29.04. Конкурс на замещение должностей научных работников
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
«Национальный исследовательский университет
«Московский институт электронной техники»
объявляет конкурс на замещение должностей научных работников:
№ п/п |
Перечень должностей |
Квалификационные требования |
Область исследований |
Место (адрес) приёма заявления |
Срок приёма заявления |
Место и дата проведения конкурса |
Научно-исследовательская лаборатория электронной микроскопии (НИЛ ЭМИ) |
||||||
1. |
Младший научный сотрудник (0,5 ст) |
- Высшее профессиональное образование. - Стаж научной работы не менее 8 лет - Опыт работы по тематике научных исследований (физика конденсированного состояния, физика полупроводников, физика микро- и наноструктур) - Навыки работы со специальным оборудованием: просвечивающим электронным микроскопом Titan Themix 200 с корректором сферической абберации, электронно-ионным микроскопом Helios NanoLab 650, растровым электронным микроскопом Philips XL 40 - Владение языками программирования – Matlab и Python - Уровень владения иностранным языком, достаточный для свободного чтения профессиональной научно-технической литературы - Опыт педагогической работы с обучающимися в бакалавриате и магистартуре - Наличие сертификатов о повышении квалификации (стажировки) в области исследований - Наличие опубликованных научных, конструкторских и технологических произведений |
- Изучение структуры полупроводниковых соединений на основе GaAs и GaP методами дифракции электронов, высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии, высокоразрешающей просвечивающей растровой электронной микроскопии. - Приготовление тонких фольг для электронно-микроскопических исследований с применением механического и ионного утонения и методом In-Situ Lift-Out на электронно-ионном микроскопе. - Разработка способов выявления межзеренных границ, полярности исследуемых слоев, а также релаксации напряжений в изучаемых структурах на основе анализа электронно-микроскопических изображений. - Характеризация морфологии поверхности различных полупроводниковых материалов и структур методом растровой электронной микроскопии на приборах FEI Helios NanoLab 650, FEI ChemiSEM Axia и Philips XL 40. |
124498, г. Москва, Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, ОРП МИЭТ, комната № 1113 |
до 18:00 час. 20.05.2025 г. |
МИЭТ, аудитория № 7223, 30.06.2025 г. |
Примечание: дополнительную информацию о проведении конкурса, о необходимых документах можно узнать по телефонам отдела по работе с персоналом: (8-499) 729-74-82, (8-499) 729-85-76.