physica Polonica A. – 2016. – Vol. 129, No. 4. – P. 717-720. IF: 0,525. DOI: 10.12693/APhysPolA.129.717.

14. Sherchenkov A.A., Kozyukhin S.A., Lazarenko P.I., Babich A.V., Timoshenkov S.P., Gromov D.G., Yakubov A.O., Terekhov D.Y. Influence of Ti doping on the properties of Ge-Sb-Te thin films for phase change memory // Solid State Phenomena. – 2016. – Vol. 247. – P. 30-38. IF: 0,493. DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.249.30.

15. Lazarenko P., Sherchenkov A., Kozyukhin S., Babich A., Timoshenkov S., Shuliatyev A., Kudoyarova V. Electrical properties and transport mechanisms in Ge-Sb-Te thin films. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. – 2016. – Vol. 18, Iss. 1-2. – P. 50-55. IF: 0,383. WOS: 000374426500009.

16. Babich A., Sherchenkov A., Kozyukhin S., Lazarenko P., Timoshenkov S., Boytsova O. Investigation of the crystallization kinetics in Ge-Sb-Te-Bi and Ge-Sb-Te-In phase-change memory materials. // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. – 2016. – Vol. 18, Iss. 3-4. – P. 235-239. IF: 0,383. WOS: 000375964800008.

17. Sherchenkov A., Kozyukhin S., Babich A., Lazarenko P., Kalugin V., Timoshenkov S., Borgardt N., Sybina Y. Crystallization mechanism and kinetic parameters in Ge2Sb2Te5 thin films for the phase change memory application. // Chalcogenide letters. – 2018. – Vol. 15, No. 1. – P. 45-54. SJR 0,266.

18. Yakubov A.O., Terekhov D.Y., Sherchenkov A.A., Kozyuhhin S.A., Lazarenko P.I., Babich A.V., Timoshenkov S.P., Gromov D.G., Shuliatyev A.S.. Electrophysical properties of phase change memory materials on the pseudo-binary line GeTe-Sb2Te3. // Journal of Physics: Conference Series. – 2015. – Vol. 643. – P. 012104-1 - 012104-6. SJR: 0,241. DOI: 10.1088/1742-6596/643/1/012104.

19. Lazarenko P.I., Sherchenkov A.A., Kozyukhin S.A., Babich A.V., Nguen H.P., Timoshenkov S.P., Gromov D.G., Yakubov A.O., Terekhov D.Y. Influence of indium doping on the electrical properties of Ge2Sb2Te5 thin films for nonvolatile phase change memory devices // Journal of Physics: Conference Series. – 2016. – Vol. 690. – P. 012006-1 - 012006-6. SJR: 0,241. DOI: 10.1088/1742-6596/690/1/012006.

20. Шерченков А.А., Лазаренко П.И., Бабич А.В., Тимошенков С.П. Фазовая память: современное состояние и перспективы использования: учебно-методическое пособие. - Москва: МИЭТ, 2016. - 135

Патенты:

1. Патент на изобретение № 2610058. Козюхин С.А., Варгунин В.А., Шерченков А.А., Лазаренко П.И., Бабич А.В. Способ получения материала фазовой памяти / С.А. Козюхин, В.А. Варгунин, А.А. Шерченков, П.И. Лазаренко, А.В. Бабич. Заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – Заявка № 2015152018 от 04.12.2015. Опубликовано 07.02.2017.

2. Патент на изобретение № 2609764. Тимошенков С.П., Шерченков А.А., Коробова Н.Е., Лазаренко П.И., Калугин В.В., Бабич А.В. Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти. Заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – Заявка № 2015145724 от 26.10.2015. Опубликовано 02.02.2017.

3. Патент на изобретение № 2631071. Тимошенков С.П., Шерченков А.А., Коробова Н.Е., Лазаренко П.И., Калугин В.В., Бабич А.В. Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти. Заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – Заявка № 2016107474 от 02 марта 2016 г. Опубликовано 18.09.2017.

4. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2017612086. Якубов А.О., Лазаренко П.И., Шерченков А.А., Бабич А.В. Программное обеспечение для исследования процесса переключения образцов на основе тонких пленок фазовой памяти. Заявка № 2016663329 от 07.12.2016. Опубликовано 15.02.2017.