Старая версия сайта доступна по ссылке http://old.miet.ru Перейти
Прокофьева Виолетта Константиновна кандидат химических наук, доцент

Краткая биография

Образование

1964, Московский институт тонкой химической технологии

1969, кандидат химических наук, Институт общей и неорганической химии АН СССР

Занимаемые должности

1967-1971 – младший научный сотрудник кафедры общей химии МИЭТа

1971-1973 – ассистент кафедры спецматериалов микроэлектроники МИЭТа

1973-1999 – доцент кафедры спецматериалов микроэлектроники МИЭТа

2000-2011 – доцент кафедры материалов и процессов твердотельной электроники МИЭТа

С 2014 – доцент кафедры материалов функциональной электроники МИЭТа

Научная деятельность

Область научных интересов

Физика, химия и технология полупроводниковых расплавов и кристаллов

Научная работа

В соавторстве с Е.Б. Соколовым и В.М. Глазовым обнаружен эффект структурно-химического превращения в жидкой фазе систем с перитектическими превращениями, что позволило управлять свойствами расплавов и выращиваемых из них монокристаллов.

В.К. Прокофьева ведёт на кафедре научное направление в качестве руководителя и ответственного исполнителя. За время работы выполнено более 30 хоздоговорных, госбюджетных тем, грантов и программ, посвященных проблемам легирования с целью улучшения качества монокристаллов элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений. В том числе с 2000 г. выполняется работа по программе Министерства образования и науки РФ «Научные исследования высшей школы в области новых материалов». Для выполнения научной работы привлекаются аспиранты и студенты. Подготовлено более 80 дипломников и 5 аспирантов.

С использованием легирования специальными электронейтральными примесями удалось получить полуизолирующие и изолирующие монокристаллы соединений AIIIBV и совершенные по структуре монокристаллы кремния с заданными свойствами и дозированным содержанием легирующих примесей и кислорода для интегральных схем, силовой электроники и полупроводниковой энергетики.

Научные, практические результаты и разработанные на их основе технологии нашли применение и внедрены в отечественное производство, что подтверждено более чем 20 актами внедрения на предприятиях электронной и электротехнической промышленности.

Публикации (в количестве 180 шт.)

2 учебника, 5 методических пособий

более 50 статей в реферируемых журналах

более 30 докладов на международных конференциях

17 изобретений

Основные публикации в реферируемых журналах

  1. Соколов Е.Б., Глазов В.М., Прокофьева В.К. О структурно-химических превращениях в расплавах систем перитектического типа. Известия АН СССР. Неорган. материалы, 1970, т. VI, вып. 3, с. 580-581.
  2. Осипов А.Ф., Прокофьева В.К., Соколов Е.Б. и др. Исследование фазовых равновесий в системе германий-стронций. Известия АН СССР. Неорган. материалы, 1972, т. VI, вып. 4, с. 665-669.
  3. Карамов А.Г., Соколов Е.Б., Прокофьева В.К. и др. Макросегрегация переходных металлов группы железа в арсениде и фосфиде галлия. Сб. трудов IV Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легированных полупроводниковых материалов. Издательство «Наука», М., 1979, с. 254-257.
  4. Салманов А.Р., Батавин В.В., Прокофьева В.К., Соколов Е.Б. и др. Влияние магния на свойства кремния, содержащего кислород. Известия АН СССР. Неорган. материалы, 1981, т. 17, вып. 7, с. 1141-1145.
  5. Соколов Е.Б., Рыгалин Б.Н., Прокофьева В.К. Электронная промышленность, 1981, вып. 7-8, с. 78-82.
  6. Белокурова И.Н., Земсков В.С., Дегтярев В.Ф., Прокофьева В.К., Скуднова Е.В. Взаимодействие меди с кислородом при термообработке германия. Сб. трудов Института металлургии им. А.А. Байкова АН СССР «Легирование полупроводников» Издательство «Наука», 1982, с. 19-22.
  7. Афанасьев С.П., Прокофьева В.К., Соколов Е.Б. Монокристаллы полуизолирующего арсенида галлия. Электронная промышленность, 1981, вып. 7-8, с. 82-84.
  8. Салманов А.Р., Рыгалин Б.Н., Прокофьева В.К., Соколов Е.Б. Свойства высокоомного кремния, полученного зонной плавкой с третьим компонентом. Электронная техника. Серия 6. Материалы, 1982, вып. 7 (168), с. 21-25.
  9. Глазов В.М., Соколов Е.Б., Прокофьева В.К., Холмакова Т.И. Исследование структурно-химических превращений в расплавах системы Ge-Ba ульраакустическим методом. АН СССР, ЖФХ, 1983, т. LVII, вып. 9, с. 2163-2167.
  10. Салманов А.Р., Рыгалин Б.Н., Батавин В.В., Прокофьева В.К. Эффект подавления кислородных термодоноров в кремнии диффузией магния. Известия АН СССР. Неорган. материалы, 1983, т. 19, вып. 10, с. 1605-1608.
  11. Глазов В.М., Соколов Е.Б., Прокофьева В.К., Холмакова Т.И. Анализ характера межмолекулярного взаимодействия и оценка термодинамических свойств промежуточных фаз в системе Ge-Ba. Электронная техника. Серия 6. Материалы, 1984, вып. 10, с. 45-47.
  12. Скуднова Е.В., Прокофьева В.К., Дегтярев В.Ф. Взаимодействие меди с кислородом при электронном облучении германия. Сб. Легированные полупроводниковые материалы, 1985, М., Наука, с. 154-157.
  13. Гиоргадзе А.Л., Айвазов А.А., Прокофьева В.К., Салманов А.Р. и др. Энергетические уровни в кремнии, легированном титаном в процессе бестигельной зонной плавки. Известия АН СССР. Неорган. материалы, 1988, т. 24, вып. 1, с. 5-8.
  14. Прокофьева В.К., Соколов Е.Б., Суанов М.Е., Карамов А.Г. Влияние примесей Ti, Zr, Hf на процесс очистки кремния от кислорода. Сб. Высокочистые вещества, 1988, М., Наука, с. 72-74.
  15. Салманов А.Р., Мокеров А.Г., Прокофьева В.К. и др. Влияние примесей Ti, Zr, Hf на состояние кислорода в кремнии. Известия АН СССР. Неорган. материалы, 1989, т. 25, вып. 10, с. 1597-1600.
  16. Никифорова-Денисова С.Н., Прокофьева В.К., Макеев М.Х., Сергеева Ж.М. Снижение дефектности кремния с помощью формирования внутреннего геттера. Электронная промышленность, 1991, № 5, с. 16-18.
  17. Прокофьева В.К., Сергеева Ж.М., Бондарец Н.В., Соколов Е.Б., Короткевич А.В. Легирование цирконием улучшает структуру монокристаллов кремния. Электронная промышленность, 1993, № 8, с. 45-48.
  18. Соколов Е.Б., Прокофьева В.К., Белянина Е.В. Кремний, полученный с использованием геттерирования расплава. Электронная промышленность, 1995, № 4-5, с. 65-66.
  19. Прокофьева В.К., Соколов Е.Б., Белянина Е.В. Электронейтальные примеси в элементарных полупроводниках. Известия вузов. Цветная металлургия, 1996, № 6, с. 69-74.
  20. Прокофьева В.К., Соколов Е.Б., Белянина Е.В., Гиоргадзе А.Л. Влияние титана на концентрацию активного кислорода, генерацию термодоноров и термостабильность кремния. Известия вузов. Электроника, 1997, № 1, с. 63-67.
  21. Goncharov V. A., Prokofieva V.K. Numerical simulation of microsegregation during the growth of GaAs monocristals in microgravity. Microgravity and Space Station Utilization, 2000, vol.1, Nr. 4, p. 35-41.
  22. Прокофьева В.К., Рыгалин Б.Н., Соколов Е.Б. Геттерирующие примеси в монокристаллах кремния для СБИС. Известия вузов. Электроника, 2000, № 4-5, с. 71-74.
  23. Светухин В.В., Прокофьева В.К., Пчелинцева Т.С., Рыгалин Б.Н. и др. Исследование взаимодействия циркония с кислородом в кремнии. Письма в Журнал технической физики, 2001, т. 27, вып. 20, с. 20-24.
  24. Рыгалин Б.Н., Прокофьева В.К., Лысенко Л.Н. Улучшение качества кремния. Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России, 2001, №2, с.29-33.
  25. Светухин В.В., Прокофьева В.К., Гришин А.Г., Ильина Т.С., Рыгалин Б.Н. Исследование кинетики преципитации кислорода в кремнии, легированном цирконием. Письма в Журнал технической физики, 2002, т. 28, вып. 22, с. 78-81.
  26. Соколов Е.Б., Рыгалин Б.Н., Прокофьева В.К., Лысенко Л.Н. Влияние легирования цирконием и гафнием на структуру монокристаллов кремния. Труды IX международной конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», г. Таганрог, июнь 2004 г., с. 255-258.
  27. Соколов Е.Б., Рыгалин Б.Н., Смирнов В.В., Прокофьева В.К., Найда Г.А. Кремний и широкозонные нитриды – основа полупроводниковой энергетики. Изв. вузов. Электроника. 2005, № 4-5, 6с. (с.52-57)
  28. Прокофьева В.К., Епимахов И.Д., Рыгалин Б.Н., Соколов Е.Б. Особенности образования структурных дефектов в кремнии с использованием «третьего» компонента. Сб. тр-дов 6й междунар. конф. «Рост монокристаллов и тепломассоперенос», г. Обнинск, 25-30.09 сентября 2005 г., с.506-512.
  29. Соколов Е.Б., Рыгалин Б.Н., Смирнов В.В., Прокофьева В.К., Найда Г.А. Улучшение параметров кремния и гетерогенных структур широкозонных нитридов в микроэлектронной технологии полупроводниковой энергетики. Сб.трудов 10-й Международной научной конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», г. Таганрог, 2006 г., с. 207-210.
  30. Rigalin B.N., Prokofyeva V.K., Pavlova L.M., Sokolov Ye.B. The Experimental Research and Thermodynamic Analysis of Group II and IV Metal Solubility of the Periodic System in Solid-State Silicon. J. Calphad (в печати).