Первые работы в рамках совместной российско-китайской лаборатории «Халькогенидные полупроводниковые материалы и устройства»
Аспирант Института ПМТ посетил Китай для проведения совместных экспериментов и участия в конференцииМИЭМ ВШЭ и МИЭТ договорились о научном сотрудничестве
Соглашение, подписанное 26 августа, направлено на развитие совместных исследований в области физики, перспективного материаловедения и электроники, объединяющих экспериментальные и вычислительные подходы
Наши инженеры будущего
Развиваем термоэлектрические технологии будущего
Институт ПМТ на заседании Консорциума РЭО
Наноструктуры против сурового климата
МИЭТ на Comp-SIF 2026 в Индии
В Москве разработали элементы фотонных схем для устройств 6G