Итоги научной школы-конференции «Использование синхротронного излучения для технологии рентгеновской литографии»
21-22 сентября 2023 г. в МИЭТ прошла научная школа-конференция «Использование синхротронного излучения для технологии рентгеновской литографии». Программа школы-конференции включала доклады, посвященные инструментальным возможностям, которые открывает синхротронное излучение для рентгеновской литографии.
Рентгеновская нанолитография на синхротронном излучении представляет собой перспективную технологию с высоким разрешением и глубокой проникающей способностью, которая может иметь значительное влияние на будущее развитие полупроводниковой и микроэлектронной индустрии. Эта методика использует рентгеновское излучение, генерируемое синхротронными источниками, для создания микроскопических структур на поверхности материалов.
В школе-конференции с лекциями выступили как преподаватели МИЭТ, так и приглашенные ученые и специалисты профильных предприятий и университетов. С вводной лекцией о природе синхротронного излучения, его свойствах и принципах работы синхротронных ускорителей выступила Матына Л.И., к.т.н., доцент Института перспективных материалов и технологий НИУ МИЭТ. Особое внимание было уделено инструментальным возможностям, которые позволяют успешно использовать синхротронное излучение для различных областей науки и техники.
Далее с докладом о вигглерах и ондуляторах – ключевых компонентах синхротронных ускорителей, обеспечивающих высокую интенсивность и качество излучения – выступил Золотарев К.В., к.ф.-м.н., заведующий сектором Института ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН (Новосибирск), доцент кафедры ускорительной физики Новосибирского государственного университета. Особенно активно рассматривалось ондуляторное излучение и способы его практического применения.
О вопросах рентгеновской оптики рассказал Носик В.Л., д.ф.-м.н. НИЦ «Курчатовский институт». Были представлены различные методы и подходы к созданию оптических систем, а также новые материалы и технологии, позволяющие улучшить качество и разрешение изображений при литографическом процессе.
Про свойства ультратонких пластин и об особенностях их теоретических расчетов рассказал Лычев С.А., д.ф.-м.н., Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского РАН.
В последнем докладе Толстых О.А., к.т.н., с.н.с. НЦ «Прецизионная мехатроника» НИУ МЭИ были представлены новые разработки в области прецизионных столов, которые смогут обеспечить высокую точность позиционирования и стабильность при работе, позволяя улучшить производительность и качество процесса литографии.
Также в рамках школы-конференции прошел круглый стол на тему «Перспективы развития рентгеновской литографии с использованием синхротронного излучения в России». Применение рентгеновской литографии в полупроводниковой и микроэлектронной индустрии, а также в медицине, делают ее важным инструментом для будущих технологических разработок. Дальнейшие исследования и развитие в этой области могут привести к новым достижениям и прорывам в различных сферах применения. Также обсуждалось строительство новых источников синхротронного излучения в стране, в частности, реконструкция Зеленоградского синхротрона, который сейчас имеет название Технологический накопительный комплекс (ТНК) «Зеленоград» НИЦ «Курчатовский институт», а также возможность его использования в дальнейшем для задач рентгенолитографии.
Главной целью мероприятия был обмен опытом и актуальными научно-техническими результатами в области синхротронных исследований, а также возможность ознакомиться с новыми направлениями и методами данной области. В работе школы-конференции приняли участие 41 человек, включая 32 молодых исследователя в возрасте до 39 лет, среди которых было 17 студентов. За активное участие в мероприятии был отмечен Шевелев А.В., студент ЭН-36, Институт интегральной электроники имени академика К.А. Валиева НИУ МИЭТ.
Школа-конференция проводилась в рамках проекта «Разработка и исследование перспективных материалов и наноструктур для технологии безмасочной рентгеновской нанолитографии, применимой к созданию новой компонентной базы микро- и наноэлектроники с использованием источника синхротронного излучения». Данный проект реализуется по гранту № 075-15-2021-1350 от 05.10.2021 (внутренний номер 15.СИН.21.0004) при государственной поддержке мероприятий в области синхротронных и нейтронных исследований (разработок) в рамках реализации Правил предоставления грантов в форме субсидий из федерального бюджета на реализацию отдельных мероприятий Федеральной научно-технической программы развития синхротронных и нейтронных исследований и исследовательской инфраструктуры на 2019-2027 годы, утвержденных постановлением Правительства Российской Федерации от 30 июня 2020 г. № 951.
Активное развитие программы синхротронных исследований, а также возможность формирования современной технологической инфраструктуры на новейших источниках синхротронного излучения в нашей стране вдохновляет молодое поколение на дальнейшие исследования и открытия!