Старая версия сайта доступна по ссылке http://old.miet.ru Перейти
Гончаров Виктор Анатольевич доктор физико-математических наук, доцент

Краткая биография

Выпускник МФТИ (1978 г.), аспирантуры МФТИ (1983 г.).

В 1985 -1999 гг. являлся старшим, ведущим, главным научным сотрудником НИИ «Научный центр» (отдел космического материаловедения).

В 1999 - 2002 гг. докторант МИЭТа. В 2002 г. защищена докторская диссертация «Моделирование роста кристаллов в условиях микрогравитации».

С 2003 г. профессор кафедры высшей математики-1 МИЭТа.

Учёные степени и звания

  • кандидат физико-математических наук – 1988 г., ВЦАН СССР, по специальности 01.01.07 – «Вычислительная математика»;
  • старший научный сотрудник по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков» – 1993 г., НИИ «Научный центр»;
  • доктор физико-математических наук – 2002 г., МИЭТ, по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»;
  • доцент по специальности «Вычислительная математика» – 2004 г., МИЭТа.

Читаемые курсы

  • Численные методы (МПиТК 2 курс)
  • Методы оптимизации (МПиТК 4 курс)
  • Численные методы решения уравнений математической физики (МПиТК магистратура)
  • Принципы построения математических моделей (МПиТК магистратура)

Научная деятельность

Ученый в области вычислительной математики и математического моделирования выращивания полупроводниковых кристаллов.

Научная деятельность связана с созданием новых численных схем и методов моделирования конвекции в расплавах, решения нестационарной двухфазной задачи Стефана; получения на основе этих методов фундаментальных и прикладных результатов при изучении роста кристаллов полупроводников.

Исследуется образование микронеоднородностей (полос роста) при выращивании кристаллов полупроводников методами вертикальной направленной кристаллизации, изучается зависимость величины микронеоднородности от характеристик технологической аппаратуры.

Основные публикации

Учебные пособия

  1. Гончаров В.А., Савостиков А.А. Численные методы. Лабораторные работы, курсовая работа, задачи // Учеб. пособие, М., МИЭТ. 2005. 80 с.
  2. Гончаров В.А. Методы оптимизации // Учеб. пособие, М., Высшее образование. 2009. 191 с.

Статьи

Опубликовано более 70 научных и учебно-методических работ, в том числе:

  1. Гончаров В.А. Об одном вычислительном алгоритме для решения задачи конвекции слабосжимаемой жидкости // Сообщения по прикладной математике. Вычислительный центр АН СССР. М. 1985. 28с.
  2. Гончаров В.А. Реализация численного метода решения задачи конвекции слабосжимаемой жидкости // Ж. вычисл. матем. и матем. физ. 1985. Т. 25. № 10. С. 1571-1573.
  3. Гончаров В.А., Кривцов В.М. Чарахчьян А.А. Численная схема моделирования дозвуковых течений вязкого сжимаемого газа // Ж. вычисл. матем. и матем. физ. 1988. Т. 28. № 12. С. 1858-1866.
  4. Гончаров В.А., Лубашевская И.В., Лубашевский И.А. Математическое моделирование процесса выращивания монокристаллов соединений А2В6 из паровой фазы // Теор. основы хим. технологии. 1992. Т.26. № 2. С.201-211.
  5. Гончаров В.А., Марков Е.В. Термоконвекция и механизмы переноса примеси в процессе роста кристаллов полупроводниковых соединений из расплава // Известия РАН. Неорганические материалы. 1993. Т. 29. № 3. С. 339-343.
  6. Goncharov V.A., Markov E.V. Numerical study of thermoconvection and dopant transport mechanisms in the process of Si growth by floating-zone technique under microgravity // Journal of Crystal Growth. 1994. Vol. 139. P. 266-270.
  7. Гончаров В.А., Марков Е.В. Численная схема моделирования задач термоконвекции // Ж. вычисл. математики и матем. физики. 1999. Т. 39. № 1. С. 87-97.
  8. Авдеев А.Ю., Гончаров В.А. Численная схема моделирования задач термоконвекции // Известия вузов. Электроника. 1999. №1-2. С. 9-15.
  9. Гончаров В.А. Об одном методе решения задачи Стефана в двухфазной области с неплоской границей // Ж. вычисл. математики и матем. физики. 2000. Т. 40. № 11. С. 1706-1715.
  10. Гончаров В.А., Прокофьева В.К., Цветков А.С. Численное исследование микросегрегации при выращивании монокристаллов арсенида галлия в условиях пониженной гравитации // Изв. вузов. Электроника. 2000. № 6. С. 29-36.
  11. Goncharov V.A., Prokofieva V.K. Numerical simulation of microsegregation during the growth of GaAs monocrystals in microgravity // MSSU Microgravity and Space Station Utilization. 2000. Vol.1, No. 4. P.35-41.
  12. Гончаров В.А. Численное моделирование процесса выращивания полупроводниковых кристаллов из расплава методом направленной кристаллизации // Теор. основы хим. технологии. 2001. Т. 35. № 3. С. 257-264.
  13. Гончаров В.А., Земсков В.С., Раухман М.Р., Шалимов В.П. Проблемы неоднородностей в кристаллах, выращенных в различных гравитационных условиях // Известия РАН. Поверхность. 2004. №6. С.13-19.
  14. Исследование влияния малых сил на радиальную неоднородность кристаллов полупроводников / В.А. Гончаров, А.А. Савостиков, В.С. Земсков и др. // Тр. 6-й Междунар. конф. "Рост кристаллов и тепломассоперенос" (Обнинск, Россия, 2005). 2005. Т. 4. С. 793-802.
  15. Балдина Н.А., Гончаров В.А., Тананыкин А.А. Неоднородность примеси в полупроводниковых кристаллах, выращенных в космических условиях методами направленной кристаллизации // Известия вузов. Электроника 2007. № 6. С. 3-10.
  16. Балдина Н.А., Васекин Б.В., Гончаров В.А. Математическое моделирование поперечной сегрегации примеси в кристаллах, выращиваемых в условиях ламинарной конвекции // Теор. основы хим. технологии. 2009. Т.43 №4 С. 371-378.
  17. Балдина Н.А., Васекин Б.В., Гончаров В.А. Моделирование возникновения аномальной поперечной неоднородности распределения примеси в космических экспериментах по выращиванию кристаллов // Математическое моделирование. 2009. Т.21. №10. С. 67-75.
  18. Гончаров В.А., Азанова И.В., Васекин Б.В. Модель неравновесной кристаллизации для численного решения задачи роста полупроводниковых кристаллов из расплавов // Известия вузов. Электроника. 2010. № 5. С. 5-14.
  19. Гончаров В.А., Балдина Н.А., Дорошенко Е.С., Подкопаев И.В. Численное моделирование процесса кристаллизации с использованием параллельных вычислений // Известия вузов. Электроника. 2010. № 6. С. 49-57.
  20. Goncharov V.A., Azanova I.V. and Vasekin B.V. Model of nonequilibrium crystallization for the numerical solution to the problem of semiconductor crystal growth from melt // Semiconductors. 2011. Vol.45. No.13. P.1632-1637.
  21. Гончаров В.А., Дормидонтов А.Н. Применение трехслойного попеременно-треугольного метода для решения уравнения Пуассона в математической модели выращивания кристаллов полупроводников // Вестник МГАДА. 2012. №3(15). С.154-158.
  22. Аюпов И.Р., Гончаров В.А., Лукьянов И.В. Нейросетевой метод для прогнозирования состояния больного // Известия вузов. Электроника. 2013. № 5(103). С. 75-80.
  23. Гончаров В.А., Дормидонтов А.Н. Численное моделирование влияния нестационарных условий на образование концентрационных полос роста при выращивании кристаллов методом Бриджмена // Известия вузов. Электроника. 2013. № 6(104). С. 3-9.