29.04. Конкурс на замещение должностей научных работников

29.04. Конкурс на замещение должностей научных работников

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования

«Национальный исследовательский университет

«Московский институт электронной техники»

объявляет конкурс на замещение должностей научных работников:

№ п/п

Перечень должностей

Квалификационные требования

Область исследований

Место (адрес) приёма заявления

Срок приёма заявления

Место и дата проведения конкурса

Научно-исследовательская лаборатория электронной микроскопии (НИЛ ЭМИ)

1.

Младший научный сотрудник

(0,5 ст)

- Высшее профессиональное образование.

- Стаж научной работы не менее 8 лет

- Опыт работы по тематике научных исследований (физика конденсированного состояния, физика полупроводников, физика микро- и наноструктур)

- Навыки работы со специальным оборудованием: просвечивающим электронным микроскопом Titan Themix 200 с корректором сферической абберации, электронно-ионным микроскопом Helios NanoLab 650, растровым электронным микроскопом Philips XL 40

- Владение языками программирования – Matlab и Python

- Уровень владения иностранным языком, достаточный для свободного чтения профессиональной научно-технической литературы

- Опыт педагогической работы с обучающимися в бакалавриате и магистартуре

- Наличие сертификатов о повышении квалификации (стажировки) в области исследований

- Наличие опубликованных научных, конструкторских и технологических произведений

- Изучение структуры полупроводниковых соединений на основе GaAs и GaP методами дифракции электронов, высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии, высокоразрешающей просвечивающей растровой электронной микроскопии.

- Приготовление тонких фольг для электронно-микроскопических исследований с применением механического и ионного утонения и методом In-Situ Lift-Out на электронно-ионном микроскопе.

- Разработка способов выявления межзеренных границ, полярности исследуемых слоев, а также релаксации напряжений в изучаемых структурах на основе анализа электронно-микроскопических изображений.

- Характеризация морфологии поверхности различных полупроводниковых материалов и структур методом растровой электронной микроскопии на приборах FEI Helios NanoLab 650, FEI ChemiSEM Axia и Philips XL 40.

124498, г. Москва, Зеленоград,

площадь Шокина, дом 1,

ОРП МИЭТ,

комната № 1113

до 18:00 час. 20.05.2025 г.

МИЭТ,

аудитория

№ 7223,

30.06.2025 г.

Примечание: дополнительную информацию о проведении конкурса, о необходимых документах можно узнать по телефонам отдела по работе с персоналом: (8-499) 729-74-82, (8-499) 729-85-76.