НИУ МИЭТ/Университет/Ведущий технический/Педагогический состав/Бабич Алексей Вальтерович





    

            
        

            
    
    
            
    Бабич Алексей Вальтерович
            кандидат технических наук
            

                    

            
 ПодразделениеДолжность

                        
Институт перспективных материалов и технологийДоцент

            
                        
Научно-исследовательская лаборатория «Материалы и устройства активной фотоники» (НИЛ МУФ)Научный сотрудник

            
                        

           
                 
        
        
        

                        

                Телефон:
                8 (499) 7208732
            

                                                

                E-mail:
                

                 
            
   
              
                        
                    

    

    

        
Краткая биография

        





	Работает в МИЭТ с 2010 года.




	 В 2011 году окончил МИЭТ, присуждена степень магистра техники и технологии по направлению «Электроника и микроэлектроника».








	 В 2017 году защитил кандидатскую диссертацию по специальности 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники».





    

          
          

        
Научная деятельность

        

	 Имеет более 50 публикаций, индексируемых в базах данных Web of Science и/или Scopus, более 150 тезисов докладов на российских и международных конференциях, 1 учебно-методическое пособие и 4 свидетельства о государственной регистрации результатов интеллектуальной деятельности.




	 Индекс Хирша WoS/Scopus/РИНЦ 9.




	 В качестве руководителя и исполнителя участвовал в проведении более 20 НИР, результаты которых внедрены на предприятиях и в учебный процесс.




Области научных интересов: 



	 фотоника, неупорядоченные полупроводники, фазовая память, полупроводниковые преобразователи энергии, термоэлектричество, перспективные материалы и технологии твердотельной электроники.




 Список основных публикаций за последние 5 лет:




	 1. Voloshchuk I., Babich A., Pereverzeva S., Terekhov D., Sherchenkov A. Flexible thermoelectric generator fabricated by screen printing method from suspensions based on Bi2Te2.8Se0.2 and Bi0.5Sb1.5Te3 // Journal of Central South University. - 2023. - Vol. 30. - P. 2906-2918.




	 DOI: 10.1007/s11771-023-5257-0




	 Импакт фактор: 4.4 (Q1 по SJR).




	 2. Shtern M., Sherchenkov A., Shtern Yu., Borgardt N., Rogachev M., Yakubov A., Babich A., Pepelyaev D., Voloshchuk I., Zaytseva Yu., Pereverzeva S., Gerasimenko A., Potapov D., Murashko D. Mechanical properties and thermal stability of nanostructured thermoelectric materials on the basis of PbTe and GeTe // Journal of Alloys and Compounds. - 2023. - Vol. 946. - P. 169364.




 https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2023.169364




	 Импакт фактор: 6.2 (Q1 по SJR).




	 3. Shtern M., Rogachev M., Shtern Y., Sherchenkov A., Babich A., Korchagin E., Nikulin D. Thermoelectric properties of efficient thermoelectric materials on the basis of bismuth and antimony chalcogenides for multisection thermoelements // Journal of Alloys and Compounds. - 2021. - Vol. 877. - P. 160328.




 https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.160328




	 Импакт фактор: 6.2 (Q1 по SJR).




	 4. Sherchenkov A., Kozyukhin S., Borgardt N., Babich A., Lazarenko P., Sybina Y., Tolepov Z., Prikhodko O. Multiple thermal cycling and phase transitions in Ge-Sb-Te materials. // J. Non-Cryst. Solids. - 2018. - Vol. 501. - P. 101-105. doi: 10.1016/j.jnoncrysol.2017.12.023.




 https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2017.12.023




	 Импакт фактор: 2.6 (Q1 по SJR).




	 5. Czylkowska A., Rogalewicz B., Szczesio M., Raducka A., Gobis K., Szymański P., Czarnecka K., Camargo B.C., Szczytko J., Babich A., Dubkov S., Lazarenko P. Antitumor Activity against A549 Cancer Cells of Three Novel Complexes Supported by Coating with Silver Nanoparticles // International Journal of Molecular Sciences. - 2022. - Vol. 23 (6). - P. 2980.




 https://doi.org/10.3390/ijms23062980




	 Импакт фактор: 6.208 (Q1 по SJR).




	 6. Gromov D., Sherchenkov A., Lebedev E., Babich A., Nemtseva S., Shaman Y., Maniecki T., Maniukiewicz W., Ciesielski R., Gavrilov S. // The influence of compression conditions on the peculiarities of self-propagating exothermal reaction in Al–Ni powder reactive materials. // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. – 2018. – Vol. 134. – P. 35-44.




 https://doi.org/10.1007/s10973-018-7416-3




	 Импакт фактор: 4.755 (Q1 по SJR).




	 7. Yakubov A., Sherchenkov A., Babich A., Lazarenko P., Sagunova I., Kirilenko E.Influence of the adjacent layers on the crystallization kinetics of Ge2Sb2Te5 thin films // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. - 2020. - Vol. 142. - P. 1019-1029.




 https://doi.org/10.1007/s10973-020-10013-5




	 Импакт фактор: 4.755 (Q1 по SJR).




	 8. Tabachkova N., Shtern M., Sherchenkov A., Shtern Yu., Rogachev M., Panchenko V., Babich A., Voronov M., Tapenko M., Korchagin E. Physical and chemical properties of low-temperature nanostructured thermoelectric materials on the basis of Bi2Te2.8Se0.2 and Bi0.5Sb1.5Te3 // Solid State Sciences. - 2024. - Vol. 154. - P. 107609.




 https://doi.org/10.1016/j.solidstatesciences.2024.107609




	 Импакт фактор: 3.4 (Q2 по SJR).




	 9. Yakubov A., Lazarenko P., Kirilenko E., Sagunova I., Babich A., Sherchenkov A. Influence of Phase State, Conducting Sublayer Material and Deposition Method on Mechanical Properties and Adhesion of Ge2Sb2Te5 Thin Films // Current Applied Physics. - 2024. - Vol. 66. - P. 66-75.




 https://doi.org/10.1016/j.cap.2024.06.014




	 Импакт фактор: 2.4 (Q2 по SJR).




	 10.Yakubov A. Sherchenkov A., Lazarenko P., Babich A., Terekhov D., Dedkova A. Contact resistance measurements for the Ge2Sb2Te5 thin films // Chalcogenide Letters. - 2020. - Vol. 17, Iss. 1. - P. 1-8.




	 Импакт фактор: 1.05 (Q3 по SJR).




	 11. Sherchenkov A., Kozyukhin S., Babich A., Lazarenko P., Kalugin V., Timoshenkov S., Borgardt N., Sybina Y. Crystallization Mechanism and Kinetic Parameters in Ge2Sb2Te5 Thin Films for the Phase Change Memory // Chalcogenide Letters. - 2018. - Vol. 15, Iss. 1. - P. 45-54.




	 Импакт фактор: 1.05 (Q3 по SJR).




	 12. Shtern M., Sherchenkov A., Shtern Yu., Rogachev M., Babich A. Thermoelectric Properties and Thermal Stability of Nanostructured Thermoelectric Materials on the Basis of PbTe, GeTe, and SiGe // Nanobiotechnology Reports. - 2021. - Vol. 16. - P. 363-372.




	 DOI 10.1134/S2635167621030174




 Патенты:




	 1. Патент на изобретение № 2610058. Козюхин С.А., Варгунин В.А., Шерченков А.А., Лазаренко П.И., Бабич А.В. Способ получения материала фазовой памяти / С.А. Козюхин, В.А. Варгунин, А.А. Шерченков, П.И. Лазаренко, А.В. Бабич. Заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – Заявка № 2015152018 от 04.12.2015. Опубликовано 07.02.2017.




	 2. Патент на изобретение № 2609764. Тимошенков С.П., Шерченков А.А., Коробова Н.Е., Лазаренко П.И., Калугин В.В., Бабич А.В. Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти. Заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – Заявка № 2015145724 от 26.10.2015. Опубликовано 02.02.2017.




	 3. Патент на изобретение № 2631071. Тимошенков С.П., Шерченков А.А., Коробова Н.Е., Лазаренко П.И., Калугин В.В., Бабич А.В. Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти. Заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – Заявка № 2016107474 от 02 марта 2016 г. Опубликовано 18.09.2017.








	 4. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2017612086. Якубов А.О., Лазаренко П.И., Шерченков А.А., Бабич А.В. Программное обеспечение для исследования процесса переключения образцов на основе тонких пленок фазовой памяти. Заявка № 2016663329 от 07.12.2016. Опубликовано 15.02.2017.