| Подразделение | Должность |
| Институт физики и прикладной математики (ФПМ) | ассистент |
| Научно исследовательская лаборатория сверхпроводниковой микроэлектроники | младший научный сотрудник |
Краткая биография
В 2021 году окончил магистратуру МИЭТ по направлению «Электроника и наноэлектроника». Аспирант МИЭТ с 2021 года. Работает в Научно-исследовательской лаборатории сверхпроводниковой микроэлектроники с 2021 года. С 2024 года – ассистент института ФПМ.
Читаемые курсы
Ведет практические занятия по линейной алгебре и аналитической геометрии, теории вероятностей и математической статистике.
Научная деятельность
Область научных интересов: физика конденсированного состояния, физика полупроводников, технологии создания наноструктурированных многослойных полупроводниковых структур. Автор 3 научных публикаций и 2 патентов.
Публикации:
1. Верюжский И.В., Приходько А.С., Усков Ф.А., Григорашвили Ю.Е., Боргардт Н.И. Формирование монокристаллических пленок сплава Гейслера на основе соединения CоFeMnSi на подложке MgO // Письма в ЖТФ. – 2024. – Т. 50. – Вып. 22. – С. 61–64.
2. Верюжский И.В., Приходько А.С., Усков Ф.А., Григорашвили Ю.Е., Боргардт Н.И. Импульсное лазерное осаждение монокристаллических пленок сплава Гейслера CoFeMnSi на подложке MgO // Известия вузов. Электроника. – 2024. – Т. 29. – № 6. – С. 703–714.
3. Верюжский И.В., Усков Ф.А. Изучение морфологии поверхности тонких пленок спинового бесщелевого полупроводника CoFeMnSi, полученных методом импульсного лазерного осаждения // Наноиндустрия. – 2025. –Т. 18. – № 1. – С. 48–58.
Патенты:
1. Григорашвили Ю.Е., Верюжский И.В., Усков Ф.А. Патент РФ № 2818990 «Способ изготовления монокристаллического тонкопленочного многокомпонентного полупроводника».
2. Григорашвили Ю.Е., Верюжский И.В., Усков Ф.А., Тарицына А.А. Патент РФ № 282796 «Способ изготовления тонкопленочного высокотемпературного сверхпроводника состава Bi-2223».