Цель и задачи реализации стратегического технологического проекта

Целью реализации стратегического технологического проекта является обеспечение технологической независимости в области создания отечественных технологий проектирования и разработки электронной компонентной базы, производства конкурентоспособной высокотехнологичной продукции на основе собственных линий разработки технологий в целях экспорта и замещения ею на внутреннем рынке подсанкционной и устаревшей продукции.

Основная задача стратегического технологического проекта состоит в конвертации результатов исследований ведущей научной школы и компетенций инженерной школы в области автоматизации проектирования и разработки ЭКБ для обеспечения ускоренного трансфера и промышленного внедрения инновационных продуктов для проектирования и производства изделий электроники в сквозной технологический цикл электронной промышленности.

Для достижения поставленных целей и задач будет реализовываться комплекс мероприятий по организации и развитию трансфера результатов исследований в области проектирования и производства интегральных схем на основе развития предшествующих результатов (включая алгоритмы оптимизации, внедрение открытых маршрутов проектирования, средства приборно-технологического моделирования, отечественные СФ-блоки, групповой технологический сервис MPW), адаптированных к технологическим возможностям отечественных производств. Проект включает ряд укрупненных мероприятий:

- создание программных продуктов для сквозного маршрута автоматизированного проектирования цифровых СБИС и СнК, обеспечивающего поддержку отечественных технологических процессов, снижение сроков разработки и повышение уровня доверенности разрабатываемой ЭКБ в кооперации с интегратором отечественных маршрутов проектирования;

- разработку и верификацию комплектов средств проектирования для различных отечественных микроэлектронных фабрик и технологических маршрутов, в том числе для СВЧ и силовой электроники, с последующей их апробацией на базе технико-внедренческого центра оснащенного отечественным специальным технологическим оборудованием (технологический полигон);

- организацию технологического полигона для апробации новых технологий проектирования по заказам предприятий потребителей (дизайн-центров, полупроводниковых производств), образовательных и академических учреждений для тестирования технических решений в реальных условиях и возможности их последующей коммерциализации;

- формирование кадрового потенциала через обучение специалистов работе с новыми инструментами, включая разработку учебных программ и стажировки на базе промышленных партнеров;

- кооперация научных, образовательных и промышленных ресурсов для ускорения перехода исследований в инновации, укрепления технологического суверенитета и создания замкнутой цепочки «разработка – подготовка кадров – внедрение»;

- кооперацию с центром проектирования и производства фотошаблонов с проектными нормами до 28 нм;

- расширение технологических возможностей для пользователей сервиса многопроектных запусков (Multi Project Wafer, MPW).

В области систем автоматизированного проектирования микроэлектроники приоритетными направлениями развития научно-исследовательской и инновационной деятельности являются:

– формирование замкнутого маршрута проектирования цифровых СБИС на базе имеющегося задела на основе программных технологий с открытым кодом с обеспечением полной поддержки отечественных технологических процессов, внедрения инструментов ИИ для повышения качества результатов проектирования;

– разработка новых программных инструментов для приборно-технологического моделирования, обеспечивающего поддержку новых отечественных технологий, 2D и 3D-моделирование процессов и приборов;

– создание программных средств подготовки данных для проектирования и изготовления фотошаблонов;

– расширение номенклатуры отечественных доверенных СФ-блоков и изделий на их основе с адаптацией к технологическим возможностям отечественных производств.

В результате предшествующих исследований был сформирован поэтапный подход к ускоренному формированию отечественных маршрутов проектирования – последовательное развитие инструментов с открытым исходным кодом, в частности, по цифровому маршруту использование инструментов OpenRoad/OpenLane. Однако такие инструменты дают относительно низкое качество результата с точки зрения технических характеристик (например, площадь может быть увеличена на 35-50% при технологических нормах 130-180 нм), а также они требуют адаптации для полноценной поддержки отечественных техпроцессов. Таким образом, в области разработки цифрового маршрута исследования необходимо направить на повышение качества результатов проектирования цифровых СБИС, поддержку комплектов средств проектирования (КСП) для отечественных фабрик, внедрение инструментов искусственного интеллекта (ИИ) для повышения продуктивности.

Программные средства САПР подготовки данных для проектирования и изготовления фотошаблонов, приборно- технологического моделирования являются фундаментом развития электронной промышленности и постановки новых технологических процессов.

На базе НИУ МИЭТ в 2023-2025 гг. реализуется проект по разработке решения для двумерного моделирования приборов и процессов полупроводникового производства, результатом которого является базовый набор отдельных программных продуктов для формирования маршрутов технологического и приборного моделирования. Архитектура разработанного программного обеспечения подразумевает модульный характер и наличие возможностей для масштабирования, а встроенный алогатор (транслятор) позволяет добавлять учет новых физических моделей. Наличие таких свойств в составе программного продукта позволит создать новое отечественное ПО для приборнотехнологического моделирования и проектирования в режиме 3D, которое требуется при разработке МЭМС и НЭМС устройств, элементов интегральной фотоники и нанофотоники.

Также, одним из важных реализуемых мероприятий в рамках выполнения СТП (2024-2036 гг.) является развитие отечественной экосистемы RISC-V, в рамках которой ведется создание и развитие отечественных перспективных СФ-блоков для проектирования систем на кристалле на архитектуре RISC-V. В рамках СТП планируется апробировать разработанные блоки с использованием отечественных САПР и обеспечить замкнутый цикл проектирования отечественной ЭКБ.

Описание стратегического технологического проекта

Реализация стратегического технологического проекта предполагает создание уникальной кооперации разработчиков ПО, технологов полупроводниковых производств, дизайн-центров и интегратора, которая позволит организовать трансфер результатов исследований и разработок по созданию отечественного программного обеспечения для создания сквозного маршрута проектирования ЭКБ и обеспечения технологичности производства.

Проект включает разработку программных решений, которые охватывают ключевые этапы проектирования и производства микроэлектронных устройств:

1. Приборно-технологического моделирования маршрута изготовления элементов интегральных схем и расчета электрических характеристик полупроводниковых приборов в законченный продукт с поддержкой доступных технологических процессов.

2. Проектирование и подготовка управляющей информации для изготовления фотошаблонов. Для повышения эффективности использования отечественных технологических процессов необходимо обеспечить решение задачи коррекции топологии с учетом разрешающей способности процесса субмикронной фотолитографии (OPC, PSM), использовать новые методы подготовки масок (MDP), разрабатывать специальные инструменты подготовки проекта к производству (DFM),

3. Разработка инструментов оптимизации на вентильном уровне для маршрута проектирования заказных СБИС (ASIC) и реконфигурируемых СБИС (ПЛИС), в том числе с использованием современных инструментов с открытым исходным кодом. Такое решение позволяет создать гибкую и масштабируемую платформу для проектирования интегральных схем, которая поддерживает отечественные технологические процессы, что является важным шагом в укреплении технологического суверенитета. Внедрение искусственного интеллекта (ИИ) в инструменты проектирования позволит значительно повысить качество и эффективность результатов, сокращает время разработки и улучшает показатели производительности, энергопотребления и занимаемой площади. Использование открытых инструментов способствует развитию экосистемы разработки, снижая зависимость от зарубежных решений и стимулируя их внедрение в образовательный процесс.

При реализации проектов в области САПР кооперация между ВУЗом и внешними организациями (интегратором САПР и разработчиками специального технологического оборудования) позволяет объединить экспертизу, ресурсы и инфраструктуру, что особенно важно при работе с технологическими требованиями, например, допуски на технологические параметры фотошаблонов измеряются в десятках нанометров, а объем информации достигает нескольких терабайт. Фотошаблоны являются одними из наиболее критичных и дорогостоящих составляющих литографического цикла, поскольку требования к контролю и аттестации приблизились к предельным возможностям специализированного оборудования. Разработка приборно-технологического оборудования и средств проектирования фотошаблонов должна ориентироваться на учет особенностей конкретного технологического процесса, что может быть осуществлено только при одновременном наличии компетенций в области изготовления фотошаблонов и разработки специализированного ПО, которые есть у ключевых индустриальных партнеров в рамках СТП (АО «МНТЦ МИЭТ», АО «ЗНТЦ»).

Работы в области цифрового маршрута будут вестись совместно с компаниямиразработчиками элементов САПР микроэлектроники - АО «Эремекс», ООО «Альфачип», ООО «Интегральные решения», Холдинг Т1, АО «НМ-Тех», а также научными и образовательными организациями: МГУ, МФТИ, ИСП РАН.

Массовыми продуктами, обеспечивающими цифровизацию различных отраслей экономики, являются: вычислительная техника, системы управления и телекоммуникационное оборудование, в том числе на базе СнК с применением архитектуры RISC-V. Открытая архитектура RISC-V позволит создавать современные СнК, не ограниченные лицензионными правами, и использовать создаваемую всем миром экосистему программного обеспечения. Для России проектирование собственных СнК играет ключевую роль для обеспечения безопасности путем использования доверенной радиоэлектроники. Для развития проектирования СнК на архитектуре RISC-V для различных применений будет создана библиотека сложно-функциональных блоков (СФ-блоки), в которую войдут не только процессорные ядра, но и сопутствующие блоки графических процессоров, ускорителей нейронных сетей, интерфейсных блоков различного назначения и других.

Основной партнер по данному направлению - компания ООО «КНС ГРУПП» (ИКС Холдинг), которая реализует проекты в области аппаратного и программного обеспечения вычислительной техники и телекоммуникационного оборудования.

Важным аспектом развития систем автоматизированного проектирования является создание СФ-блоков и изделий на их основе в привязке к технологическим возможностям отечественных производств, что приобрело особую актуальность в условиях санкционных ограничений. В научных проектах стратегического технологического проекта будет реализована методология сквозного проектирования на основе отечественных технологий микроэлектроники, открытых или сертифицированных архитектур и программного обеспечения, обеспечивающих производство компонентов и конечных устройств на отечественных предприятиях с учетом имеющихся технологических ограничений.

Наравне с разработкой СФ-блоков важнейшим этапом проектирования систем на кристалле является их функциональная верификация, процесс которой занимает наибольшее время в общем маршруте проектирования СнК. Поэтому индустриальными партнерами направления сформулирована задача исследования возможности создания отечественного решения для ускорения верификации цифровых систем на кристалле в виде программно-аппаратного комплекса (ПАК), который интегрируется с САПР цифровых микросхем.

Внедрение создаваемых технических решений в конечные изделия электронной техники будет осуществляться в рамках проектов центра коллективного проектирования МИЭТ. Так, в рамках развития отечественной экосистемы RISC-V запланировано создание и развитие отечественных перспективных СФ-блоков для проектирования систем на кристалле на архитектуре RISC-V, в том числе прототипы:

• встраиваемого GPU на основе архитектуры RISC-V c специализированным расширением команд, с поддержкой OpenGL и OpenCL, L2-кэш объемом до 1МБ, до 12 программируемых ядер и реализация системных шина AMBA4 ACE, ACE-LITE или AXI;

встраиваемого ускорителя нейронных сетей для Edge AI с производительностью до 4 TOP/s на частоте 1 ГГц, с поддерживаемыми форматами данных int8 и int16, и типами нейронных сетей CNN RNN LSTM, с аппаратным сжатием данных и весовых коэффициентов и встроенная память до 256 Кбайт, поддержкой Neural Frameworks TensorFlow Lite Micro и других.

Помимо этого, будет решен ряд прикладных задач:

• исследование и разработка Linux-совместимого RISC-V софт-процессора;

• адаптация пакета верификации FPU для процессорных систем на базе RISC-V;

• формирование шаблона универсального Open Source микроконтроллера; разработка библиотеки периферийных IP для систем на базе RISC-V и др.

Одним из основных направлений научно-исследовательской деятельности в рамках стратегического проекта является решение критических проблем в области обеспечения технологической независимости процессов проектирования и производства ЭКБ.

В области систем автоматизированного проектирования микроэлектроники приоритетные направления деятельности направлены на решение следующих проблем: развитие маршрута проектирования цифровых СБИС на основе открытых решений с доработкой существующих и создание новых инструментов для отдельных проектных процедур; разработка новых инструментов для приборнотехнологического моделирования и подготовки данных для изготовления фотошаблонов, где практически отсутствуют отечественные научно-технические разработки; создание СФ-блоков и изделий на их основе в привязке к технологическим возможностям отечественных микроэлектронных производств.

В отношении решения проблем приборно-технологического моделирования, которые являются фундаментом развития электронной промышленности и постановки новых технологических процессов на действующих микроэлектронных производствах, впервые реализуется уникальная кооперация разработчиков ПО и технологов, которая позволит выполнить исследования и разработки для создания отечественной программы приборно-технологического моделирования маршрута изготовления элементов интегральных схем и расчета электрических характеристик полупроводниковых приборов. В ходе выполнения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ будут проведены разработки технического проекта программы приборно-технологического моделирования кремниевых КМОП - и BCD-технологий, МЭМС и НЭМС устройств, устройств фотоники и нанофотоники. Разработаны и систематизированы модели, определяющие процессы технологического и приборного моделирования кремниевых технологий и их параметры, обоснованы предложенные для использования форматы данных и методология их применения, включая программы визуализации результатов моделирования.

Полученные результаты будут использованы как инструменты для разработки новых и совершенствования существующих технологических маршрутов изготовления кремниевых интегральных схем с возможностью оценки электрических характеристик созданных структур. Разработан коммерческий план по внедрению программы приборно-технологического моделирования. Сформулированы основные задачи, которые необходимо реализовать на заключительном этапе внедрения. Сформулированы рекомендации по внедрению программы, включая разработку программы повышения квалификации для обучения слушателей работе с ней.

Работы по данному направлению ведутся совместно с компаниями- изготовителями ИС и их элементов, разработчиками технологических маршрутов и процессов - АО «НИИМЭ», АО «Микрон», НПК «Технологический центр», АО «НМ-Тех», а также научными и образовательными организациями: МГУ им. Н.П. Огарёва, МФТИ, Отделения РАН.

Для обеспечения технологической независимости Российской Федерации важно развитие отечественной экосистемы проектирования и производство систем на кристалле. В данный момент в создании систем на кристалле для периферийных вычислений актуально как использование процессорных ядер на основе архитектуры RISC-V, так и проектирование программируемых ускорителей на ее основе. RISC-V представляет большой интерес для отечественных компаний из-за модульности, открытости и отсутствия необходимости лицензирования. Несмотря на опыт в проектировании компонентов систем на кристалле, таких как контроллеры периферийных интерфейсов, и опыт выпуска законченных решений, отечественным производителям электроники не хватает решений в виде СФ-блоков ускорителей и специализированных блоков для различных вычислений и адаптированных для производства на отечественных фабриках. Исходя из трендов и потребностей промышленности необходимо сфокусировать усилия в области построения специализированных СФ-блоков, адаптированных для освоенных в России технологий микроэлектроники.

Направления исследований ориентированы на решение научно-практических задач, основной целью которых является разработка теории, методов и способов создания гетерогенных вычислительных систем и СФ-блоков, обеспечивающих снижение энергопотребления, повышение производительности и уменьшение площади микросхем. Научно-исследовательские проекты, выполняемые в рамках реализации СТП, будут погружены в создаваемые новые учебно-научные лаборатории «САПР микроэлектроники» и «СФ-блоки и библиотеки» для организации проектной деятельности студентов и работы с наставниками. Коллективы разработчиков и студентов будут иметь возможность изготовить спроектированные микросхемы на отечественной фабрике (осуществление MPW запуска) и провести ее экспериментальное исследование (bring-up на базе АО «Завод ПРОТОН»).

Таким образом, в результате выполнения стратегического технологического проекта (СТП) на базе университетского комплекса МИЭТ будет реализована эффективно функционирующая модель высокотехнологичного отраслевого центра по разработке САПР электроники, ориентированного на активизацию инновационных процессов в электронной отрасли.

Высокотехнологичный отраслевой центр САПР электроники МИЭТ – это устойчивая группа предприятий и организаций - партнеров университета, действующих в динамично развивающихся сегментах рынка электроники, и использующих компетенции МИЭТ (выпускаемых специалистов, потенциал для выполнения НИОКР, научно-технологическую и инновационную инфраструктуру университета) для создания конкурентоспособной наукоемкой продукции с высоким потенциалом коммерциализации.

Сквозной инновационный цикл подготовки кадров и создания продуктов САПР электроники, положенный в основу модели отраслевого центра предусматривает, что университет, обладая соответствующей современной научно-инновационной инфраструктурой, обеспечивает выпуск профессиональных специалистов, осуществление научной и инновационной деятельности по всем базовым этапам технологического процесса создания конкурентоспособных продуктов САПР электроники – от программных алгоритмов до внедрения открытых маршрутов проектирования, средств приборно-технологического моделирования, отечественных СФ-блоков, адаптированных к технологическим возможностям отечественных производств.

По своей структуре отраслевой центр САПР электроники МИЭТ является объединением самостоятельных научных, образовательных, производственных и инновационных структур, совместно взаимодействующих друг с другом на мотивационной основе, деятельность которого направлена на получение синергетического эффекта от консолидации интеллектуального, кадрового, имущественного, производственного и инновационного потенциала его участников. Деятельность кластера ориентирована на активизацию, стимулирование, мониторинг и координацию процессов инновационного развития, а также на организацию промышленного производства инновационной продукции на предприятиях электроники с отлаженной цепочкой подготовки высокопрофессиональных специалистов.

Синергетический эффект кластерного взаимодействия выражается в повышении эффективности функционирования интегрированной структуры по сравнению с результатами и эффективностью деятельности каждого из входящих в него компонентов. Взаимоотношения между участниками отраслевого центра в рамках реализованной модели строятся на основе отдельных договорных отношений - договоров простого товарищества (договоров о совместной деятельности), договоров на подготовку кадров, договоров на выполнение НИОКР, договоров технического сопровождения и поддержки продукции и т.п.

Основными результирующими показателями, на достижение которых ориентирован СТП, как отраслевой центр САПР электроники в МИЭТ являются:

• подготовка кадров в соответствии с актуальными потребностями участников отраслевого центра в квалифицированных специалистах;

• создание полномасштабной инфраструктуры, обеспечивающей комплексную поддержку участников кластера, обеспечение сквозного инновационного цикла подготовки специалистов и создания конкурентоспособной продукции;

• постановка на системную основу процесса передачи в промышленный сектор и реальный сегмент экономики перспективных инновационных разработок в рамках СТП;

• формирование взаимоусиливающих внутренних сетей научно-технического сотрудничества между высокотехнологичным бизнесом, промышленностью и образованием; продвижение инновационной продукции, разработок МИЭТ и участников реализации СТП, в том числе на основе формирования новых корпоративных брендов;

• развитие межрегионального и межотраслевого взаимодействия в научнотехнической и образовательной сфере на основе установления деловых связей с предприятиями из других регионов и отраслей промышленности;

• объединение усилий участников для реализации комплексных проектов по перспективным направлениям и получения крупных заказов на технологические разработки и инновационную продукцию;

• интеграция потенциала участников для диверсификации направлений научноинновационной деятельности и образования новых быстро растущих совместных технологических компаний;

• создание коммерческой системы технической поддержки и сопровождения программных продуктов, полученных при реализации СТП, включая обучение персонала и постановку маршрутов проектирования на производстве и в дизайн-центрах.

Организационная модель реализации СТП строится на принципах открытой среды, объединяющей ВУЗ, разработчиков ПО, потребителей (дизайн-центры и производства). В рамках проекта предполагается развитие отраслевого кластера, который выступает связующим звеном между исследованиями, прикладными разработками и их коммерциализацией в область разработки средств проектирования. Ключевыми элементами модели являются:

1. Междисциплинарное сотрудничество: интеграция усилий специалистов в области микроэлектроники, программирования, искусственного интеллекта и специального технологического оборудования.

2. Партнёрство с промышленностью: взаимодействие с отечественными для адаптации разрабатываемых решений под реальные характеристики техпроцессов.

3. Образовательный компонент: вовлечение студентов и аспирантов в разработку САПР электроники и СФ-блоков, что способствует притоку высококвалифицированных кадров для новой отрасли.

4. Коммерциализация результатов: создание устойчивого механизма лицензирования и коммерческой поддержки при выводе продуктов на рынок.

5. Апробация и минимизация рисков: создание пилотных зон и тестовых площадок для апробации средств проектирования, что позволяет минимизировать риски для бизнеса и ускорить внедрение технологий в производство.

Ожидаемые результаты для отрасли, социальной сферы и науки в целом:

1. Социальные: улучшение качества жизни за счет внедрения инновационных технологий при разработке отечественной ЭКБ, необходимой для создания собственных решений от медицинских устройств до систем космической связи и других социально значимых областях.

2. Коммерческие: создание конкурентоспособных продуктов и услуг на базе открытой архитектуры RISC-V с высоким потенциалом импортозамещения, способствует развитию отечественной высокотехнологичной промышленности.

3. Научные: возрождение отечественной научной школы в области автоматизации проектирования с учетом последних достижений в области высокопроизводительных вычислений и искусственного интеллекта.

4. Образовательные: подготовка специалистов, способных работать с новыми инструментами САПР, формирование образовательных программ по разработке САПР позволит сформировать устойчивый источник кадров для специфичной области разработки средств проектирования.

Влияние на общество и экономику

Реализация проекта приведет к укреплению технологического суверенитета страны, снижению зависимости от зарубежных решений и созданию новых рабочих мест в новой области – разработки инженерного ПО для проектирования СБИС и СнК, полупроводниковых производств. Разработанные технологии будут способствовать развитию цифровой экономики, повышению конкурентоспособности отечественной продукции и улучшению качества жизни за счет внедрения инновационных решений в отрасли с очень высокой долей использования зарубежных решений.

Ключевые результаты стратегического технологического проекта

1. Реализация СТП позволит создать устойчивый механизм сквозного трансфера технологий автоматизации проектирования ЭКБ от исследований и разработок до промышленной апробации, устранив ключевые барьеры на пути их внедрения в отрасли.

Проект обеспечит плавный переход от разработки к промышленному внедрению за счет комплексного предложения (САПР-IP блоки), которое будет адаптировано к требованиям отечественных производств. Это позволит предприятиям микроэлектроники использовать современные инструменты проектирования, снижая зависимость от зарубежных решений.

1. Возможность быстрой адаптации под новые технологические процессы. Формирование центра компетенций и базы исходного кода при разработке программного обеспечения позволит оперативно адаптировать его под новые технологические нормы, материалы и архитектуры (например, FinFET, GAAFET, 3D-интеграция и т.п.). Это позволит обеспечить возможность доработки средств проектирования и повысит его востребованность.

2. Проект внесет значительный вклад в импортозамещение в области полупроводниковых производств и электронного машиностроения, предоставив отечественным предприятиям конкурентоспособное программное обеспечение для моделирования процессов и приборов. Собственные инструменты ПТМ, ФШ, проектирования СБИС и СнК, обеспечат технологическую независимость России в критически важной области микроэлектроники в условиях внешних ограничений.

3. В рамках проекта будет создана система подготовки специалистов, включающая образовательные программы, стажировки и практические курсы. Сформированная система позволит обеспечить непрерывный поток квалифицированных кадров, способных эффективно использовать новые инструменты проектирования и внедрять их в промышленность.

4. Апробация и опытная эксплуатация разрабатываемого программного обеспечения на полигоне с участием промышленных партнеров и его успешное внедрение в реальные проекты повысят доверие к отечественным разработкам. 5. Развитие кооперации между образовательными учреждениями, разработчиками САПР, дизайн-центрами, и производствами.

В рамках проекта будет создана система трансфера и апробации результатов разработок в области САПР, а также восстановлена подготовка специалистов в области разработки средств автоматизации проектирования.

Технические результаты:

1. Количество разработанных программных комплексов (не менее 4 – ПТМ 3D, САПР ПЛИС, Оптимизация, САПР ФШ).

2. Количество поддерживаемых техпроцессов (не менее 6).

3. Технологические нормы 250 - 65 нм.

4. Размерность поддерживаемых проектов – не менее 2 млн экв. вентилей.

5. Количество внешних потребителей САПР – не менее 5.

Экономические результаты:

1. Объём софинансирования исследований и разработок в год (не менее 200 млн рублей).

Социальные результаты:

1. Число трудоустроенных по направлению САПР в год – 30 чел.

Важным результатом реализации стратегического технологического проекта является уникальная кооперация разработчиков ПО и технологов, которая позволит организовать исследования и разработки для создания отечественной программы приборно-технологического моделирования маршрута изготовления элементов интегральных схем и расчета электрических характеристик полупроводниковых приборов.

Ключевой особенностью САПР фотошаблонов является сложность выполнения требований современных технологий микроэлектроники (допуски на технологические параметры фотошаблона измеряются в десятках нанометров, объем информации фотошаблона – в терабайтах). При этом сами фотошаблоны становятся наиболее критичной и дорогостоящей составляющей литографического цикла, поскольку требования к контролю и аттестации приблизились к предельным возможностям специализированного оборудования. Для эффективного использования имеющихся технологических процессов необходимо решать задачи коррекции топологии с учетом разрешающей способности процесса субмикронной фотолитографии (OPC, PSM), использовать новые методы подготовки масок (MDP), разрабатывать специальные инструменты подготовки проекта к производству (DFM), ориентированные на учет особенностей конкретного технологического процесса, что может быть осуществлено только при одновременном наличии компетенций в области изготовления фотошаблонов и разработки специализированного ПО.

Основными результатами реализации СТП являются:

инновационная продукция и разработки МИЭТ и участников реализации СТП;

сформированные новые корпоративные бренды;

система коммерческой технической поддержки и сопровождения программных продуктов, полученных при реализации СТП, включая обучение персонала и постановку маршрутов проектирования на производстве и в дизайн-центрах;

система подготовки и переподготовки кадров в соответствии с актуальными потребностями участников отраслевого центра в квалифицированных специалистах; полномасштабная инфраструктура, обеспечивающая комплексную поддержку участников проекта, обеспечение сквозного инновационного цикла подготовки специалистов и создания конкурентоспособной продукции.