| Подразделение | Должность |
| Институт интегральной электроники имени академика К.А. Валиева (ИнЭл) | доцент |
Краткая биография
В 1996 году поступил в МИЭТ на факультет Электроники и компьютерных технологий.
В 2002 году закончил магистратуру кафедры Интегральной электроники и микросистем.
В 2005 году защитил диссертацию на соискание степени кандидата технических наук на тему «Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания планарных мощных МОП-транзисторов с повышенным значением пробивного напряжения для интеллектуальных силовых интегральных схем».
В МИЭТе работает с 2005 года.
С 2006 года – доцент кафедры Интегральной электроники и микросистем.
C 2007 года – руководитель учебно-научного центра приборно-технологического моделирования «TCAD Synopsys».
Читаемые курсы
- Моделирование в среде TCAD
- Моделирование элементов твердотельной электроники
Научная деятельность
Область научных интересов – численное моделирование элементов интегральных схем. Автор более 30 научных публикаций.
Список наиболее значимых опубликованных работ:
- Ю.А. Чаплыгин, Т.Ю. Крупкина, М.А. Королев, А.Ю. Красюков, Е.А. Артамонова. “Сравнительный анализ двухзатворных беспереходного и традиционного МОП-транзисторов средствами TCAD”. Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2018. Сборник трудов (ВАК) М.:ИППМ РАН, 2018, Часть III. C.87-92.
- М.А. Королев, А.Ю. Красюков, Т.Ю. Крупкина, Ю. А. Чаплыгин. “3D двухзатворный беспереходной МОП-транзистор”. Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. Выпуск 2, 2018. Стр. 8-16.
- М.А. Королев, А.Ю. Красюков, Т.Ю. Крупкина, Ю. А. Чаплыгин. “Влияние расположения и глубины контактов к стоку/истоку на параметры 3D-беспереходного МОП-транзистора”. Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. Выпуск 3, 2018. Стр. 29-36.
- Anton Y. Krasukov, Evgenia A. Artamonova, Michail A. Korolev, Yuri Chaplygin. “TCAD Simulation Study of 90 nm Junctionless SOI MOSFET”. IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus), p. 1648-1652, 2019, DOI: 10.1109/EIConRus.2019.8657193
- Amelin, Y., Krasukov A., Artamonova E., "Experimental and TCAD Study of Breakdown Voltage Enhancement of high-voltage MOSFETs// Proceedings of the 2020 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering(ELCONRUS), 2020. P. 1760-1766.